美浦森

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美浦森(Maplesemi)成立于2008年,2009年在韩国成立FABOWN工厂,致力于POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产。目前8 英寸月产能12000片,6寸产能10000片,是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线,技术骨干均来自SAMSUNG(三星)和FAIRCHILD(仙童),2009年获得韩国政府IT VENTURE企业认可。   查看更多

美浦森产品球神直播间帮助

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球神直播间帮助  -  美浦森

美浦森半导体 超结MOSFET/高压MOSFET/VD MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET球神直播间表

目录- 超结MOSFET    高压MOSFET    VD MOSFET    碳化硅二极管    碳化硅MOSFET   

型号- SLF8N60C,SLF12N70S,SLF16N60S,MSD02120G1,SLFT0R360S3,SLD80N04T,MSH080120M1,MSP540S,SLP300N10T,MSH16120G1,SLB130N10G,SLF8N60S,MSNP06065G1,SLF60R099E7,SL

球神直播间指南  -  美浦森  - REV.01  - 2021 中英文 下载

【球神直播间】美浦森(Maplesemi)高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET球神直播间指南

目录- 高压MOSFET(VDMOS)    超结MOSFET(SJMOS)    碳化硅二极管(SiC DIODE)   

型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12

球神直播间指南  -  美浦森  - 2020年 中文 下载

美浦森碳化硅二极管球神直播间表

提供美浦森碳化硅二极管球神直播间,覆盖电压650V/1200V,正向电流 2A-40A,正向压降1.4-1.45。

球神直播间表  -  美浦森 立即球神直播间>>

美浦森VDMOS球神直播间表

提供美浦森VDMOS球神直播间,击穿电压200V-800V,正向电流 2A-40A,导通电阻低至0.1。

球神直播间表  -  美浦森 立即球神直播间>>

【应用】美浦森推出230W碳化硅+氮化镓LLC电源方案,完美解决游戏本对于快充电源需求

美浦森推出了一套230W的碳化硅+氮化镓电源参考设计,其功率密度达到了1.47W/cm³,为大功率游戏本电源提供了更加轻巧、便携快充充电器方案。美浦森MSM06065G1碳化硅二极管耐压650V,150℃连续正向电流6A,工作温度范围-55到175℃。

应用方案    发布时间 : 2022-01-01

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • SLD840F

    厂牌:美浦森

    价格:¥1.9000 现货:200

  • SLF32N20C

    厂牌:美浦森

    价格:¥3.4000 现货:200

  • SLF40N26C

    厂牌:美浦森

    价格:¥5.4600 现货:200

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    美浦森(Maplesemi)超结MOSFET在2019年央视春晚思齐400W LED显示屏电源的成功案例

    描述- 美浦森(Maplesemi)终端客户旗下品牌电源在2019年央视春晚中,成为了主LED显示屏电源供应商。2019年央视春晚采用的LED舞台电源为美浦森终端客户旗下品牌电源,采用稳定可靠电路方案设计,使用优质元器件制造,经过严格的品质检验和100%满负荷老化筛选,组装老化零故障,在春晚彩排30天使用中,创造了零故障的成绩!电源所用MOSFET为美浦森超结产品。

    型号- SLF60R190SS

    成功案例  -  美浦森  - 2020年3月19日 中文 下载

    美浦森将携N沟道MOSFET和碳化硅MOS亮相2021亚太国际电源展,相关性能达行业领先水平

    2021年第十一届亚太国际电源产品及技术展会即将在11月18-20日开展,美浦森与您相约2021亚太国际电源展。美浦森半导体MOSFET和碳化硅系列产品,在LED电源、PD电源、PC和服务器电源、光伏逆变、UPS、充电桩、智能家居等领域得到广泛应用。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-18

    美浦森(Maplesemi)SiC肖特基二极管/SiC MOSFET产品介绍

    描述- 本资料主要介绍了SiC电力电子器件原理以及美浦森(Maplesemi)现有SiC产品(SiC肖特基二极管,SiC MOSFET)产品介绍

    型号- MSP10065V1,C3D10060A

    商品及供应商介绍  -  美浦森 中文 下载

    美浦森将参会10月28日~30日举行的慕尼黑华南电子展上,展示其全系列产品以及新一代碳化硅产品

    在10月28日~30日举行的慕尼黑华南电子展上,美浦森将会展示其全系列的中低压产品,高压产品、新一代碳化硅产品,以及客户的成功案例。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-10-21

    【应用】美浦森SiC MOSFET应用于PFC功率因数校正,有效提升系统稳定性

    为控制系统供电,容量从几百瓦到几千瓦不等,针对90V到264VAC输入的电源产品,一般需要具有高速开关性能的PFC升压二极管以及耐压500V以上的Diode,D1位置为美浦森SiC MOSFET应用于BOOST的应用原理图。

    应用方案    发布时间 : 2021-10-15

    【应用】美浦森MOSFET助力充电桩解决方案,提供三种拓扑供参考

    为提高公共充电桩的效率和实用性,以及响应国家节能环保战略,今后将陆续增加一桩多充和为电动自行车充电的功能。 充电桩目前市场上有交流和直流充电桩两种,应用较多的为直流充电桩。目前应用较多的有三个拓扑,分别为三相维也纳拓扑、DC-DC拓扑、Flyback拓扑。

    应用方案    发布时间 : 2021-10-13

    美浦森(Maplesemi)MOSFET在推杆电源方面的应用方案

    描述- 本资料主要介绍了电动推杆的概念、工作原理、应用,以及MOSFET产品在推杆立柱电源的应用介绍。

    型号- SLF60R190SS,SLF10N65U,SLF40N26C

    应用及方案  -  美浦森 中文 下载

    美浦森引进华南首台泰克功率器件动态参数测试系统,可保持80dB-120dB共模抑制比,实现几十项动态参数的自动化测试

    2021年8月17日泰克公司在中国华南地区首台DPT1000A测试系统在深圳美浦森公司正式交付使用。可以有效地解决高速SiC器件在动态开关过程中的特性表征难题,提高测试效率,实现几十项动态参数的自动化测试。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-08-24

    美浦森参加第三代半导体快充产业峰会,解析SiC二极管在PD充电上的应用及优势

    2021年7月30日,充电头网第三代半导体产业技术创新战略联盟电源技术委员会,在深圳市南山区科兴科技园举办全球第三代半导体快充产业峰会。美浦森的市场兼FAE王旋先生发表主题演讲,介绍了SiC二极管在PD充电上的应用。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-08-06

    【应用】美浦森MOSFET广泛用于各个功率段的PC电源,提供多种封装和电流等级

    PC电源是专门为机箱内配配件供电的设备,大都是开关型电源。PC电源的常规拓扑结构中,往往采用双管正激+PFC的方案。美浦森半导体推出高压MOS产品,广泛应用在各个功率段的PC电源上,可以同时应用在双管输出和PFC补偿线路中。

    应用方案    发布时间 : 2021-05-27

    美浦森(Maplesemi)SiC产品介绍

    型号- MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,MSD0605G1,MSP08065V1,MSD10120G1,MS2H32065G1,MSD02120G1,MSF10120G1,MSD05120G1,MS2H20120G1,MSP10065G1,MSH16120G1,MSP15

    商品及供应商介绍  -  美浦森  - 2020年03月 中文 下载

    Maplesemi E7系列产品分析报告—SLF65R170E7

    型号- E7系列,MSP04065G1,SLF65R170E7

    技术文档  -  美浦森 中文 下载

    代理证明  -  美浦森  - 2020年01月16日 中文 下载

    美浦森POWER MOSFET价格有竞争力么?

    您好,美浦森的平面VDMOS较国内品牌是有价格竞争优势的,以下链接是美浦森主推的一些有竞争力的型号,需要球神直播间可以参考链接:https://www.sekorm.com/doc/2063428.html

    发布时间 : 2020-03-13

    美浦森(Maplesemi)SIC二极管与英飞凌/NXP/科锐/ST替换对照表

    型号- C3D10065A,STPSC04H065,MSP04065G1,C4D10120A,IDH10G65C5,STPSC5H12,C3D06065A,MSD05120G1,MSP10065G1,WNSC101200,NXPSC06650X,STPSC10H12,IDM05G120C5,MSP20065

    对照表  -  美浦森 中文 下载

    【应用】美浦森650V SiC二极管成功用于MOMAX氮化镓快充实现升压整流

    2020年美浦森半导体SiC二极管已成功应用于100W LLC+GaN高性能架构中,MOMAX旗下100W 2A2C氮化镓快充充电器UM23中就采用了MSD06065V1(6A/650V,TO-252封装)实现PFC升压整流。

    应用方案    发布时间 : 2021-02-12

    【球神直播间】国产高新企业美浦森解析中低压MOSFET球神直播间五大要点

    MOSFET球神直播间关系到产品在应用中的稳定性及适用性,目前电源类产品当中,有注重质量的高端设备,也有附价值较低的产品,不同的产品对成本有着不同的要求,本文中国产品牌美浦森将探讨中低压MOSFET的具体球神直播间。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-02-08

    【产品】500V/13A的国产N沟道功率MOSFET,采用先进平面条纹DMOS技术

    SLP13N50C、SLF13N50C两款500V N沟道功率MOSFET,采用了美浦森(Maplesemi)先进的平面条纹DMOS技术,该技术专为降低导通电阻、提供出色的开关性能而开发,可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。

    新产品    发布时间 : 2021-01-05

    看到有美浦森的SIC MOSFET球神直播间,请问SICMOS都量产了吗? https://www.sekorm.com/doc/previewDoc?docId=2075649

    关于Sic MOSFET,目前平台还有Littelfuse,ROHM和UnitedSic等品牌。 ROHM的Sic mosfet:https://www.sekorm.com/doc/1629764.html UnitedSiC 公司及产品介绍:https://www.sekorm.com/doc/1851862.html Littelfuse的SicMOSFET:https://www.sekorm.com/doc/96459.html https://www.sekorm.com/doc/321743.html

    发布时间 : 2020-04-10

    国产紧凑型表面贴片封装DFN8*8全新上线,无引脚设计,封装高度仅1mm

    国产品牌美浦森半导体应时代所需,及时推出紧凑型表面贴片封装DFN8*8。与传统封装相比,贴片封装外形大大减少了封装尺寸大小,优化了体积和空间占比,因其无引脚设计,相对于TO-252和TO-263而言,寄生电感更低,提高封装的散热能力。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-01-04

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • SLF740UZ

    厂牌:美浦森

    价格:¥2.2000 现货:200

  • SLF13N50C

    厂牌:美浦森

    价格:¥3.0000 现货:200

  • SLF13N50U

    厂牌:美浦森

    价格:¥2.7200 现货:200

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【经验】LED照明行业中选用超结MOSFET的要点

    本文美浦森将讨论一下在照明行业中如何选择合适的超结MOS。首先,我们需要了解超结MOS和VDMOS的优缺点,以及在照明产品中我们应该注意MOS的哪些重要参数。

    设计经验    发布时间 : 2020-11-13

    【产品】650V的N沟道MOSFET SLD65R420S2系列,采用Maplesemi超级结技术

    SLD65R420S2/SLU65R420S2是美浦森推出的N沟道MOSFET,漏源电压最大额定值为650V,连续漏极电流最大额定值为11A,符合RoHS标准,采用Maple semi超级结技术,非常适合AC/DC功率转换等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-10-30

    【经验】PD应用中如何选择正确的MOSFET?

    实现快速充电必然需要加大充电功率,或提高电压(如QC快充),或提高电流(如PD快充)。大功率意味着充电器体积的增加,而体积小型化需求又对电源效率,温升提出了更高的要求。作为应用中的基本部件,本文中美浦森将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-09-30

    【产品】可完美替换500V/18~28A产品的MOSFET SLF3103

    随着逆变器市场的需求越来越大,在不断的产品更新换代中对MOSFET性能的要求也越来越高,美浦森半导体根据市场需求,针对在110V输出的逆变器、便携式储能等应用,推出SLF3103产品,完美替换电流为18A、20A、24A、28A/500V的产品。

    新产品    发布时间 : 2020-09-22

    【经验】SiC MOSFET的驱动特性及优化

    SiC MOSFET(碳化硅MOSFET)以低导通电阻、低开关损耗、高开关频率、高工作结温等优势称为工业界的“明日之星“,但是相对于传统硅基器件,碳化硅器件需要优化相应的外部驱动,以发挥其优异的性能。本文中,国产品牌美浦森将具体分析应该如何优化碳化硅MOSFET的驱动电路。

    设计经验    发布时间 : 2020-09-13

    【产品】500V/18A/6.6pF的N沟道MOSFET SLP18N50S/SLF18N50S

    美浦森的功率MOSFET:SLP18N50S、SLF18N50S采用MapleSemi的先进平面条纹DMOS技术生产,特别为最小化导通电阻,提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而设计,非常适合高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2020-09-05

    【产品】5A/600V/850mΩ的N沟道MOSFET SLP/F60R850S2

    SLP60R850S2、SLF60R850S2这两款N沟道MOSFET采用了美浦森(Maplesemi)先进的超级结MOSFET技术,该技术专为降低导通电阻、提供出色的开关性能而开发,可承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这两款N沟道MOSFET非常适合用于高效开关模式电源中。

    新产品    发布时间 : 2020-09-04

    美浦森携N沟道MOSFET和碳化硅MOSFET新品参加2020年广州亚太电源展

    2020年8月16至18日,美浦森半导体在广州进出口商品交易会展馆参加了2020亚太国际电源产品及技术展并圆满落幕。美浦森在大会上展示了N沟道MOSFET新品SLF65R170E7和碳化硅MOSFET新品MSK060065M1。

    行业资讯    发布时间 : 2020-08-25

    【技术】第三代半导体宽禁带材料碳化硅功率器件的优点讲解

    碳化硅(SiC)又叫金刚砂,特点是:化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能好,硬度大、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。目前以碳化硅为代表的第三代半导体材料正在迅速崛起,在国防军工、新能源、电动汽车等领域应用前景巨大。本文中美浦森详细分析了碳化硅的使用优势。

    新技术    发布时间 : 2020-07-28

    【产品】550V/8A/0.7Ω的N沟道MOSFET SLP/F840U

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLP840U,SLF840U,是使用Maple Semi的先进平面条纹DMOS技术生产的,非常适合于高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2020-07-20

    【产品】500V N沟道功率MOSFET SLD840F/SLU840F,有着高耐用性的特性

    美浦森的500V N沟道功率MOSFET SLD840F/SLU840F是使用Maplesemi先进的平面条纹DMOS技术生产的。这项先进技术经过特别设计,可最大程度地减小导通电阻,提供出色的开关性能,并可以在雪崩和换相模式下承受高能量脉冲。该产品适合用于高效开关模式电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2020-07-18

    【产品】500V/13A/0.483Ω的N沟道功率MOSFET SLP/F13N50A

    SLP13N50A/SLF13N50A是美浦森推出的漏源电压500V,连续漏极电流13A的N沟道功率MOSFET,该功率MOSFET使用Maplesemi的平面条纹Dmos技术生产,采用TO-220/TO-220F封装,无铅,符合RoHS标准。这两款产品主要用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2020-07-14

    【产品】600V/24A的N沟道MOSFET SLP60R160S2和SLF60R160S2,开关速度快

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLP60R160S2和SLF60R160S2,是利用先进的超级结技术生产的功率场效应管,分别采用TO-220和TO-220F封装,适用于高效率开关模式应用中的AC/DC电源转换器。

    新产品    发布时间 : 2020-07-13

    【产品】8A/550V/0.7Ω的N沟道MOSFET SLD/U840U

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLD840U,SLU840U,是使用MapleSemi的先进平面条纹DMOS技术生产的。漏源电压550V,连续漏极电流8A,耗散功率84W,导通电阻0.7Ω,非常适合于高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-07-11

    【产品】430V/11A/0.55Ω的N沟道MOSFET SLD3101,采用D-PAK封装

    美浦森(Maplesemi)的N沟道MOSFET SLD3101,使用MapleSemi的先进沟槽MOSFET技术生产,漏源电压430V,连续漏极电流11A,导通电阻典型值为0.55Ω,非常适合于高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2020-07-10

    【产品】670V/14A的N沟道功率MOSFET ​SLP/F14N65S,适用于AC/DC电源转换

    SLP14N65S/SLF14N65S是美浦森推出的670V/14A的N沟道功率MOSFET。产品采用Maplesemi先进的平面条纹DMOS技术,无铅,符合RoHS标准,导通损耗低,开关特性好,在雪崩和换相模式下可承受高能量脉冲。它适用于开关模式操作中的AC/DC电源转换。

    新产品    发布时间 : 2020-07-08

    【产品】400V/11A的N沟道功率MOSFET SLF/P3101,漏源导通电阻最大为550mΩ

    SLF3101/SLP3101是美浦森推出的N沟道功率MOSFET,采用Maplesemi先进的沟道MOSFET技术,漏源电压为400V,连续漏极电流为11A,这些器件非常适合于高效率的开关电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2020-07-07

    【产品】600V/16A的N沟道功率MOSFET SLP16N60S/SLF16N60S,漏源导通电阻仅0.35Ω

    SLP16N60S/SLF16N60S是美浦森推出的使用Maplesemi先进的平面条纹DMOS技术生产的N沟道功率MOSFET。漏源电压为600V,25℃下的连续漏极电流为16A,脉冲漏极电流为64A,单脉冲雪崩能量为783mJ,雪崩电流为16A,耗散功率为31.5W。

    新产品    发布时间 : 2020-07-07

    【产品】650V/8A的碳化硅二极管MS2H16065G1,采用TO-247-3Lead封装

    美浦森(Maplesemi)推出的碳化硅二极管MS2H16065G1,具有恢复时间短,可以进行高速开关等特点,反向重复峰值电压为650V,工作结温和储存温度为-55至 +175 ̊ C。此外,该器件符合RoHS标准,提高了所有负载条件下的效率,有更高的过压安全裕度,减少了散热器需求,具有高安全性和低功耗,可应用于开关电源,功率因数校正,电机驱动等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-06-26

    【产品】650V/5A的N沟道MOSFET SLF65R950S2,采用TO-220F封装

    美浦森的N沟道MOSFET SLF65R950S2使用Maplesemi(美浦森)先进的平面条形DMOS技术生产,适合用于高效开关模式电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。该产品采用TO-220F封装,漏源电源为650V,连续漏极电流为5A(Tc=25℃时)。

    新产品    发布时间 : 2020-05-26

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • SLF16N50C

    厂牌:美浦森

    价格:¥3.7000 现货:200

  • SLF18N50C

    厂牌:美浦森

    价格:¥4.9000 现货:200

  • SLF5N65S

    厂牌:美浦森

    价格:¥1.2400 现货:200

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【球神直播间】国产SiC二极管MSP10065G1可Pin-Pin替代ST的STPSC10H065用于PFC电路

    PFC电路中应用较多的型号有ST公司650V/10A的SiC二极管STPSC10H065,不过由于价格压力、贸易战等因素影响,很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案,本文重点推荐Maplesemi(美浦森)的SiC二极管MSP10065G1,该产品可pin-pin替代ST的STPSC10H065。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-05-13

    【产品】700V/5A的N沟道功率MOSFET SLD/F70R900S2,导通电阻0.8Ω

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLD70R900S2和SLF70R900S2,是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管,分别采用D-PAK和TO-220F封装。这些器件非常适合于高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2020-04-19

    【产品】650V碳化硅肖特基二极管MSP16065G1,开关速度极快

    美浦森(Maplesemi)推出的650V碳化硅肖特基二极管MSP16065G1,采用TO220-2封装,具有恢复时间短、开关速度极快等特点,适用于开关电源、功率因数校正和电机驱动等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-04-16

    【产品】9A/500V的N沟道MOSFET SLP/F840UZ,适合于高效开关模式电源

    美浦森(Maplesemi)推出的SLP840UZ、SLF840UZ两款N沟道MOSFET,该功率MOSFET使用Maplesemi的先进平面条纹DMOS技术生产。这项先进技术经过特别设计,可最大程度地降低导通电阻,提供出色的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。这些器件非常适合于高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2020-04-06

    【产品】600V/48A的N沟道MOSFET SLH/W60R070SSD,适用于大功率AC/DC电源转换

    美浦森(Maplesemi)推出的SLH60R070SSD、SLW60R070SSD两款N沟道MOSFET,漏源电压600V,连续漏极电流高达48A(Tc = 25℃)。采用Maplesemi先进的超级节技术制造而成,专为最小化传导损耗提供出色的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲而特别设计,这些器件非常适合用于开关模式电源操作中的AC/DC电源转换,以实现更高的效率。

    新产品    发布时间 : 2020-04-03

    【应用】国产N沟道MOSFET SLF60R190SS成功应用于春晚LED舞台电源

    2019年央视春晚采用的LED舞台电源所用MOSFET为美浦森半导体的N沟道MOSFET SLF60R190SS,耐压600V,ID为22A,导阻0.15Ω,TO220F封装,经过严格的品质检验,成功助力该电源零故障运行。

    应用方案    发布时间 : 2020-03-20

    【产品】600V/76A的N沟道MOSFET SLH/W60R040SSD,适用于开关电源中的AC/DC功率转换

    美浦森(Maplesemi)推出的SLH60R040SSD、SLW60R040SSD是两款600V的N沟道MOSFET,这款功率MOSFET采用Maplesemi先进的超级节技术制造而成,是特别为减少传导损耗,提供卓越的开关性能和承受高能量脉冲而打造,这些器件非常适合应用于开关电源中的AC/DC功率转换,可以提高电源的工作效率。

    新产品    发布时间 : 2020-03-19

    【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLP/F5N50S,适合于高效开关模式电源等应用

    美浦森(Maplesemi)推出的两款N沟道MOSFET SLP5N50S、SLF5N50S,采用美浦森的先进平面条纹DMOS技术生产,漏源电压500V,连续漏极电流5A,耗散功率分别为73W/38W,采用TO-220/TO-220F封装,适合于高效开关模式电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-03-12

    【产品】500V/9A的N沟道MOSFET SLD840UZ / SLU840UZ,导通电阻典型值0.8Ω

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLD840UZ和SLU840UZ,是利用先进的平面条纹DMOS技术生产的功率场效应管,分别采用D-PAK和I-PAK封装。漏源电压500V,连续漏极电流9A,耗散功率84W,适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-03-11

    【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLD5N50S2 / SLU5N50S2,导通电阻1.35Ω

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLD5N50S2和SLU5N50S2,是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管,分别采用D-PAK和I-PAK封装。产品漏源电压500V,连续漏极电流5A,典型导通电阻1.35Ω,工作结温和储存温度范围为-55~150℃,适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-03-10

    【产品】500V/25A的N沟道MOSFET SLW24N50C/SLH24N50C,采用TO-247/3P封装

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLW24N50C/SLH24N50C,是利用先进的平面条纹DMOS技术生产的功率场效应管,分别采用TO-247和TO-3P封装。漏源电压为500V,连续漏极电流为25A,导通电阻典型值为0.2Ω。

    新产品    发布时间 : 2020-03-09

    【产品】500V/5A的N沟道MOSFET SLD5N50S / SLU5N50S,导通电阻为1.12Ω

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLD5N50S和SLU5N50S,是利用先进的平面条纹DMOS技术生产的功率场效应管,分别采用D-PAK和I-PAK封装。连续漏极电流5A,漏源电压500V,漏源导通电阻典型值为1.12Ω,适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-03-07

    【产品】650V/4.5A的N沟道MOSFET SLP5N65S/SLF5N65S,适用于高效率开关电源等应用

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLP5N65S和SLF5N65S,是利用先进的平面条纹DMOS技术生产的功率场效应管,分别采用TO-220和TO-220F封装。这项先进的技术是专为尽可能减小导通电阻、提供出色的开关性能以及在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲所设计的。适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-03-06

    【产品】700V/11A的N沟道MOSFET SLP70R420S2/SLF70R420S2

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET——SLP70R420S2/SLF70R420S2,是利用先进的超级结技术生产的功率场效应管,分别采用TO-220和TO-220F两种封装,漏源电压700V,连续漏极电流11A。适用于高效率开关模式应用中的AC/DC电源转换器。

    新产品    发布时间 : 2020-03-05

    【产品】500V/11A的N沟道MOSFET SLP11N50S / SLF11N50S,导通电阻为0.483Ω

    美浦森(Maplesemi)推出的SLP11N50S和SLF11N50S是500V/11A的N沟道MOSFET,其采用先进的平面条纹DMOS技术生产,是性能优异的功率场效应管,分别采用TO-220和TO-220F封装。适用于高效率开关电源、基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用场合。

    新产品    发布时间 : 2020-03-04

    【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R010S,采用PDFN5*6封装,导通内阻小于1mΩ

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET MSN04R010S,是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管,采用PDFN5*6封装,具有导通电阻低、快速开关等特点。漏-源极工作电压最大额定值为40V,连续漏极电流的最大额定值为100A,上升时间的典型值是18.8ns,下降时间的典型值是44.1ns,总栅极电荷典型值是103.5nC。适用于在服务器或其他通用应用中的同步整流器电路。

    新产品    发布时间 : 2020-03-02

    【产品】600V/42A的N沟道MOSFET SLH60R080SSD,适合开关模式操作中的AC/DC电源转换

    美浦森(Maplesemi)推出的SLH60R080SSD、SLW60R080SSD两款N沟道MOSFET,采用Maplesemi先进的超级节技术制造而成。漏源电压600V,连续漏极电流42A,耗散功率295W,结温和存储温度为-55~150℃。

    新产品    发布时间 : 2020-03-02

    【产品】500V/4.5A的N沟道MOSFET SLP5N50S2/SLF5N50S2,采用TO-220/-F封装

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLP5N50S2和SLF5N50S2,是利用先进的平面条形DMOS技术生产的功率场效应管,分别采用TO-220和TO-220F封装。适用于高效率开关电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-02-29

    再添第三代半导体功率器件品牌美浦森(Maplesemi),曾联合韩国现代共同研制新能源汽车SiC产品线

    近日,美浦森半导体有限公司正式签约世强,授权代理其POWER VDMOSFET、SUPER JUNCTION MOSFET、SiC MOSFET、SiC DIODE等系列产品。 美浦森主营POWER MOSFET及碳化硅产品的研发和生产,目前8 英寸月产能12000片,6寸产能10000片,是东亚地区唯一的PLANNER 8英寸晶圆生产线。

    公司动态    发布时间 : 2020-02-29

    【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R022S,采用PDFN5*6封装,导通电阻小于2.2mΩ

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET MSN04R022S,采用PDFN5*6封装,具有导通电阻低、快速开关等特点,适用于在服务器或其他通用应用中的同步整流电路。漏-源极工作电压最大额定值为40V,连续漏极电流的最大额定值为100A,上升时间的典型值是15.2ns,下降时间的典型值是19.3ns,总栅极电荷典型值是61.4nC。

    新产品    发布时间 : 2020-02-28

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • SLF8N65S

    厂牌:美浦森

    价格:¥1.9000 现货:200

  • SLF10N60C

    厂牌:美浦森

    价格:¥3.0000 现货:200

  • SLF10N65C

    厂牌:美浦森

    价格:¥3.0000 现货:200

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【产品】700V/11A的N沟道MOSFET SLP70R420S2/SLF70R420S2,传导损耗小

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET SLP70R420S2和SLF70R420S2,是利用先进的超级结技术生产的功率场效应管,分别采用TO-220和TO-220F封装。漏源电压700V,连续漏极电流11A,适用于高效率开关模式应用中的AC/DC电源转换器。

    新产品    发布时间 : 2020-02-28

    【产品】100V/33A的N沟道MOSFET MSF540S/MSP540S,导通电阻33mΩ

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET MSF540S和MSP540S,是利用先进的平面MOS技术生产的功率场效应管,分别采用TO-220和TO-220F封装。这项先进的技术是专为最小化导通内阻、提供出色的开关性能以及在雪崩和换相模式下能够承受高能量脉冲所设计的。

    新产品    发布时间 : 2020-02-27

    【产品】30V/100A的N沟道MOSFET MSN03R034S,采用PDFN5*6封装,导通内阻小于3.4mΩ

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET MSN03R034S,是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管,采用PDFN5*6封装,导通内阻小于3.4mΩ,导通电阻低。漏-源极工作电压最大额定值为30V,连续漏极电流的最大额定值为100A,具有快速开关等特点。适用于服务器和应用同步整流器控制电路工作。

    新产品    发布时间 : 2020-02-27

    【产品】40V/100A的N沟道MOSFET MSN04R014S,采用PDFN5*6封装,导通内阻低

    美浦森(Maplesemi)推出的N沟道MOSFET MSN04R014S,是利用先进生产技术生产的具有高性能的功率场效应管,采用PDFN5*6封装,具有导通电阻低、快速开关及高质量等特点。漏-源极工作电压最大额定值为40V,连续漏极电流的最大额定值为100A,上升时间的典型值是16.1ns,下降时间的典型值是30ns,总栅极电荷典型值是113.8nC。

    新产品    发布时间 : 2020-02-26

    SLD70R420S2 & SLF70R420S2 Assembly & Final Test Spec

    型号- SLF70R420S2,MS70R420S2,SLD70R420S2

    技术文档  -  美浦森 英文 下载

    SLF8N60S/SLD8N60S/ Assembly & Final Test Spec

    型号- SLF8N60S,SLD8N60S,MS8N60S

    技术文档  -  美浦森 英文 下载

    SLD60R850S2 & SLF60R850S2 Assembly & Final Test Spec

    型号- SLD60R850S2,SLF60R850S2,MS60R850S2

    技术文档  -  美浦森 英文 下载

    UTC12N65L vs. SLF12N65S Comparison Data

    型号- UTC12N65L,SLF12N65S

    对照表  -  美浦森  - 20190627 英文 下载

    MSP08065V1 vs. C3D08060A vs. MSP10065V1 Comparison

    型号- C3D08060A,MSP08065V1,MSP10065V1

    对照表  -  美浦森 英文 下载

    MSP10065V1 vs. C3D10060A Comparison

    型号- MSP10065V1,C3D10060A

    对照表  -  美浦森 英文 下载

    MSP08065V1 vs. C3D08060A Comparison

    型号- C3D08060A,MSP08065V1

    对照表  -  美浦森 英文 下载

    MSP08065V1&MSP10065V1 vs. C3D08060A Temperature Contrast

    型号- C3D08060A,MSP08065V1,MSP10065V1

    对照表  -  美浦森 英文 下载

    MSP06065V1 vs. C3D06060 Comparison

    型号- C3D06060,MSP06065V1

    对照表  -  美浦森 英文 下载

    MSP08065V1 vs. C3D08060A Comparison

    型号- C3D08060A,MSP08065V1

    对照表  -  美浦森 英文 下载

    SLF740UZ vs. SVF740T Comparison Data

    型号- SLF740UZ,SVF740T

    对照表  -  美浦森  - 20181029 英文 下载

    技术文档  -  美浦森  - Jan.15,2019 英文 下载

    技术文档  -  美浦森  - May 21,2019 英文 下载

    SFV840F vs. SLF840C vs. SLF840UZ Comparison Data

    型号- SLF840C,SLF840UZ,SFV840F

    对照表  -  美浦森  - 20181029 英文 下载

    SLP740C vs. SLP740UZ vs. FHP740 Comparison Data

    型号- SLP740C,FHP740,SLP740UZ

    对照表  -  美浦森 英文 下载

    SLD5N50S vs. SVF830T vs. SLD830S Comparison Data

    型号- SLD830S,SLD5N50S,SVF830T

    对照表  -  美浦森  - 20181029 英文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • SLF10N65S

    厂牌:美浦森

    价格:¥2.6000 现货:200

  • SLF12N65C

    厂牌:美浦森

    价格:¥3.4600 现货:200

  • SLF7N80C

    厂牌:美浦森

    价格:¥3.4400 现货:200

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    SLF10N65C vs. DG10N65 vs. SLF10N65S Comparison Data

    型号- SLF10N65C,SLF10N65S,DG10N65

    对照表  -  美浦森  - 20191218 英文 下载

    SLF18N50C vs. SVF18N50F Comparison Data

    型号- SVF18N50F,SLF18N50C

    对照表  -  美浦森  - 20181029 英文 下载

    MSP08065V1 vs. C3D08060A vs. MSP10065V1 Temperature Contrast

    型号- C3D08060A,MSP08065V1,MSP10065V1

    对照表  -  美浦森 英文 下载

    SLF60R1900SJ vs. GWM23S60HX Comparison

    型号- SLF60R1900SJ,GWM23S60HX

    对照表  -  美浦森  - 2018/6/8 英文 下载

    SLF65R420SJ vs. PSM11065H Comparison

    型号- SLF65R420SJ,PSM11065H

    对照表  -  美浦森  - 2018/6/5 英文 下载

    24N50 Comparison Data

    型号- SLW24N50C,FSW25N50A,23N50E,28N50,SLF40N26C,28N50E,CS25N50,CS30N25,24N50

    对照表  -  美浦森  - 20191213 英文 下载

    CS30N25 vs. SLF40N26C Comparison Data

    型号- SLF40N26C,CS30N25

    对照表  -  美浦森  - 20191207 英文 下载

    JX10N65 vs. SLF10N65S Comparison Data

    型号- JX10N65,SLF10N65S

    对照表  -  美浦森  - 20190627 英文 下载

    推杆电源培训资料

    型号- SLF60R190SS,SLF10N65U,SLF40N26C

    培训文档-商品应用及供应商介绍  -  美浦森 中文 下载

    公司及产品应用 CATALOG

    型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF740UZ,SLF32N20C,SLF10N70C,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SLD65R950SJ,SLD6N70U,SLF80R380SJ,SLF60R380SJ,SLF10N65C,SLF65R300SJ,MSB10065V1,SL

    商品及供应商介绍  -  美浦森  - 2019 中文 下载

    应用笔记或设计指南  -  美浦森  - 2020年1月3日 中文 下载

    应用笔记或设计指南  -  美浦森  - 2019年04月30日 中文 下载

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