UnitedSiC

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UnitedSiC(联合碳化硅)成立于1999年,是美国一家专业的碳化硅(SiC)功率半导体制造商,也是全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商。UnitedSiC开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管(FET)、碳化硅结型场效应晶体管(JFET)和碳化硅肖特基二极管(Schottky Diode)等功率半导体器件,且可定制,为电动汽车充电器,DC-DC转换器,牵引变流器等。   查看更多

UNITEDSIC产品球神直播间帮助

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球神直播间帮助  -  UNITEDSIC

UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管球神直播间指南

描述- To accelerate SiC adoption using innovative device technology, enabling customers to deliver industry transforming levels of power efficiency to society's most advanced applications, particularly in mobility, IT infrastructure and renewable energy.

型号- UJ3D06506TS,UJ3D1220KSD,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3C065040B3,UJ4C075023K3S,UJ3D1210KS,UF3N090350,UF3C SERIES,UJ3C065080B3,UJ3C120040K3S,UJ3N1701K2

球神直播间指南  -  UNITEDSIC  - Q4-2021 英文 下载

电动车对6英寸SiC晶圆需求广阔,兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商UnitedSiC提供完美解决方案

因为其领先的性能优势,电动汽车市场对 SiC 器件的需求与日俱增。据 TrendForce 集邦咨询研究显示,随着电动车渗透率不断升高,预估 2025 年全球电动车市场对6英寸SiC晶圆需求可达169万片。

行业资讯    发布时间 : 2021-12-24

Qorvo产品组合中整合UnitedSiC的SiC FET解决方案,扩展能源、电力市场

在 Qorvo产品组合中整合UnitedSiC的SiC FET解决方案将涵盖新兴市场的许多应用,主要与能源相关。UnitedSiC和Qorvo强调了继续创建可扩展且增长快速的业务机会,以加快SiC的采用,从而提高支持电动汽车部署的动力总成解决方案的效率。

厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-16

测试报告  -  UNITEDSIC  - September 6th, 2019 英文 下载

UnitedSiC Signs an Authorized Distribution Agreement with Sekorm

UnitedSiC(United Silicon Carbide) is a professional silicon carbide (SiC) power semiconductor manufacturer in the United States. It is the only SiC FET manufacturer in the world that is compatible with both SiC and Si drivers.

公司动态    发布时间 : 2021-12-07

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • UF3C120040K3S

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥110.0134 现货:319

  • UJ3D06516TS

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥22.0027 现货:90

  • UJ3D06510TS

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥13.7517 现货:85

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

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    UnitedSiC has completed qualification of X-fab as additional 6” SiC epi wafer supplier(23-FINAL)

    型号- UJ3D065200,UJ3D1205,UF3N120035P,UJ3D1202,UF3SC120016,UF3N120035Z,UF3SC065040,UJ3N065080,UF3N090350,UJ3N120140,UF3N120140Z,UF3N065006Z,UJ3D1220Z,UF3SC0

    产品变更通知及停产信息  -  UNITEDSIC  - Rev. A  - 3/4/2021 英文 下载

    【经验】新半导体技术将提升功率转换效率,UnitedSiC将为低损耗功率开关提供高性能解决方案

    为了进一步降低损耗,现在有了SiC FET等宽带隙半导体开关,其导通电阻测量值为数毫欧,开关特征近乎理想。结合简单的电路实现和完整的SiC FET器件选项组合,UnitedSiC为低损耗功率开关提供了高性能、稳健的解决方案。

    设计经验    发布时间 : 2021-12-01

    UnitedSiC SiC FET User Guide

    型号- UJ3C065080T3S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,CRCW201010R0JNEFHP,UJ3C065080B3,UF3SC065030D8,UJ3

    用户指南  -  UNITEDSIC  - December 2019 英文 下载

    UnitedSiC SiC FET User Guide

    型号- UJ3C065080T3S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,CRCW201010R0JNEFHP,UFK3S,UJ3C065080B3,UF3SC065030

    用户指南  -  UNITEDSIC  - version 4.0  - December 2018 英文 下载

    UnitedSiC Gen 3 Cascode UJ3C Series in TO247-3L SPICE Model

    型号- UJ3C,UJ3C120040K3S,UJ3C065030K3S,UJ3C120150K3S,UJ3C120080K3S,UJ3C065080K3S

    技术文档  -  UNITEDSIC  - Oct 11, 2018 英文 下载

    UnitedSiC’s Web-based FET-Jet Calculator ——Makes Selection of A SiC FET and SiC Schottky Diode for Your Power Design

    If you haven’t found it yet, UnitedSiC’s free-to-use web-based FET-Jet calculator has been a revelation – it makes selection of a SiC FET and SiC Schottky diode for your power design a breeze.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-26

    The 750V Class of UnitedSiC Gen 4 SiC FETS, Responding to Positive Feedback with More Choice

    Control engineers want Feedback to be negative with a decent gain and phase margin, but marketeers prefer positive,The 750V Class of UnitedSiC Gen 4 SiC FETS, Responding to Positive Feedback with More Choice.

    新产品    发布时间 : 2021-11-25

    一文了解UnitedSiC的发展历史

    本文介绍了UnitedSiC的历史发展,并公布了UnitedSiC被Qorvo收购的消息,对硬件工程师了解相关厂牌有所帮助。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-11

    Qorvo收购领先碳化硅功率半导体供应商UnitedSiC,扩展在高功率应用方面的市场机会

    移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo今天宣布,已收购位于新泽西州普林斯顿领先碳化硅(SiC)功率半导体供应商UnitedSiC公司。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-09

    【应用】UnitedSiC共源共栅SiC FET助力提升高频电动车开关的效率,消除开关损耗

    CleanWave200采用了UnitedSiC的共源共栅SiC FE,不需要栅极驱动电路、显著降低死区时间损耗、可让人更专注于Pre-switch核心技术。利用高效的UnitedSiC共源共栅SiC FET技术证明Pre-Switch解决方案在高频电动车开关中的效率。

    应用方案    发布时间 : 2021-10-14

    UnitedSiC最新发布9款750V SiC FET,6~44mΩ导通电阻无敌手,侧重牵引市场

    UnitedSiC在已经推出的18和60毫欧器件基础上,提供了导通电阻为23、33和44毫欧的更多第四代750V SiC FET,以及6、9和11毫欧的零件,可用于牵引逆变器、车载和非车载充电器、直流转换器和无线充电中,能提高效率、电压裕度和软硬开关拓扑的性能。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-27

    【产品】UnitedSiC新推750V 6mΩ SiC FET,短路耐受时间可靠额定值5ms,满足灵活设计需求

    UnitedSiC的UJ4C/SC 750V SiC FET系列现在已经拥有13种器件,同时其优异性能的覆盖范围更广了。该系列的首款产品是业内优异的新6mΩ RDS(on) SiC FET,还包含9、11、18、23、33、44和60mΩ规格产品。

    新产品    发布时间 : 2021-09-26

    商品及供应商介绍  -  UNITEDSIC  - December 2020 英文 下载

    Using UnitedSiC SPICE model in LTSPICE APPLICATION NOTE

    型号- UF3C120080K4S,UF3C065030K4S,UF3C120040K4S,UF3C065080K4S

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - August 2019 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - August 2019 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - April 2018 英文 下载

    UnitedSiC SiC FET User Guide

    型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C0

    用户指南  -  UNITEDSIC  - September 2021 英文 下载

    1.5 kW Totem-pole PFC Using 650V UnitedSiC SiC Cascodes Application Note

    型号- RP-1212D,LT1175CS8-5#PBF,C055438A2,PA1000,UJC06505K

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - June 2017 英文 下载

    UnitedSiC UJ4C SiC FET获21ic电子网Top10 Power电源产品“技术突破奖”

    UnitedSiC UJ4C系列-第四代SiC FET荣获21ic电子网Top10 Power电源产品“技术突破奖”,是市场上唯一的750V SiC FET产品系列,可以使用最大为+/20V的0V~12V栅极驱动安全地从完全关闭驱动到完全增强的通道。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-24

    活动ROHM,Littelfuse,UnitedSiC等650V-3300V SiC器件,助力设备高频、高效率、小型化

    世强元件电商代理数10家国内外顶级SiC器件品牌,包括ROHM,Littelfuse,UnitedSiC,先导中心,CALY,泰科天润等,SiC支持650V-3300V耐压等级,供货有保障,价格优惠。

    活动    发布时间 : 2021-09-01

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • UJ3D06520TS

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥27.5034 现货:60

  • UF3C065080K4S

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥27.5034 现货:58

  • UF3SC120016K4S

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥247.0717 现货:56

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - February 2018 英文 下载

    改进后的UnitedSiC在线功率设计工具FET-Jet计算器让高难度功率设计变得轻而易举

    全球领先的碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC宣布 ,已推出FET-Jet Calculator的升级版,这个新版本 (第二版) 显著简化了 SiC FET 和肖特基二极管的选择过程以及所有功率相关结果的分析。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-08-17

    UnitedSiC最新750V SiC FET,支持更高效的功率设计

    在本文中,我们回顾了UnitedSiC的全新第四代UJ4C 750V SiC FET的参数,并与600/650V等级的SiC MOSFET和超结FET进行了对比。之后,我们深入钻研了这些器件在TO247-4L和TO247-3L这两种封装中的开关特性,并证明了TO247-4L封装的多项优势,还证明了在电流超过25A时,RC缓冲电路在管理开关波形和尽量降低损耗方面的价值。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-07-31

    用户指南  -  UNITEDSIC  - February 2018 英文 下载

    UnitedSiC SiC FET User Guide

    型号- UJ3C065080T3S,UJ4C075018K4S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UF3SC065040D8S,UJ3C065030K3S,UF3SC065030D8S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,UJ4C0

    用户指南  -  UNITEDSIC  - September 2021 英文 下载

    UnitedSiC Rediscovers The Perfect Switch with SiC FETs

    Cascading silicon MOSFET and a SiC JFET is dubbed a ‘SiC FET‘ by the manufacturer and technology champion UnitedSiC. It has better figures of merit for overall losses than SiC MOSFETs or GaN HEMT cells.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-07-17

    ESD Ratings of UnitedSiC FETs and JFETs Application Note

    型号- AW1048,AW1060,AW1046,AW1044,AW1065

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - March 2021 英文 下载

    30 End-of-Life Noficaon of UnitedSiC DFN8 Packaged Parts

    型号- UF3SC065040D8S,UF3SC065030D8S

    产品变更通知及停产信息  -  UNITEDSIC  - 10/1/2021 英文 下载

    UnitedSiC SiC FET在各种常用拓扑中实现功率转换效率提升

    高效是所有功率转换的共同目标,本文介绍了SiC FET在各种领域提高功率转换效率的应用和器件本身的特征,并将它与其他方法进行了对比。在所有常用拓扑中,使用UnitedSiC制造的SiC FET都能实现性能的提升。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-07-15

    UnitedSiC‘s FET-Jet Calculator Taking The Guesswork out of SiC FET Selection

    UnitedSiC‘s new FET-Jet CalculatorTM is free-to-use without any registration and enables a designer to select an application, topology, electrical design parameters and ambient temperature, and quickly try a device from UnitedSiC‘s range of SiC FETs and diodes with a chosen heatsink rating. Critical performance results are instantly calculated, including overall efficiency, with component losses separated out into dynamic and conduction contributions, along with junction temperatures and current stress levels. If a resulting voltage is above the rating of the selected part, a warning is given.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-07-11

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - March 2014 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - May 2016 英文 下载

    UnitedSiC‘s Gen 4 SiC FET Boasts An On-resistance per Unit Area 2~3 Times Better than for The Other SiC MOSFETs

    Through a combination of different attributes, Silicon Carbide (SiC) has established itself as the premier semiconductor technology for the electric vehicle (EV) sector – with devices outperforming those based on conventional Silicon (Si). Its advantages include elevated voltage ratings, superior power conversion efficiency levels and the ability to deal with heightened temperatures.On-board chargers (OBCs), DC-DC converters and traction inverters all benefit from SiC, with the ongoing process and architectural enhancements certain to increase its already considerable appeal.

    新技术    发布时间 : 2021-07-10

    UnitedSiC Announces 6 New SiC FETs, Available in 30/40/80/150mΩ Versions

    UnitedSiC, a leading manufacturer of silicon carbide (SiC) power semiconductors, continues to expand its FET portfolio with the introduction of six new 650V and 1200V options, all housed in the industry standard D2PAK-7L surface mount package. Available in 30, 40, 80 and 150mΩ versions, these latest SiC FETs represent another step forward in accelerating migration to SiC across applications such as server and telecom power supplies, industrial battery chargers and power supplies, EV on-board chargers and DC-DC converters.

    新产品    发布时间 : 2021-06-08

    UnitedSiC不断推动SiC进步,采用SiC FET的图腾柱PFC级的能效达到99.37%

    完美的半导体开关总是近在咫尺,但又远在天边,但是人们仍在不断努力追寻,以期在电动车等重要应用中获得更高的功率转换效率。本文中UnitedSiC探讨了SiC FET共源共栅结构是如何提供最佳性能和一系列其他好处的。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-05

    【产品】UnitedSiC推出新型D2PAK-7L封装SiC FET,大幅提高开关速度并具有卓越散热性能

    UnitedSiC宣布继续扩展FET产品组合,并推出六款全新的650V和1200V产品,所有这些器件均采用行业标准D2PAK-7L表面贴装封装,支持大幅提高的开关速度,通过开尔文源极连接改善了栅极驱动器的回路性能,具有业界领先的散热能力。

    新产品    发布时间 : 2021-05-25

    【技术】UnitedSiC利用宽带隙技术开发750V SiC FET,让新生代电动车更高效

    宽带隙工艺技术器件的性能优势已经得到公认,对扩大车辆电气化普及的价值也毋庸置疑。通过结构层面的进一步创新,这些器件必将让电动车运行变得更高效,损耗变得更低。UnitedSiC公司的解决方案是自己的第四代SiC技术。

    新技术    发布时间 : 2021-04-07

    UnitedSiC的FET-Jet计算器可准确预测电源系统性能,简化设计难度

    为电源设计选择初始半导体开关可能是一件繁杂的工作—UnitedSiC的新FET-Jet Calculator可以简化这项工作并准确预测系统性能,这是无需任何注册的免费工具,支持设计师选择应用、拓扑、电气设计参数和环境温度,然后在选定额定散热值下迅速试用UnitedSiC的SiC FET系列。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-03-19

    UnitedSiC官方授权代理证明/分销协议/授权书

    描述- 世强是United SiC官方授权一级分销商,全线代理United SiC旗下所有产品,库存丰富,正品保证。用户可以查询获取来自United SiC的最新产品和技术资讯、官方资料库,以低于行业的价格,购买United SiC最新元器件和零件产品,享受供货保障。

    代理证明  -  UNITEDSIC  - 2019年10月 英文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • UJ3D1210KSD

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥22.9195 现货:55

  • UJ4C075060K4S

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥40.3798 现货:55

  • UJ3N120065K3S

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥58.0041 现货:55

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    UnitedSiC推出在线功率设计工具FET-Jet计算器,快速找到理想的SiC FET解决方案

    2021年3月16日,全球领先的碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC推出了FET-Jet计算器,这是一款免费注册的简单在线工具,能方便用户为不同功率应用和拓扑结构选择器件和比较器件在其中的性能,让工程师能迅速、自信地制定设计决策。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-03-17

    【技术】UnitedSiC第四代SiC FET技术推进电动车设计提高功率密度并降低功耗

    在牵引逆变器领域,第四代SiC FET技术将提供非常有吸引力的解决方案来应对成本效益挑战和基于SiC的高可靠牵引逆变器挑战。随着第四代750V SiC FET技术的推出,UnitedSiC为设计师们提供了可以让新设计提高功率密度、降低功耗并提升成本性能指标的器件。

    新技术    发布时间 : 2021-03-01

    【技术】UnitedSiC银烧结技术在碳化硅市场独树一帜,显著降低总体热阻

    UnitedSiC开发出利用烧结银代替铅基焊料来将晶粒连接到封装的技术,采用银烧结会显著降低从晶粒到壳的总体热阻,这意味着可以降低晶粒的体积而不会影响热性能。在此情况下这一点尤其重要,因为碳化硅可以应对这种扩展。

    新技术    发布时间 : 2021-01-26

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - September 2021 英文 下载

    【产品】UnitedSiC第四代750V SiC FET支持更高效功率设计,助力功率转换和逆变器应用

    本文回顾了UnitedSiC的全新第四代UJ4C 750V SiC FET的参数,并与600/650V等级的SiC MOSFET和超结FET进行了对比。随着最新的第四代UJ4C SiC FET系列的推出,UnitedSiC翻开了SiC采用量在功率转换和逆变器应用中扩张的新篇章。

    新产品    发布时间 : 2021-01-13

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - April 2021 英文 下载

    UnitedSiC Introduces the Industry‘s First 750V SiC FETs Based on Advanced Gen 4 Technology

    December 1, 2020: UnitedSiC has launched the first four devices based on its advanced Gen 4 SiC FET technology platform. As the first and only 750V SiC FETs currently available on the market, these Gen 4 devices enable new performance levels. Available in 18 and 60 mohm options, these new SiC FETs deliver unmatched FoMs with reduced on-resistance per unit area, and low intrinsic capacitance.

    新产品    发布时间 : 2021-01-11

    活动UnitedSiC全球首发第四代SiC FET,电压750V,RDS(on) 低至18/60mOhm,驱动电压0-12V

    UnitedSiC(联合碳化硅)成立于1999年,是美国一家专业的碳化硅(SiC)功率半导体制造商,也是全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商。UnitedSiC开发出各种创新的碳化硅场效应晶体管(FET)、碳化硅结型场效应晶体管(JFET)和碳化硅肖特基二极管(Schottky Diode)等功率半导体器件,且可定制,为电动汽车充电器,DC-DC转换器,牵引变流器以及服务

    活动    发布时间 : 2021-01-05

    UnitedSiC新推第四代SiC FET UJ4C系列,750V额定电压,具有同类最佳的性能指标

    UnitedSiC推出新的第四代UJ4C系列SiC FET具有突破性的性能水平,旨在加速汽车和工业充电、电信整流器、数据中心PFC DC-DC转换以及可再生能源和储能应用中的功率性能提升。

    厂牌及品类    发布时间 : 2020-12-25

    UnitedSiC基于第四代先进技术推出市场上首批且唯一的750V SiC FET

    领先的碳化硅功率半导体制造商UnitedSiC(联合碳化硅)公司,现已基于其第四代SiC FET先进技术推出四款首批且唯一的750V SiC FET,这四款第四代器件基于领先的品质因数(FoM)实现了新的性能水平。

    厂牌及品类    发布时间 : 2020-12-03

    【产品】UnitedSiC发布第4代SiC FET UJ4C系列,750V额定电压,导通损耗最多降低75%

    UnitedSiC的新750V第4代SiC FET具备突破性的性能水平,功率开关性能表征达到了行业领先的水准,树立了新的RDS(on) x 面积、RDS(on) xCoss、tr和RDS(on) x Eoss基准。

    新产品    发布时间 : 2020-12-01

    UnitedSiC SiC FETs: Industry’s lowest RDS(on) devices

    型号- UF3SC65007K4S,UF3SC120016K4S,UF3SC,UF3SC120016K3S,UF3SC120009K4S,UF3SC065007K4S

    商品及供应商介绍  -  UNITEDSIC 英文 下载

    UnitedSiC低导通电阻SiC FET荣获“第十八届TOP10电源产品奖”

    UnitedSiC低RDS(on) SiC FET--UF3SC065007K4S和UF3SC120009K4S,荣获“第十八届TOP10电源产品奖”。

    行业资讯    发布时间 : 2020-11-13

    UnitedSiC的碳化硅场效应晶体管可以应用在新能源汽车的电机控制器吧?

    您好,UnitedSiC的碳化硅场效应晶体管可以应用在新能源汽车的电机控制器,具体球神直播间资料链接如下:【球神直播间】UnitedSiC SiC FET/SiC JFET/SiC肖特基二极管球神直播间指南

    发布时间 : 2020-02-28

    【产品】UnitedSiC推出新型结势垒肖特基二极管,具有业界最佳的浪涌电流性能

    碳化硅(SiC)功率半导体的领先制造商UnitedSiC宣布推出四款新型结势垒肖特基二极管(JBS Diode),进一步补充了其FET和JFET晶体管产品系列,具有业界最佳的浪涌电流性能。

    新产品    发布时间 : 2020-11-07

    Unitedsic Expands Schottky Diode Portfolio To Set New Benchmark in SiC Surge Current Robustness

    UnitedSiC has announced four new Junction Barrier Schottky (JBS) diodes to complement its FET and JFET transistor products. With the industry’s best surge current performance, the UJ3D 1200V and 1700V devices are part of the company’s 3rd generation of SiC Merged-PiN-Schottky (MPS) diodes.

    行业资讯    发布时间 : 2020-11-04

    【应用】UnitedSiC SiC FET助力Wallbox公司降低双向DC充电器损耗

    UnitedSiC生产的SiC FET具有行业中最低的导通电阻RDS(on)。通过使用UnitedSiC的SiC FET,Wallbox能够有效降低Quasar双向EV充电器的损耗,并提高效率和可靠性。

    应用方案    发布时间 : 2020-10-23

    解决ADAS、车联网等汽车智能互联化应用问题,瑞萨、迈来芯、UnitedSiC在世强硬创新产品在线研讨会带来新答案

    9月25日下午,世强举办了今年第5场世强硬创新产品在线研讨会--汽车电子&无人驾驶及新能源汽车与新材料专场,这也是疫情下汽车电子领域第一场超大规模多厂牌联合新品在线发布会。

    行业资讯    发布时间 : 2020-10-09

    【应用】UnitedSiC的SiC FET解决方案增加了DSP-Wx电源系列的输出功率,范围和密度

    自动化测试和测量系统轻松实施高速控制系统。 优势 •附加功能 •由于栅极驱动器兼容性,易于使用 •提高效率和功率输出 •增强的热性能

    应用方案    发布时间 : 2020-09-14

    【应用】适合中压应用的UnitedSiC高效宽带隙功率解决方案

    UnitedSiC已经证明了SiC FET有助于开关更接近理想开关,现在借助“超共源共栅”,在数十千伏的额定值下,其优势也可以发挥出来。超共源共栅器件构建自现成标准晶粒的串联连接与支持性的无源组件,所有部分均集成到行业标准封装或定制封装中。它是现有和下一代应用中高压开关的高性能低风险解决方案。

    应用方案    发布时间 : 2020-08-22

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • UJ3C120150K3S

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥32.0873 现货:55

  • UJ3D1220KSD

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥45.8390 现货:54

  • UF3SC120016K3S

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥214.6178 现货:54

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【技术】UnitedSiC第三代SiC器件提供行业最低的导通电阻,全面胜过Si性能

    第三代SiC器件赋予了很多应用值得称道的创新,这意味着它们将在未来几年内提供非凡的性能。在五年内,SiC器件发展到了能以极低的导通电阻提供可观的能力和效率的地步。UnitedSiC第三代超快的常关型共源共栅SiC-FET可以与IGBT和i-MOSFET相媲美,但是具备更快的速度和更低的静态损耗与动态损耗。

    新技术    发布时间 : 2020-08-12

    【应用】UnitedSiC FET用于三相双向EV充电器,能够减少组件数量,总效率从接近95%提高到96%

    使用UnitedSiC 1200V,低RDS(on)SiC FETs,PRE能够减少组件数量,并将总效率从接近95%提高到96%,而无需增加成本。 总体而言,UnitedSiC的性能优于其现有的基于Si和SiC MOSFET的设计。由于这种双向转换器通常以较低的功率运行,因此较低的开关损耗和较低的功率水平下的高效率是UnitedSiC FET的另一优势。

    应用方案    发布时间 : 2020-06-14

    【应用】SIGNET EV快速充电站使用UnitedSiC的SiC FET实现更高的效率,抗噪性和耐用性

    SIGNET EV在其最新的快速充电站系列产品中将UnitedSiC推出的SiC FET和肖特基二极管结合应用,表现出出色的效率和抗扰性。通过使用UnitedSiC FET和二极管,快速充电站设计更加简易,可实现更高的效率,更高的抗噪性和耐用性。

    应用方案    发布时间 : 2020-06-13

    应用笔记或设计指南  -  UNITEDSIC  - July 2019 英文 下载

    兼容Si驱动直接替代Si IGBT、SiC MOSFET,UnitedSiC拥有业界最广泛的SiC分立晶体管产品

    作为全球唯一一家拥有同时兼容SiC和Si驱动的SiC FET制造商,UnitedSiC拥有7-400mOhm的业界最广泛SiC分立晶体管产品及独特的堆叠式共源共栅(cascode)技术,其新款SiC FET,拥有“直接替代”Si IGBT、SiC MOSFET的功能。

    公司动态    发布时间 : 2020-03-28

    【经验】UnitedSiC THT(弯曲通孔技术)封装的优势和导线弯曲准则

    当受散热片方向、板和系统空间等限制时,板组装人员经常需要弯曲通孔技术(THT)设备的引线。虽然封装可以形成不同的板安装配置,但必须注意避免损坏,如电镀剥落、包装破裂,分层。本文中,UnitedSiC介绍了包含可靠引线弯曲的选项和操作方式。

    设计经验    发布时间 : 2020-03-19

    UnitedSiC 公司及产品介绍

    描述- UnitedSiC Company & Product Introduction

    型号- UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,IPW65R045C7,TK39A60W,UF3SC065030D8S,UF3C065040B3,IPZ65R065C7,UF3N090350,UJ3D06520,STB43N65M5,UJ3C065080B3,UF3C SERIES,TK04

    商品及供应商介绍  -  UNITEDSIC  - 2019年 英文 下载

    成功案例  -  UNITEDSIC  - May2021 英文 下载

    【产品】UnitedSiC新推出超低RDS(on)的SiC FET UF3SC065030/40D8,DFN 8×8封装

    UnitedSiC宣布推出采用流行的扁平型DFN 8x8表面贴装封装、同时具有业界最低RDS(on)的SiC FET器件UF3SC065030D8和UF3SC065040D8,这些650V SiC FET能够取代已有的标准硅器件,使工程师可以采用比分立设计方法具有更高效率和更高功率密度的解决方案来构建开关电路。

    新产品    发布时间 : 2020-02-11

    【经验】UnitedSiC SiC共源共栅器件的工作原理介绍

    随着SiC器件应用的崛起,越来越多的行业开始尝试用SIC器件来开发相关的产品,由于应用初期成本较高,短时间内无法大批量应用。UnitedSiC的SiC共源共栅器件可以提供从过去的硅到未来的碳化硅的桥梁,这是某些系统供应商所需要的。将低压硅MOSFET与SiC JFET联合封装以完成繁重的工作,可以实现可用的嵌入式升级,从而最大程度地降低了获得碳化硅效率,坚固性和功率密度优势所需的投入。

    设计经验    发布时间 : 2020-02-06

    【应用】UnitedSiC的共源共栅器件助力英国深海电子的开关电源产品设计,提高PSU效率至96%

    英国公司深海电子在开发新的开关电源产品时与UnitedSiC一起评估其碳化硅(SiC)共源共栅器件,发现了许多应用有点,如能够在高频下切换而不会造成与MOSFET相关的损耗;输出电容远低于所评估的MOSFET的电容;导通电阻为34mΩ至45mΩ、RDS(on)的温度系数也更好;在具体测试中PSU的效率也提高到96%。一系列的优点最终让深海电子决定采用SiC共源共栅器件投入设计。

    应用方案    发布时间 : 2020-01-05

    UnitedSiC公司简介及产品介绍

    描述- UnitedSiC Company Overview 2019

    商品及供应商介绍  -  UNITEDSIC  - 2019年 英文 下载

    【应用】低功耗、高温特性优良的SiC FET UF3C065040T3S助力服务器电源,极大提高电源效率

    UnitedSiC(联合碳化硅)的SiC FET UF3C065040T3S具有极低功耗、高温特性优良等特点,拥有优良的反向恢复能力,且具有低寄生电容,可以最大程度地减少高频衰减震荡,抑制反向恢复噪声,降低器件自身损耗,用于服务器电源中可以有效提高电源效率。

    应用方案    发布时间 : 2019-12-21

    UnitedSiC发布首批RDS(on)低于10mΩ的碳化硅FET,具有更高效率和更低损耗

    2019年12月9日,美国新泽西州普林斯顿 -- 新型功率半导体企业美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)宣布将推出四种新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,适用于电动汽车(EV)逆变器、高功率DC/DC转换器、大电流电池充电器和固态断路器等高功率应用。

    新产品    发布时间 : 2019-12-12

    【技术】UnitedSiC为其二极管和SiC FET使用全新技术,推动电源性能和效率达到全新水平

    SiC器件和封装技术的持续快速发展,推动了在许多快速增长的最终市场应用中的市场接受度,这将推动WBG新产品的开发朝着许多不同的方向发展,从用于DC-DC转换的超高速开关设备,EV车载充电器和服务器电源,到用于EV逆变器的超低传导损耗模块。UnitedSiC作为碳化硅行业领先者,正不断开发着全新技术用于SiC FET等产品,积极推动这一进程,促使电源性能和效率达到全新水平。

    新技术    发布时间 : 2019-12-07

    【技术】UnitedSiC的共源共栅器件提供从硅技术到未来碳化硅技术的桥梁

    UnitedSiC的共源共栅器件可以提供从过去的硅到未来的碳化硅的桥梁,这是某些系统供应商所需要的。将低压硅MOSFET与SiC JFET联合封装以完成繁重的工作,可以实现可用的嵌入式升级,从而最大程度地降低了获得碳化硅效率,坚固性和功率密度优势所需的投入。

    新技术    发布时间 : 2019-12-05

    UnitedSiC宣布与ADI达成战略投资和长期供应协议

    ​2019年3月18日,新泽西州普林斯顿市和马萨诸塞州诺伍德市:碳化硅(SiC)功率半导体制造商美商联合碳化硅股份有限公司(UnitedSiC)今天宣布与亚德诺半导体股份有限公司(ADI)达成战略投资和长期供应协议。

    行业资讯    发布时间 : 2019-12-03

    【产品】基于UnitedSiC专有共源共栅配置的1200V高性能碳化硅MOS管UF3C系列

    碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列1200 V高性能碳化硅FET,与现有的UJC3系列相比,FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。该新系列基于UnitedSiC的专有共源共栅配置,提供了更高的开关速度。

    新产品    发布时间 : 2019-12-02

    测试报告  -  UNITEDSIC  - January 2020 英文 下载

    UnitedSiC碳化硅产品的EMI会大一些吗?

    EMI的参数主要看开关频率,如果您用SIC的产品,但是开关频率跟之前的硅产品设计一样,EMI差别应该不是太大,但是SIC主要是工艺决定了一些产品的特性要好于Si产品,二极管的反向恢复特性好于Si,IGBT的效率,温升都要好,所以要看具体的设计需求,需要注意EMI的设计。

    发布时间 : 2020-04-01

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • UJ3N120035K3S

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥110.0134 现货:50

  • UJ3D06530TS

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥41.2551 现货:50

  • UJ3D1202TS

    厂牌:UnitedSiC

    价格:¥6.4175 现货:50

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【技术】UnitedSiC采用垂直沟道架构使SiC JFET的Cds可忽略不计从而进一步提高其性能

    UnitedSiC正采用极具前景的技术来降低SiC JFETs电容应对JFET在一些情况下会被损坏的挑战。其垂直通道结构使Cds变得可以忽略不计。利用这种技术,SiC共源共栅可以更接近理想开关的性能。通过堆叠MOSFET和JFET芯片的创新,UnitedSiC可以进一步提高SiC共源共栅的性能。

    新技术    发布时间 : 2019-11-25

    Twente太阳能团队选择UnitedSiC碳化硅FET器件设计太阳能汽车

    来自Twente大学和Saxion Hogeschool的荷兰太阳能汽车团队已从SiC功率半导体制造商UnitedSiC选择了碳化硅(SiC)器件,以参与10月的一次重大太阳能赛车竞赛。UnitedSiC向Solar Team Twente提供了其FAST系列SiC FET的产品样品。

    行业资讯    发布时间 : 2019-11-21

    SiC FET应对世界太阳能车竞赛,UnitedSiC入驻世强元件电商

    UnitedSiC的SiC FET、SiC JFET、SiC Schottky Diode等功率器件上线世强元件电商。

    公司动态    发布时间 : 2019-11-21

    UnitedSiC推出UF3C FAST系列650V和1200V高性能碳化硅FET,采用标准TO-247- 3

    2018年11月5日,碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布推出其UF3C FAST系列650 V和1200 V高性能碳化硅FET,采用标准TO-247- 3L包装。与现有的UJC3系列相比,FAST系列提供了更高的开关速度和更高的效率水平。

    行业资讯    发布时间 : 2019-11-17

    UnitedSiC拓展UF3C FAST系列产品,新增TO-247-4L 4引脚开尔文(Kelvin)封装器件

    2018年12月3日,碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC通过在TO-247-4L 4针 开尔文连接封装选项中,引入更多范围的650 V和1200 V高性能碳化硅FET,来扩展了其UF3C FAST系列产品。 基于高效的共源共栅配置,该新系列以能够实现高功耗的封装为设计人员提供了非常快速的开关,高功率器件。

    行业资讯    发布时间 : 2019-11-16

    【产品】UnitedSiC第三代1200V和650V SiC JFET,适用于快速开关动作,固态断路器和电路保护

    2018年10月18日, 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布了其第三代1200 V和650 V碳化硅JFET,扩展了其现有的独立的常开SiC JFET的独特组合。该器件常开,零电压栅极驱动,使其特别适用于诸如快速开关动作,固态断路器和电路保护之类的应用,这些应用通常需要在没有栅极功率的情况下默认为导通状态。

    新产品    发布时间 : 2019-11-16

    UnitedSiC 碳化硅场效应管用户手册

    描述- UnitedSiC SiC FET User Guide

    型号- UJ3C065080T3S,UF3C065040T3S,UF3C120080K3S,UJ3C065030K3S,C1808C681JGGAC7800,UF3C065040B3,UF3C065080B3,CRCW201010R0JNEFHP,UJ3C065080B3,UF3SC065030D8,UJ3

    用户指南  -  UNITEDSIC  - Version 3.0  - 2018年12月 英文 下载

    UnitedSiC宣布推出用于低功率 AC-DC反激式转换器的SiC JFET系列

    2019年3月19日,碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC宣布已经推出一系列适用于与具备内置低压MOSFET的控制器IC共同封装的SiC JFET晶片,由此可制造出速度极快,基于共源共栅的20~100W反激式产品。这些常导通型SiC JFET的工作电压范围为650~1700V,可帮助实现简化的启动方案,具有零待机功耗,是大型反激式AC-DC应用市场的理想选择。

    新产品    发布时间 : 2019-11-16

    UnitedSiC UF3SC系列SiC场效应晶体管产品介绍

    描述- UnitedSiC新推出UF3SC系列——业界最低Rds(on)的SiC FET产品介绍

    型号- UF3SC65007K4S,UF3SC,UF3SC120016K4S,UF3SC120002SNS,UF3SC120016K3S,UF3SC075007K4S,UF3SC120009K4S,UF3SC065007K4S

    商品及供应商介绍  -  UNITEDSIC  - 2019年12月9日 英文 下载

    UnitedSiC SiC器件应用优势介绍

    描述- Application Trends in SiC and SiC Device Benefits

    型号- UF3C120040K4S

    技术文档  -  UNITEDSIC 英文 下载

    技术文档  -  UNITEDSIC  - Mar.30 ,1993 英文 下载

    UnitedSiC在UF3C FAST产品系列中新增两个 TO220-3L封装的650V SiC FET

    2019年7月24日,UnitedSiC宣布,在650V SiC FET 硬开关UF3C FAST产品系列中新增两种TO220-3L封装选项。新产品的RDS(on)值分别为30mΩ(UF3C065030T3S)和80mΩ(UF3C065080T3S)。

    新产品    发布时间 : 2019-11-16

    成功案例  -  UNITEDSIC  - March 2020 英文 下载

    测试报告  -  UNITEDSIC  - August 08th, 2020 英文 下载

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