Innoscience

相关结果约141

英诺赛科(Innoscience)创办于2015年12月,是第三代半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。英诺赛科(Innoscience)主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率与射频器件的研发与产业化,并已于2017年底建成了我国首条8英寸硅基氮化镓功率器件的量产线。   查看更多

INNOSCIENCE产品球神直播间帮助

请提交您的研发和球神直播间或参数需求,上千位世强和原厂的应用和技术专家将为您选择最合适的器件,材料,模块等,以协助您快速完成设计,达成功能最优,价格最优,供应最优,实现最优的元器件及方案选择。技术专家会在48小时内响应。

球神直播间帮助  -  INNOSCIENCE

【球神直播间】英诺赛科(Innoscience)E-Mode GaN FET球神直播间指南

描述- 英诺赛科(Innoscience)单管GaN FET:最小尺寸1x1mm,WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装,配合驱动IC使用

型号- INN60W01,INN100E01,INN650D01,INN650D02,INN40E01,INN40W01,INN40W03,INN100W03,INN40W02,INN100W01,INN100W02

球神直播间指南  -  英诺赛科  - Rev.2.0  - 2019年8月 英文 下载

英诺赛科(Innoscience)INN650D01—650V 增强型氮化镓场效应晶体管 数据手册

描述- INN650D01—650V E-Mode GaN FET Development Datasheet

型号- INN650D01

数据手册  -  英诺赛科  - Version 1.0 英文 下载

宁德时代创始人投资英诺赛科,有望进一步推广氮化镓芯片在新能源领域的广泛应用

CATL宁德时代创始人曾毓群已投资英诺赛科,持股2.1236%。宁德时代和英诺赛科加强合作,有望进一步推广氮化镓芯片在新能源领域的广泛应用。除了新能源汽车,还可以推广到快充、光伏、风能等产业上。

厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-12

碳化硅二极管成为大功率电源产品核心竞争力,致力提高电动汽车、逆变器等效率和可靠性

碳化硅材料作为第三代半导体,目前已有多家厂商投产,在诸多场合取代传统快恢复二极管,提高了电动汽车、逆变器、轨道交通、太阳能和风力发电上的效率和可靠性。如今引入大功率氮化镓适配器中,为大功率、高密度PD快充的普及更增添一份力量。

厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-02

英诺赛科(Innoscience)官方授权代理证明/分销协议/授权书

描述- 世强是英诺赛科(Innoscience)官方授权一级代理商,代理英诺赛科(Innoscience)旗下硅基氮化镓功率与射频器件等产品,库存丰富,正品保证。用户可以查询获取来自英诺赛科(Innoscience)的最新产品和技术资讯、官方资料库,以低于行业的价格,购买英诺赛科(Innoscience)最新产品,享受供货保障。

代理证明  -  英诺赛科  - 2018年11月6日 中文 下载

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • INN100W08

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥3.7500 现货:19,365

  • INN650D02

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥15.4200 现货:6,229

  • INN650D260A

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥11.9400 现货:2,468

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【应用】英诺赛科氮化镓功率芯片助力30-33W迷你快充市场,较传统快充方案功率密度提高一倍

    在氮化镓技术的加持下,双USB-C口的充电器能够在更小巧的体积中,实现更高的效率和更大的功率。借助自身在30-33W迷你氮化镓快充市场的技术积累,英诺赛科可以持续发力35W-50W双USB-C口快充产品市场,将为用户带来更多经典快充产品。

    应用方案    发布时间 : 2021-12-28

    英诺赛科(Innoscience)公司及产品介绍

    描述- 英诺赛科科技有限公司(Innoscience)是2015年12月由海归团队发起,并集合了数十名国内外精英联合创办的氮化镓半导体研发与生产的高科技企业。公司的主要产品包括30V-650V氮化镓功率器件以及射频器件。

    商品及供应商介绍  -  英诺赛科 中文 下载

    商品及供应商介绍  -  英诺赛科 中文 下载

    产品变更通知及停产信息  -  英诺赛科  - 1.0  - 2021/07/22 英文 下载

    用户指南  -  英诺赛科  - V1.0  - 2019.1.10 中文 下载

    用户指南  -  英诺赛科  - V1.0  - 2019.1.9 中文 下载

    采用自研低压InnoGaN器件,英诺赛科推出20W氮化镓PD快充参考设计,开关频率提高至500KHz以上

    英诺赛科近期推出了一款20W氮化镓的PD快充参考方案,这也是目前所见到的最小功率的氮化镓方案。这款参考方案比较独特,通常都是在初级侧使用氮化镓器件,而这款20W氮化镓参考设计在次级同步整流使用了英诺赛科自主开发的低压InnoGaN器件INN100L12。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-25

    商品及供应商介绍  -  英诺赛科  - July, 2020 中文 下载

    培训文档-商品应用及供应商介绍  -  英诺赛科 中文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Version 1.0  - Nov, 2018 英文 下载

    【应用】英诺赛科InnoGaN功率器件助力APE开发68W双C口氮化镓快充,超薄机身仅17mm

    为了应对市场对充电器功率密度的要求不断提升,知名快充电源厂商APE联合氮化镓原厂英诺赛科开发一款全新超薄的氮化镓快充充电器。新品充电器在具备68W输出功率以及双USB-C接口的前提下,产品厚度仅17mm,得益于英诺赛科InnoGaN功率器件的使用。

    应用方案    发布时间 : 2021-12-24

    数据手册  -  英诺赛科  - Version 1.0  - Nov, 2018 英文 下载

    Innoscience INN650D02 60W PD Power-QR

    型号- MSB40M,HUSB339,INN650D01,INN650D02,MMBTA42,1N4148WS-7-F,1N5819,EL1018,HGN070N12SL,BAS516

    电路原理图  -  英诺赛科  - RV.1  - 2019-5-20 英文 下载

    【应用】英诺赛科联合恩智浦推出150W大功率氮化镓电源方案,打造大功率性能标杆

    英诺赛科联合恩智浦开发了一款150W氮化镓电源方案,这款电源使用全套恩智浦的控制器,PFC和LLC开关管使用英诺赛科的氮化镓功率器件,输出电压为21.5V,可用于笔记本电脑供电或者独立降压的多口USB PD快充应用,功率密度达到1.9W/cm³,具有95%以上的高效率。

    应用方案    发布时间 : 2021-11-22

    数据手册  -  英诺赛科  - Version 1.0  - Nov, 2018 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Version 1.0  - Nov, 2018 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Nov, 2018  - Version 1.0 英文 下载

    【经验】GaN驱动电压负压为何被箝位?

    随着第三代半导体的兴起,GaN已经在各行各业开始普及,但GaN的驱动电压范围偏窄,尤其是负压驱动。本文将结合英诺赛科的GaN增强模式功率晶体管INN650D150A,讨论下GaN驱动电压负压为何被箝位?

    设计经验    发布时间 : 2021-09-29

    英诺赛科(Innoscience)INN650D02—650V GaN增强型功率晶体管数据手册

    描述- INN650D02 650V GaN Enhancement-mode Power Transistor Datasheet

    型号- INN650D02

    数据手册  -  英诺赛科  - Rev.1.0  - 2020年03月10日 英文 下载

    Innoscience INN650D02 60W PD Reference Design with InnoGaN™

    型号- HUSB339,PX471M025E150P,1N4148W,DMP3007SCG-7,HGN070N12SL,MM5Z6V2ST1G,NCP4306DAD,1N4148WS,NCP1342AMDCDAD1R2G,MSB40M,NCP1342,MMBTA42,KM300V400G220A00H,NC

    应用笔记或设计指南  -  英诺赛科  - Rev.1.6  - October, 2019 英文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • INN650DA04

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥14.0000 现货:2,455

  • INN650D150A

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥18.6000 现货:2,445

  • INN650DA260A

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥11.0400 现货:2,405

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    氮化镓产业向上生长,英诺赛科65W到240W全系列All-GaN解决方案进一步提高功率密度和效率

    随着电池容量增加以及快充用户体验的提升,高功率充电器发展迅猛,英诺赛科推出了从65W到240W全系列的All-GaN解决方案,进一步提高了功率密度和效率。面向未来,All GaN方案在消费类、数据中心、电动汽车三大领域都将有广泛的应用机会。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-28

    代理证明  -  英诺赛科  - 2021年11月05日 中文 下载

    产品变更通知及停产信息  -  英诺赛科  - 1.0  - 2021/07/22 英文 下载

    【应用】英诺赛科氮化镓3C2A多口快充参考设计,200W大功率,双口快充解决降速问题

    多口PD快充具有多个输出口,可以同时为手机和笔记本充电,很受市场欢迎。 针对100W快充降速的问题,英诺赛科推出了高功率密度的200W氮化镓3C2A多口快充参考设计,支持功率盲插,双C口输出时,都可以以100W满功率输出,不会影响快充体验。

    应用方案    发布时间 : 2021-09-17

    【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D02助力1/4砖DC-DC电源模块设计,峰值效率高达95%以上

    一般传统方案采用的是Si基器件来做半桥LLC前级和后级的开关管,由于器件的自身材料限制使得产品的整机效率只能到93-94%,而采用第三代半导体器件如GaN可使整机效率高达95%以上,本文重点介绍国产英诺赛科氮化镓场效应晶体管INN650D02助力1/4电源砖模块设计,峰值效率高达95%以。

    应用方案    发布时间 : 2021-09-14

    【应用】GaN增强模式功率晶体管INN650D150A用于65瓦PD快充插头,导通电阻仅150毫欧

    本文讲述的英诺赛科(Innoscience)主要致力于第三代半导体硅基氮化镓功率器件的研发与产业化, 其最近推出的GaN产品INN650D150A,导通电阻Rds最大仅有150毫欧,其低阻抗小体积的特点能够完美契合PD快充的设计需求,并且有效提高功率密度及效率。

    应用方案    发布时间 : 2021-08-24

    产品变更通知及停产信息  -  CENTRAL SEMICONDUCTOR  - May 15, 2020 英文 下载

    商品及供应商介绍  -  英诺赛科  - 2019年1月 中文 下载

    Innoscience Built The First World-class 8-inch Wafer FAB with Gold-free and CMOS Compatible Process

    Innoscience has a world-leading 8-inch GaN-on-Si industrialization platform, which provides proven capabilities of GaN epitaxial growth, gold-free and CMOS compatible process, as well as reliability testing and failure analysis.

    新产品    发布时间 : 2021-06-29

    【应用】一文看懂英诺赛科33W超迷你氮化镓快充

    迷你快充的功率已从20W提升到了33W,如何在20W的体积内升级到33W,成为了新的难题。英诺赛科推出的氮化镓器件INN650DA04,通过多方位的优化,成功实现了超迷你的33W氮化镓快充设计。

    应用方案    发布时间 : 2021-05-21

    封装库文件  -  英诺赛科 中文 下载

    【应用】杰华特联合英诺赛科推出升级版120W氮化镓快充方案,体积同65W快充,最高效率94.3%

    近日杰华特与英诺赛科联合推出升级版120W快充方案,基于杰华特ACF控制器JW1550和英诺赛科氮化镓场效应晶体管产品INN650D01+INN650D02A,在高功率快充方案上全面升级,打造120W快充高端标配。

    应用方案    发布时间 : 2021-05-14

    全球领先氮化镓IDM企业英诺赛科发力33W GaN快充,大幅降低系统与生产成本

    相比20W快充,30W快充在小型化、温度、安规等方面的挑战更大。针对这一行业痛点,英诺赛科开始发力,InnoGaN在实现高效率和小尺寸方面明显优于传统硅MOS方案,价格也具有极大优势,供货也稳定,搭配简洁的设计和布局,轻松实现33W迷你氮化镓快充的开发。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-04-14

    碳化硅写入十四五规划,大功率快充电源市场成为第三代半导体突破口

    今年三月,第三代半导体被列入十四五规划,适合第三代半导体发展的环境逐步形成。目前市场上可用于大功率USB PD快充电源领域的碳化硅有五家供应商,其中泰科天润、美浦森和森国科均已有量产项目;氮化镓方面,英诺赛科的氮化镓开关管也多次导入行业热门项目。

    行业资讯    发布时间 : 2021-04-14

    【产品】650V增强型氮化镓功率晶体管INN650DA01,覆盖100-300W的AC-DC电源应用

    英诺赛科(Innoscience)推出的INN650DA01是650V增强型氮化镓功率晶体管,也是第二代的新产品,采用DFN 5×6封装,漏源导通电阻最大值仅130mΩ,可以覆盖100-300W的AC-DC电源应用。

    新产品    发布时间 : 2021-03-16

    【产品】650V增强型氮化镓功率晶体管INN650DA04,Tj=25℃时漏源导通电阻最大400mΩ

    英诺赛科新推出的INN650DA04是采用DFN 5×6封装的650V增强型氮化镓功率晶体管,漏源导通电阻最大值为400mΩ(Tj=25℃时),具有零反向恢复电荷的特点,适合做30-45W的充电器。

    新产品    发布时间 : 2021-03-11

    【产品】英诺赛科新推650V增强型氮化镓功率晶体管INN650DA02,采用DFN 5X6封装

    英诺赛科(Innoscience)推出的INN650DA02是650V增强型氮化镓功率晶体管,是英诺赛科第二代的200mohm新产品,采用比前一代DFN 8x8更小的DFN 5X6封装,在减小占板面积的同时能保持高效率并降低成本。

    新产品    发布时间 : 2021-03-10

    【应用】国产100V GaN FET用于激光雷达,脉冲电流高达110A,有效实现光探测与测距

    本文推荐介绍国产英诺赛科的GaN FET INN100W12,非常适用于激光雷达,能够有效实现光探测与测距。Vds耐压为100V,适用48V系统,栅极电荷Qg仅为5.2nC,同时脉冲电流能力达到110A,采用WLCSP 3×5封装,尺寸仅为2.5mm×1.5mm。

    应用方案    发布时间 : 2021-01-06

    【视频】高性能国产GaN FET助力汽车电子系统高功率密度设计|世强硬创新产品在线研讨会

    在世强硬创新产品在线研讨会——国产汽车电子专场中,英诺赛科技术专家为我们做了演讲。为有效提升电动车整体功率并减少车体重量,采用新一代功率半导体可说是势在必行,氮化镓便应运而生;透过氮化镓IC,未来的电动汽车将更快、更小、具更佳的性能,同时实现更低的能源损耗。对电动汽车尤为重要的是,可降低整个系统规模、重量和成本。

    新产品    发布时间 : 2020-12-23

    【视频】高性能国产650V氮化镓(GaN)引领PD快充革命

    在IoT智能硬件和传感器专场世强在线研讨会中,英诺赛科技术专家为我们做了演讲。随着智能手机发展,充电器功率越来远大,英诺赛科推出650V氮化镓(GaN)产品,引领PD快充革命。

    新产品    发布时间 : 2020-10-30

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • INN100W01

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥7.1190 现货:964

  • INN40W01

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥7.1190 现货:772

  • INN40W02

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥4.7460 现货:517

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【产品】100V/6mΩ增强型氮化镓场效应管INN100W12,WLCSP 3×5封装

    英诺赛科(Innoscience)推出的INN100W12是一款100V增强型氮化镓场效应管,采用WLCSP 3×5封装,尺寸为2.5mm×1.5mm。漏极-源极导通电阻典型值仅6mΩ,具有超高的开关频率和零反向恢复损耗。

    新产品    发布时间 : 2020-10-23

    【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D01实现95.4%效率的小型化100W单C快充设计

    INN650D01是英诺赛科650V/130mΩ/16.5A的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。采用该氮化镓场效应晶体管搭配电源IC,相对于普通的电源IC搭配Si MOSFET技术,当频率翻倍至120Khz的情况下可实现高效95.4%的体积减小一半以上的100W单C快充设计。

    应用方案    发布时间 : 2020-09-25

    【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D02实现高效率小型化的65W A+C快充设计

    65W的A+C快充设计中快充主要用于反激拓扑电路,控制主回路的开关实现变压器的能量转换。INN650D02是英诺赛科的650V/200mΩ/11A的氮化镓场效应晶体管,采用该氮化镓场效应晶体管在频率120Khz的情况下可实现高效92.3%的小型化65W A+C快充设计。

    应用方案    发布时间 : 2020-09-02

    【产品】100V E型GaN场效应管 INN100W14,具有超高开关频率

    英诺赛科新推出的E型GaN场效应管 INN100W14,具有超高开关频率,零反向恢复损耗,双通道,共源等特点,漏源电压(连续)为100 V,连续电流为7A,工作温度和储存温度为-40 至 150 ˚C,可应用于转换器,激光雷达应用,D类音频,脉冲电源应用等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-08-10

    【产品】100V E型GaN场效应管 INN100W08,具有超高开关频率,超低RDS(ON)

    英诺赛科新推出的 E型GaN场效应管INN100W08,具有超高开关频率,超低RDS(ON),快速可控的下降和上升时间,零反向恢复损耗等特点,漏源电压(连续)为100 V,工作温度为-40 to 150 ˚C,可应用于高效电源转换,高密度功率转换,电机驱动,工业自动化,DC-DC转换器等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-08-09

    【应用】国产氮化镓INN100W08助力激光雷达发射端ns级别脉冲设计

    英诺赛科推出的氮化镓增强型场效应晶体管INN100W08为国产器件,整个晶圆设计和生产都是在国内,产品供应快,超低的Qg,可以实现激光二极管的tw时间在2~5个纳秒级别应用,助力激光雷达发射端ns级别脉冲设计。

    应用方案    发布时间 : 2020-08-01

    PCNA2104:Alternate lead framesupplierfor DFN 8x8 module products

    型号- INN650D01,INN650D02,INN650D260A,INN650D150A

    产品变更通知及停产信息  -  英诺赛科  - 1.0  - 2021/08/04 英文 下载

    【应用】基于氮化镓功率管(GaN FET)INN650D02的60W PD快充方案

    随着电子市场对电源效率、功率密度和模块化的要求日益增长,硅基功率晶体管作为PD快充方案已经不能满足市场需求。本文介绍一款基于英诺赛科(Innoscience)氮化镓功率管(GaN FET)INN650D02的60W PD (Type-C) 快充方案,可使PD快充产品更高频、高效。

    应用方案    发布时间 : 2020-07-01

    PCNA2106:Alternate lead frame suppliers for DFN 5x6 module products

    型号- INN650DA04,INN650DA01,INN650DA02,INN650DA150A,INN650DA260A

    产品变更通知及停产信息  -  英诺赛科  - 1.0  - 2021/09/13 英文 下载

    【经验】GaN FET INN100W02的LiDAR Demo板1-2ns级驱动信号产生办法

    为了得到1-2ns级驱动信号,需要在GaN驱动IC前端做一些信号处理,本文主要介绍英诺赛科INN100W02的LiDAR Demo板1-2ns级驱动信号的形成方法。

    设计经验    发布时间 : 2020-06-29

    【应用】650V GaN FET INN650D01/INN650D02用于60WPD快充,功率密度是Si MOS的3倍

    传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件,其开关频率一般低于100kHz,相应的磁性元件体积较大,整机功率密度和效率较低。针对以上问题,本文介绍英诺赛科650V GaN产品INN650D01和INN650D02,可实现基于GaN FET高效率小体积的60WPD快充。GaN的快充效率要高2.2%左右,功率密度是Si MOS快充的3倍。

    应用方案    发布时间 : 2020-06-28

    【经验】英诺赛科65W PD快充驱动电路以及PCB layout设计指导

    英诺赛科65W PD快充产品中使用650V 130mΩ GaN FET作为主功率开关器件,由于开关频率较高,较快的开关速度势必会带来较高的dv/di,di/dt,需要我们从驱动电路以及PCB layout上做较多考量,本文就驱动电路以及PCB layout设计提出一些建议。

    设计经验    发布时间 : 2020-06-20

    【应用】导通阻抗200mΩ、DFN8x8封装的650V GaN FET INN650D02助力PD快充高效率设计

    PD快充是能高效快速充电的电源适配器,对充电效率有高要求;同时为方便携带,这就提出了小体积的要求;与传统的Si MOS相比体积更小的GaN FET作为主开关器件能够满足高效率小体积的PD快充产品设计,方案更具优势。英诺赛科的INN650D02就是一款基于硅基的增强型GaN FET,650V/11A,其低阻抗小体积的特点能够完美契合PD快充的设计需求。

    应用方案    发布时间 : 2020-04-28

    【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案

    基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选,传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件,其开关频率一般低于100kHz,相应的磁性元件体积较大,整机功率密度和效率较低。针对以上问题,本方案采用GaN FET作为主开关器件,并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件,实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。

    应用方案    发布时间 : 2020-04-10

    英诺赛科出席APEC2019,展示40V~650V的E-Mode GaN FET产品

    作为国内第三代半导体代表企业,英诺赛科出席了美国应用能源电子展APEC2019,在展会现场发布最新E-Mode GaN FET产品并现场进行应用展示,与观众分享来自中国基于8英寸线开发的氮化镓产品成果。

    行业资讯    发布时间 : 2020-03-25

    【应用】英诺赛科基于InnoGaN的AC-DC电源解决方案

    本文将介绍几款由英诺赛科已经开发完成和正在开发的AC-DC电源参考方案,其中重点介绍60W PD量产级方案。作为英诺赛科的首款量产级Demo,这款产品无论从PCB布局,还是性能硬指标,到工程师最关注的GaN充电器EMI、热等问题,以及BOM成本,均有很不错的参数表现。

    应用方案    发布时间 : 2020-03-13

    【经验】650V GaN FET INN650D02用于60W PD快充的性能参数分析

    近期英诺赛科推出的60W PD快充demo板,采用的QR反激+SSR同步整体结构,支持PD 3.0协议,主功率器件采用自己制造的650V GaN FET产品INN650D02,最大效率对于MOSFET有大概2%提升。产品尺寸31mm*31mm*60mm,功率密度达到18W/in3,无论产品效率还是EMI性能,完全满足PD产品对于外形尺寸以及效率性能的要求。

    设计经验    发布时间 : 2020-02-23

    PCNA2107: Alternate CP Test Site for HV devices

    型号- INN650D02,INN650DA04,INN650N04,INN650N05,INN650D260A,INN650D150A,INN650N260A,INN650DA260A,INN650DA150A

    产品变更通知及停产信息  -  英诺赛科  - Revision: 1.0  - 2021/11/13 英文 下载

    【经验】650V GaN FET INN650D02在PD快充上两种驱动方式的优劣势对比

    本文主要介绍英诺赛科的650V GaN FET INN650D02在PD快充上不同驱动形式的对比。两种驱动方式分别是:使用电阻电容分压电路或者使用驱动IC FAN3111E,电阻电容分压方式可靠性不高,如果设计产品对于品质要求较高不建议采用,而是推荐驱动IC方案,对于GaN高速驱动,驱动IC不论是驱动速度,驱动信号稳定性都有较大优势。

    设计经验    发布时间 : 2020-02-11

    测试报告  -  英诺赛科  - Revision 1.0  - Mar./05/2020 英文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • INN100W03

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥9.4920 现货:480

  • DBM001

    厂牌:英诺赛科

    价格: 现货:

  • INN100LA12

    厂牌:英诺赛科

    价格: 现货:

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【产品】漏极-源极电压最小值为40V的增强型氮化镓功率管INN40W03,具有零反向恢复损耗

    英诺赛科新推出的增强型氮化镓功率管INN40W03,漏极-源极电压最小值为40V,具有零反向恢复损耗。其相关性能指标非常优越。

    新产品    发布时间 : 2019-10-22

    【产品】超高开关频率、超低导通电阻的100V增强型氮化镓功率管INN100W02

    英诺赛科推出的增强型氮化镓功率管INN100W02,漏极-源极连续电压最大值为100V, 具有零反向恢复损耗、超高开关频率等特点。其相关性能指标非常优越。

    新产品    发布时间 : 2019-10-11

    【产品】英诺赛科新推出超高开关频率、超低导通电阻的增强型氮化镓功率管INN100W03

    英诺赛科2019年新推出的100V增强型氮化镓场效应管——INN100W03, 具有零反向恢复损耗、超高开关频率等特点。其相关性能指标非常优越。

    新产品    发布时间 : 2019-10-10

    【应用】利用650V GaN FET INN650D01和INN650D02实现65W快充设计

    英诺赛科65W的快充产品是采用两款650V的氮化镓产品技术INN650D01和INN650D02实现的。当设计65W的快充时,频率开高的情况下,产品的功率密度越高且产品效率也更高。

    应用方案    发布时间 : 2019-09-28

    【技术】相较于Si MOSFET,GaN FET可实现更高的频率开关特性以及更高效率特性

    氮化镓主要是氮和镓的化合物。目前英诺赛科的氮化镓主要是采用si做衬底,氮化镓主要是通过GaN和AlGaN之间以及它们之间的二维电子气形成DGS三极之间的开关特性。当Si MOSFET器件被开发到极致时,GaN技术相对于Si MOSFET,能实现更高的功率密度和更高效率特性的场效应晶体管技术。

    新技术    发布时间 : 2019-09-27

    【应用】650V增强型GaN场效应晶体管在45W快充有源钳位反激电路ACF的应用

    当设计45W的快充时,为了实现小体积高功率密度,目前越来越多的方案采用GaN做高频开关。英诺赛科(Innoscience)的650V的GaN,型号 INN650D02,单机采用2PCS便可轻易实现该设计。【世强硬创沙龙2019】

    应用方案    发布时间 : 2019-08-31

    【产品】漏极-源极电压最小值为650V的增强型氮化镓场效应管INN650D01,具有零反向恢复损耗

    英诺赛科(Innoscience)推出650V增强型氮化镓场效应管——INN650D01,具有超高的开关频率、超低的导通电阻、快速且可控的下降和上升时间、零反向恢复损耗。可用于AC-DC转换器、图腾柱PFC、快速充电器、高密度功率转换和高效率功率转换。

    新产品    发布时间 : 2019-08-30

    【产品】650V增强型氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02,助力快充高效高功率密度设计

    目前英诺赛科(Innoscience)的650V GaN产品包括增强型氮化镓场效应晶体管INN650D01和INN650D02,主要是应用于快充等市场,实现高效高功率密度设计。【世强硬创沙龙2019】

    新产品    发布时间 : 2019-08-30

    【经验】650V增强型GaN场效应晶体管在快充应用上如何优化EMC设计

    英诺赛科(Innoscience)650V的GAN产品,主要是应用于快充等市场,采用ACF拓扑设计(图1),开关频率高达(100KHZ~500KHZ),实现高效高功率密度设计。因频率越高,产品的EMC特性相对就越差。可通过本文介绍方式对EMC进行优化。

    设计经验    发布时间 : 2019-08-30

    PCNA2101:Alternate Assembly Sitefor HV device in DFN modules(This is an update to PCNA2101)

    型号- INN650D01,INN650D02,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA01,INN650DA02,INN650DA260A,INN650DA150A

    产品变更通知及停产信息  -  英诺赛科  - 2.0  - 2021/09/13 英文 下载

    国产第三代半导体硅基氮化镓(GaN)功率器件上线,带来小体积、低成本PD快充方案

    世强元件电商平台上线硅基氮化镓功率器件、射频器件等产品,可以提供小体积、低成本PD快充方案。

    公司动态    发布时间 : 2019-08-24

    低成本,高可靠性的硅基氮化镓晶体管(GaN FET),最高频率可达GHz等级

    英诺赛科(Innoscience)已发布30V-650V的硅基氮化镓晶体管(GaN FET),包括单管GaN FET,半桥GaN FET,GaN IC,具有WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装可选,可做到脉宽<2ns的开关速度,最高频率可达GHz等级,效率高,可实现低杂散电感、低损耗,易于PCB布板,且具有每月8万片wafer的高产能等诸多优势。

    厂牌及品类    发布时间 : 2019-07-28

    PCNA2101: Alternate Assembly Site for HV device in DFN modules

    型号- INN650D01,INN650D02,INN650DA04,INN650D260A,INN650D150A,INN650DA01,INN650DA02,INN650DA150A,INN650DA260A

    产品变更通知及停产信息  -  英诺赛科  - Vesion:1.0  - 2021/06/24 英文 下载

    GAN器件的应用场合一般有哪些?

    GAN FET是新一代高开关频率的功率器件,其开关频率可达到上MHz。通常可以应用在激光雷达、高功率密度AC-DC、DC-DC电源,如手机充电器、通信电源模块等领域。推荐采用EPC或英诺赛科的GaN FET,可参考链接:Innoscience,EPC

    发布时间 : 2019-11-01

    【应用】英诺赛科小体积GaN FET INN100W01助力人工智能和数据中心供电的DC-DC降压电路设计

    为了降低人工智能和数据中心供电的DC-DC降压电路能耗,DC-DC降压电路通常需要一款小体积、高性能的MOSFET,英诺赛科(Innoscience)推出的氮化镓功率管INN100W01,该产品以其固有的特性,可以带来电源性能的提升。【世强硬创沙龙2019】

    应用方案    发布时间 : 2019-04-16

    【应用】基于国产氮化镓晶体管英诺赛科INN100W02的36W DC-DC电源,效率可达94.7%

    电源的功率转换一直以来都是用硅基功率晶体管,但随着电子市场对电源效率、功率密度和模块化的要求日益增长,硅基功率晶体管已经不能满足市场需求。本文介绍一款基于英诺赛科(Innoscience)氮化镓功率管INN100W02的DC-DC电源方案测试板,可使电源更高频、高效。【世强硬创沙龙2019】

    应用方案    发布时间 : 2019-03-27

    代理英诺赛科 世强元件电商可获取更多硅基氮化镓产品及5G射频器件

    2018年底,世强增添多条产品线,由此进一步扩充磁性材料、纳米涂层材料、线路保护器件、功率和射频器件等相关产品线及服务。本次,与世强签约的,就包括建成了全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线的英诺赛科。-关于英诺赛科-在2017年底,英诺赛科建成了全球首条8英寸硅基氮化镓外延与芯片量产生产线,并在非常短的时间内打破了国外知名半导体公司在氮化镓功率芯片设计和生产制造领域对中国市场、甚至全球市场

    行业资讯    发布时间 : 2019-01-17

    世强引入英诺赛科 进一步发力氮化镓功率芯片、5G射频器件及服务

    日前,十大本土分销商世强,与拥有全球首条8英寸硅基氮化镓量产线的英诺赛科签署代理协议,代理其全线产品。签约后,世强元件电商可以为广大中国企业提供更多的氮化镓功率芯片、5G射频器件,并支持与英诺赛科相关的资料下载、技术支持等服务。

    行业资讯    发布时间 : 2019-01-16

    高性能国产GaN FET助力汽车电子系统高功率密度设计

    型号- INN100W09,INN100W08,INN650DA02,INN100W03,INN100W01,INN100W12,INN100W02,INN60W01,INN650D01,INN650D02,INN40W01,INN40W03,INN40W02

    商品及供应商介绍  -  英诺赛科 中文 下载

    DBM001 60W PD (Type-C)快充 Demo说明书

    型号- HUSB339,PX471M025E150P,DMP3007SCG-7,MM5Z6V2ST1G,HGN070N12SL,DBM001,NCP4306DAD,1N4148WS,NCP1342AMDCDAD1R2G,KM300V400G220A00H,MMBTA42,FR107W,NCP4306DADZ

    用户指南  -  英诺赛科  - Rev 2.0  - 2020.05 中文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • INN100W14

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥10.8000 现货:

  • INN100W12

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥10.0000 现货:

  • INN650D01

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥16.0000 现货:

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    Rds比较小,开关损耗小,温度低

    问题信息不够完善,希望能进一步完善问题的内容,针对Rds小,主要是问功率半导体器件,针对功率半导体主要是IGBT,Si MOS,SiC mos和GaN;应用领域都不一样,目前GaN的Rds小,主要针对中低压,最小Rds仅为1-2mΩ,目前世强代理的GaN产品品牌主要为EPC和英诺赛科,相关资料可以在世强电商平台检索。

    发布时间 : 2019-12-09

    33W极致小体积解决方案

    型号- INN650DA04,DA04

    应用及方案  -  英诺赛科  - 2021.04.29 中文 下载

    请问有氮化镓充电器65W的方案吗?

    可参考平台的“【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案”,该方案是可以实现硬件65W的匹配的。方案详情:https://www.sekorm.com/news/43004079.html

    发布时间 : 2019-12-03

    高性能国产氮化镓(GaN)应用于无人驾驶及新能源汽车OBC、DC/DC

    型号- INN100W09,INN100W08,INN650DA02,INN100W03,INN100W01,INN100W12,INN100W02,INN60W01,INN650D01,INN650D02,INN40W01,INN40W03,INN40W02

    商品及供应商介绍  -  英诺赛科 中文 下载

    与拥有全球首条8英寸硅基氮化镓量产线的英诺赛科签约 世强再添产品线

    近日,世强与国产品牌英诺赛科(Innoscience)签约,代理其全线产品。本次签约,不仅意味着世强进一步拓展了功率和射频器件的产品线,还意味着英诺赛科的产品采购、资料下载、技术支持等服务内容均可由世强元件电商支持。

    公司动态    发布时间 : 2019-01-15

    【产品】采用WLCSP封装形式的国产单管GaN FET,RDS(ON)最小为25mΩ

    INN40W01,INN40W02,INN100W01是Innoscience公司推出的三款高质量单管GaN FET产品,三款产品均采用WLCSP封装形式,具有超低RDS(ON)和零反向恢复损失等特性,可广泛应用高效率功率转换、高密度功率转换、工业自动化等方面。【世强硬创沙龙2019】

    新产品    发布时间 : 2018-12-29

    数据手册  -  英诺赛科  - version 1.01  - Jun, 2020 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Rev 2.0  - Jun, 2019 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Rev 3.0  - Jun, 2019 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Rev 0.5  - 2021/07/01 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Rev 2.0  - July,2020 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Rev. 1.0  - May, 2020 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - Rev. 1.0  - Apr, 2020 英文 下载

    联系我们

    400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

    service@sekorm.com

    投诉与建议

    E-mail:claim@sekorm.com

    商务合作

    E-mail:contact@sekorm.com

    搞研发 找元件
    下载世强硬创电商APP