瞻芯电子

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瞻芯电子(InventChip)是一家由海归博士领衔的碳化硅(SiC)高科技芯片公司,致力于开发以碳化硅为核心、高性价比的功率半导体器件和驱动控制IC产品,为电源和电驱动系统的小型化、轻量化和高效化,提供完整的半导体解决方案。其SiC MOSFET第一轮流片,为中国第一批国产6英寸碳化硅(SiC)MOSFET晶圆。   查看更多

瞻芯电子产品球神直播间帮助

请提交您的研发和球神直播间或参数需求,上千位世强和原厂的应用和技术专家将为您选择最合适的器件,材料,模块等,以协助您快速完成设计,达成功能最优,价格最优,供应最优,实现最优的元器件及方案选择。技术专家会在48小时内响应。

球神直播间帮助  -  瞻芯电子

【球神直播间】瞻芯电子(InventChip)SiC MOSFET/SiC 二极管/SiC MOSFET栅极驱动芯片球神直播间指南

目录- SiC MOSFET/SiC 二极管/SiC MOSFET栅极驱动芯片   

型号- IV1D12020T2,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12010BC,IV1D12030U3,IV1D12020T3,IVCR2401DP,IV1Q06550T4,IVCR2404D,IV1Q06550T3,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1D12010

球神直播间指南  -  瞻芯电子  - 2020年07月 中文 下载

瞻芯电子SiC MOSFET球神直播间表

提供瞻芯电子SiC MOSFET球神直播间,VTH(TJ =25℃)覆盖2.9v-3.2V等; VTH(TJ =175℃)覆盖1.9v-2.2v;导通电阻覆盖40mΩ,50mΩ,80mΩ,160mΩ;工作温度范围-55℃~175℃; VRRM:650V/1200V;封装:TO247-3,TO247-4

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瞻芯电子Si/SiC MOSFET驱动芯片球神直播间表

提供瞻芯电子Si/SiC MOSFET驱动芯片球神直播间,业界首创的8-引脚;工作电压覆盖24V~35V;4A值拉,灌电流;低延迟(45ns典型,16ns,15ns); Channels:1~2; Iout(Source/Sink)4/4, 2/4, 4/8;封装:SOIC-8,SOT23-6,SOIC-8 (EP),MSOP-8,SOT-23-5

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瞻芯电子SiC肖特基二极管球神直播间表

提供瞻芯电子SiC肖特基二极管球神直播间,VF(TJ =25℃)覆盖1.48V~1.56V;VF(TJ =175℃)2.20V~2.25V;VRRM:650V /1200V; IR低至0.5uA等;封装:DFN8x8,TO252-3,TO252-2,TO220-2,TO247-2,TO247-3

球神直播间表  -  瞻芯电子 立即球神直播间>>

【应用】国产SiC二极管IV1D12040U3助力20KW光伏逆变器设计,效率提升99%

未来光伏逆变器的技术发展宗旨是提升逆变器的转换效率和功率密度,本文介绍采用瞻芯电子推出的1200V、TO247-3封装的碳化硅肖特基二极管IV1D12040U3助力20KW光伏逆变器设计。

应用方案    发布时间 : 2022-01-23

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • IVCR1801SR

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥1.6500 现货:164,597

  • IVCR2401DPR

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥2.6500 现货:3,680

  • IVCR2401DR

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥2.5700 现货:3,625

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【球神直播间】国产SIC MOSFET IV1Q06040T4用于V2G模块,导通电阻低至40毫欧

    本文主要介绍上海瞻芯电子的SIC MOSFET 06040T4 用于V2G模块,其导通电阻低至40毫欧。在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率。

    器件球神直播间    发布时间 : 2022-01-19

    【产品】3.75kVrms单通道隔离栅极驱动芯片IVCO1A01D,具备10A峰值电流驱动能力

    12月30日,上海瞻芯电子科技有限公司(以下简称“瞻芯电子”)宣布开始向客户提供3.75kVrms单通道隔离栅极驱动芯片样品IVCO1A01D,并将在2022年第一季度正式量产。

    新产品    发布时间 : 2022-01-07

    上海瞻芯电子科技有限公司介绍

    型号- IV1D12020T2,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12010BC,IV1D12030U2,IV1D12030U3,IV6212200HA1,IV1D12020T3,IVCR2401DP,IV1Q120080T3,IV1Q06050T4,IVCR2404D,IV1Q121

    商品及供应商介绍  -  瞻芯电子 中文 下载

    瞻芯电子荣列毕马威中国第二届‘芯科技’新锐企业50评选榜单,致力提供一站式Turn-key芯片解决方案

    2021年,毕马威中国在第四届中国国际进口博览会(进博会)上重磅发布了“毕马威中国第二届‘芯科技’新锐企业50评选”榜单及《中国“芯科技”新锐企业50报告》,上海瞻芯电子科技有限公司荣列榜单。

    厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-05

    上海瞻芯电子科技有限公司介绍

    型号- IV1D12020T2,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12010BC,IV6212200HA1,IV1D12030U3,IV1D12020T3,IVCR2401DP,IVCR2204D,IVCR2206D,IVCR2406D,IVCR2404D,IV1Q12160T3,IV

    商品及供应商介绍  -  瞻芯电子 中文 下载

    【应用】国产MOS驱动芯片IVCR2404DR助力船用BMS设计,驱动电流高达4A

    由于近期进口驱动芯片的缺货、价格上涨,本文重介绍国产瞻芯电子的MOS管驱动芯片IVCR2404DR,双通道低侧驱动器,能够有效、安全地驱动MOS管,可以并联两个通道增加输出驱动电流,非常适合应用于电池BMS管理系统。

    应用方案    发布时间 : 2021-12-29

    【球神直播间】国产高速低侧栅极驱动器IVCR2403与TI UCC27523性能参数对比分析

    本文主要对比瞻芯电子推出的高速低侧栅极驱动器IVCR2403和TI的UCC27523的性能参数,为各位工程师球神直播间提供帮助。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-12-23

    【球神直播间】国产双通道4A高速低侧栅极驱动器IVCR2405DR与TI的UCC27525D兼容分析

    客户此前用的是TI的UCC27525D,该器件是一款较常用于电源模块的高速、双通道、低侧栅极驱动器。为了帮助客户实现国产化替代需求,我们向客户推荐了瞻芯电子的双通道高速低侧栅极驱动器IVCR2405DR,其功能与TI的UCC27525D相似,可以满足客户的项目需求。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-12-16

    【应用】国产MOS驱动芯片IVCR2404DR用于高压脉冲电源,供电电压达24V,能并联双通道增加输出驱动电流

    本文介绍瞻芯电子的MOS管驱动芯片IVCR2404DR,一款4A双通道高速低侧栅极驱动器,宽VDD范围高达24V,能够有效、安全地驱动MOS管,还能够并联两个通道以增加输出驱动电流,非常适合用于该高压脉冲电源项目。

    应用方案    发布时间 : 2021-12-03

    【产品】1200V 17mΩ的SiC MOSFET芯片IV1Q12017BCG,关断栅源电压-3.5~-2 V

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET芯片IV1Q12017BCG,漏源电压值1200V,导通电阻典型值为17mΩ。推荐使用的关断栅源电压-3.5~-2V,存储温度范围-55~175°C。具有高压、低导通电阻,高速、寄生电容小等特性,可用于光伏逆变器,芯片面积为5000×6315um²。

    新产品    发布时间 : 2021-11-28

    【产品】1200V 17mΩ的SiC MOSFET芯片IV1Q12017BDG,适用于光伏逆变器

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET芯片IV1Q12017BDG,漏源电压值1200V,导通电阻典型值为17mΩ。芯片面积为5000×6315μm²,推荐使用的关断栅源电压-3.5~-2V,工作结温范围-55~175°C。具有高压、低导通电阻,高速、寄生电容小等特性,可用于光伏逆变器。

    新产品    发布时间 : 2021-11-27

    【产品】漏源电压1200V的SiC MOSFET IV1Q12017T4G,可用于高压DC/DC变换器

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12017T4G,漏源电压 1200 V,导通电阻典型值为17mΩ。推荐使用的开通栅源电压 20±0.5 V,具有高工作结温特性,工作结温范围 -55~ 175 °C,能够用于高压 DC/DC 变换器,开关电源等方面。

    产品    发布时间 : 2021-11-27

    【产品】1200V 750mΩ SiC MOSFET IV1Q12750T3 ,高耐压且寄生电容小

    瞻芯电子推出的IV1Q12750T3 SiC MOSFET,漏源电压为1200V,导通电阻典型值为750mΩ,采用TO247-3封装,具有高耐压,高工作结温的特性,可用于高压DC/DC变换器。

    新产品    发布时间 : 2021-11-26

    【产品】1200V 40A碳化硅肖特基二极管IV1D12040U2,可用于EV充电桩、开关电源等

    瞻芯电子推出的碳化硅肖特基二极管IV1D12040U2 ,反向重复峰值电压值1200V,存储温度范围 -55 ~175 °C,正向持续直流电流 @Tc=145°C为 40A。采用TO247-2封装,可用于EV充电桩,开关电源等方面。

    产品    发布时间 : 2021-11-25

    【产品】1200V 750mΩ SiC MOSFET IV1Q12750P3,采用TO252-3封装

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12750P3,漏源电压值为1200V ,导通电阻典型值为750mΩ。具有高耐压, 高速、寄生电容小等特性,采用TO252-3的封装。推荐使用的开通栅源电压值20±0.5V,工作结温范围 为-55 ~175°C。

    产品    发布时间 : 2021-11-24

    【产品】瞻芯电子新推出的SiC MOSFET芯片漏源电压值650V,导通电阻典型值仅40mΩ

    瞻芯电子新推出的 SiC MOSFET芯片IV1Q06040BD,漏源电压值650V ,导通电阻典型值为40mΩ。推荐使用的开通栅源电压值为20±0.5V,存储温度范围 -55 ~ 175 °C。具有高压、低导通电阻,高速、寄生电容小等特性。

    新产品    发布时间 : 2021-11-24

    【产品】1200V 750mΩ SiC MOSFET芯片IV1Q12750BD,适用于光伏逆变器,UPS电源

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET 芯片IV1Q12750BD漏源电压值为1200V,导通电阻典型值为750mΩ,芯片尺寸为1.37×1.40mm²,可用于光伏逆变器,UPS电源等方面、具有高耐压、高速、寄生电容小、高工作结温、快速恢复体二极管等优势。

    新产品    发布时间 : 2021-11-23

    【产品】导通电阻80mΩ的车规级SiC MOSFET,采用TO247-3封装,最大脉冲漏源电流值为70A

    瞻芯电子推出的IV1Q12080T3Z车规级SiC MOSFET,漏源电压值为1200V,导通电阻为80mΩ,最大脉冲漏源电流值为70A,采用TO247-3封装,可用于车载充电器,车载压缩机逆变器等方面。

    新产品    发布时间 : 2021-11-22

    【产品】导通电阻160mΩ的SiC MOSFET芯片,漏源电压值1200V,可用于光伏逆变器

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET芯片IV1Q12160BD,漏源电压值1200V,导通电阻典型值为160mΩ。芯片尺寸为2.400×2.110mm2,具有高压、低导通电阻和高速、寄生电容小等特性,可用于光伏逆变器、开关电源等方面。

    新产品    发布时间 : 2021-11-21

    【产品】漏源电压1200V的SiC MOSFET芯片,导通电阻为50mΩ,焊接温度为260℃

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET芯片IV1Q12050BD,漏源电压1200V,导通电阻典型值为50mΩ。芯片尺寸为4.365×3.130mm²,推荐使用的开通栅源电压20±0.5V,焊接温度260℃,可用于光伏逆变器,UPS电源等方面。

    新产品    发布时间 : 2021-11-20

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • IVCR2404DR

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥2.1000 现货:2,060

  • IV2D12002P2

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥4.4000 现货:280

  • IVCR2403DR

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥2.3000 现货:102

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【产品】漏源电压值1200V的SiC模块IV1B12025HC1L,导通电阻为25mΩ,可用于光伏逆变器

    瞻芯电子推出的SiC模块IV1B12025HC1L,漏源电压值1200V,导通电阻典型值为25mΩ。推荐使用的开通栅源电压值为20±0.5V,存储温度范围为-40~150℃。具有高压、低导通电阻,高速、寄生电容小等特性,可用于光伏逆变器。

    新产品    发布时间 : 2021-11-19

    【产品】1200V SiC MOSFET采用TO220-3封装,导通电阻典型值750mΩ,可用于UPS电源

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET IV1Q12750O3 ,漏源电压为1200V,导通电阻典型值为750mΩ,推荐使用的开通栅源电压为20±0.5 V,采用TO220-3封装,能够用于UPS电源。

    新产品    发布时间 : 2021-11-18

    【产品】1200V 80mΩ的SiC MOSFET,漏源电压1200V,可用于光伏逆变器、UPS 电源等方面

    瞻芯电子推出的SiC MOSFET 芯片IV1Q12080BD的漏源电压为1200V,导通电阻典型值为80mΩ 。芯片尺寸为2.965×3.140mm²,应用广泛,主要用于光伏逆变器, UPS 电源, 电机驱动等方面。

    新产品    发布时间 : 2021-11-17

    代理证明  -  瞻芯电子  - 2020年6月18日 中文 下载

    【球神直播间】MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与1EDN7512B功能对比,多个参数一致可P2P替换

    上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。本文将MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与Infineon公司1EDN7512B功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师球神直播间。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-11-13

    关于瞻芯电子产品命名规则更新及涉及到已经送样产品说明

    型号- IV2Q12017BD,IV2Q12017BC,IV1Q12017BDG,IV2Q12017T4,IV1Q12017BCG,IV2Q12017BA,IV1Q12017T4G,IV1Q12017BAG

    数据手册  -  瞻芯电子  - 2021年11月16日 中文 下载

    【产品】1200V 20A碳化硅肖特基二极管芯片IV1D12020BD ,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特性

    瞻芯电子发布的碳化硅肖特基二极管芯片IV1D12020BD,反向重复峰值电压VRRM为1200V,IF值为20A 。芯片尺寸为3.13×3.23mm² ,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压等特性。

    新产品    发布时间 : 2021-11-12

    【球神直播间】MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与FAN3111功能对比,PIN脚一致可P2P替换

    上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。本文将IVCR1407S与ON公司FAN3111功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师球神直播间。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-11-12

    瞻芯电子电流源驱动器 IVCR1412 及单通道驱动器 IVCR1407、IVCR1801介绍

    型号- IV1Q12080T3,UCC27517,IVCR1801,IVCR1407,IVCR1801S,IVCR1412,UCC27511,IVCR1407S

    用户指南  -  瞻芯电子  - Mar. 2021 中文 下载

    【产品】工业界首款全功能连续模式图腾柱PFC模拟控制芯片IVCC1102发布,克服控制难点提高电源可靠性

    2021年11月11日,瞻芯电子的第一颗控制器芯片产品-图腾柱PFC芯片 IVCC1102 正式对外送样,并将于2022年第一季度量产,目前已经在多家标杆客户处进行导入。这是工业界首款全功能连续模式(CCM)图腾柱PFC控制芯片,仅为16脚封装。

    新产品    发布时间 : 2021-11-11

    【产品】1200V 15A碳化硅肖特基二极管芯片IV1D12015BD,最大结温175°C

    瞻芯电子推出的碳化硅肖特基二极管芯片IV1D12015BD,反向重复峰值电压VRRM为1200V,正向持续直流电流@Tc=153°C为15A。最大结温为175°C,可高频工作。应用广泛,可用于太阳能逆变器,UPS等方面。

    新产品    发布时间 : 2021-11-11

    【球神直播间】MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与FAN3100T功能对比,工作电压更宽为4.5~20V

    上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。本文将IVCR1407S与ON公司FAN3100T功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师球神直播间。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-11-11

    【产品】650V6A碳化硅肖特基二极管芯片,最大结温175°C,主要用于光伏微逆变器、适配器

    瞻芯电子(InventChip)推出的IV1D06006BD碳化硅肖特基二极管芯片最大结温为175°C,芯片尺寸1.26×1.26mm²。应用广泛,主要应用于光伏微逆变器、适配器等方面。

    新产品    发布时间 : 2021-11-10

    【球神直播间】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI UCC27533功能对比,多个参数一致

    上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。​本文将MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI公司UCC27533功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师球神直播间。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-11-09

    【球神直播间】国产SiC MOSFET可P2P替代IMZ120R060M1H用于电机驱动,导通电阻低至50mΩ

    瞻芯电子国产SiC MOSFET替换IMZ120R060M1H用于电机驱动,导通电阻低至50毫欧,非常适合硬开关和谐振开关拓扑,例如功率因数校正 (PFC) 电路、双向拓扑和 DC-DC 转换器或 DC-AC 逆变器。可以实现PIN TO PIN替换,不需要改版。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-11-04

    瞻芯电子完成A+、A++轮融资,持续领跑国内碳化硅功率半导体市场

    瞻芯电子是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海自贸区临港新片区。经过三年的深度研发和极力攻关,坚守严谨高要求的测试标准,目前已成为中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-03

    【产品】首款国产图腾柱 PFC 模拟控制器助力工业设备高效化 | 视频

    为满足工业智能化需求,瞻芯电子推出首款国产图腾柱 PFC 模拟控制器,具备优化平滑交流电流过零控制,平均电流模式控制,输入电压前馈,交流掉电自动防电流倒灌。高达150kHz可编程PWM频率过压保护,继电器信号与Vac过零同步,便于控制,减少浪涌电流等特点。

    新产品    发布时间 : 2021-10-29

    【应用】超小体积MOS驱动芯片IVCR1801SR助力激光测距雷达设计,低传播延迟≤20ns

    本文重点介绍瞻芯电子IVCR1801SR,它是单通道4A峰值拉电流和8A峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及GaN等功率器件,单通道大电流,高达4A峰值拉电流和8A峰值灌电流,可以用于激光测距雷达的设计。

    应用方案    发布时间 : 2021-10-19

    【应用】国产±4A大电流双通道驱动助力超声波燃气表,双通道延时匹配仅1ns,可保证产品稳定性

    超声波测距测速由于不受粉尘、盐雾、电磁干扰,已广泛应用于燃气表产品中。其超声波发生器是有超声波探头和探头驱动电路构成,本文将结合国产瞻芯电子的大电流双通道驱动IVCR2404,介绍其在超声波燃气表中的应用。

    应用方案    发布时间 : 2021-10-04

    【球神直播间】国产瞻芯电子1200V 80mOhm SiC MOSFET与不同品牌同规格产品的对比测试分析

    本文以瞻芯电子的IV1Q12080T3 1200V 80mOhm为例,介绍与竞品的对比测试,参考对象分别是:Rohm SCT3080KL,Cree C2M0080120D C3M0075120,以及Infineon IMW120R090M1H。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-09-26

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • IV1D12030U2

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥75.0000 现货:67

  • IVCR1401DPR

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥5.2100 现货:55

  • IV1Q12050T4

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥105.0000 现货:48

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【产品】瞻芯电子1200V 25mΩ Full-SiC半桥功率模块宣布量产,通过JEDEC测试,开关损耗小

    瞻芯电子于2021年9月正式宣布量产1200V 25mΩ Full-SiC半桥功率模块,在现有SiC MOSFET产品和SiC SBD产品基础上,进一步完善SiC产品线,在工业电源、光伏应用等领域,为中等电流SiC应用提供了一种简单灵活的解决方案。

    新产品    发布时间 : 2021-09-23

    【产品】最大结温为175°C的碳化硅肖特基二极管,结壳热阻为1.3 °C/W

    瞻芯电子推出了IV1D06006F5碳化硅肖特基二极管,采用DFN封装,结壳热阻为 1.3 °C/W,最大结温为 175°C,开关特性不受温度影响。

    产品    发布时间 : 2021-09-11

    【产品】高浪涌电流容量的碳化硅肖特基二极管,结壳热阻2.1°C/W,零反向恢复电流电压

    瞻芯电子推出了IV1D06006P3碳化硅肖特基二极管,采用TO252-3封装,结壳热阻为2.1 °C/W,具有高浪涌电流容量,且开关特性不受温度影响。其最大结温为175°C ,高浪涌电流容量。

    产品    发布时间 : 2021-09-10

    【球神直播间】1200V的国产SiC MOSFET替代Cree、Infineon同规格产品的可行性

    本文以瞻芯电子的IV1Q12080T3 1200V 80mOhm为例介绍与竞品的对比测试,参考对象分别是Cree C2M008012和C3M0075120;Infineon IMW120R090M1H和Rohm SCT3080KL。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-08-31

    【经验】国产IGBT/MOS管栅极驱动器在直流充电模块中的应用经验分享

    在直流充电模块产品中,每一相双向开关管IGBT/MOS的驱动芯片目前出现大量缺货,交期不理想,这块大部分厂商使用的是TI的UCC27524, 本文重点介绍国产瞻芯电子IGBT/MOS管栅极驱动器IVCR2404DR,并梳理该产品在直流充电模块中的应用经验和测试数据。

    设计经验    发布时间 : 2021-08-18

    【应用】国产SiC MOSFET用于UPS电源PFC部分,导通电阻低至40mΩ,快速恢复时间仅23ns

    在20kW UPS电源PFC电路中采用三相维也纳拓扑,需要选择耐压650V、电流37-40A的开关管,推荐国产瞻芯电子推出的SiC MOSFET,TO247-3/TO247-4封装,导通电阻40mΩ(典型值)、寄生电容小、工作节温高,价格优势明显等优点。

    应用方案    发布时间 : 2021-08-17

    【产品】采用DFN封装的650V/4A的国产碳化硅肖特基二极管 IV1D06004F5,反向恢复电流、正向恢复电压为零

    瞻芯电子推出反向重复峰值电压高达650V的碳化硅肖特基二极管IV1D06004F5,采用DFN封装,具有高浪涌电流容量、工作节温高(-55°C ~175°C )的特点,可高频工作,适用于光伏微逆变器等应用。

    新产品    发布时间 : 2021-08-10

    瞻芯电子应邀出席EVCP2021并做《高密度全碳化硅充电桩模块设计探讨》专题报告

    2021年7月11日,瞻芯电子应邀参加了由中国电源学会新能源车充电与驱动专业委员会和中国新能源车充电与驱动技术创新联盟联合主办的2021中国新能源车充电与驱动技术大会。瞻芯电子CTO叶忠博士应邀发表了题为《高密度全碳化硅充电桩模块设计探讨》的报告。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-07-23

    【产品】瞻芯电子全新碳化硅专用驱动IVCR1412特点及应用

    2021年1月,上海瞻芯电子继碳化硅MOSFET专用驱动IVCR1401之后,全新推出碳化硅专用驱动产品IVCR1412,封装更小,可以更靠近MOSFET,最大化的实现驱动效力。

    新产品    发布时间 : 2021-06-29

    【球神直播间】国产MOS管栅极驱动器IVCR2404DR替代MIC4424YM用于H桥逆变,驱动电流可达4A

    本文主要推荐国产瞻芯电子MOS管栅极驱动器IVCR2404DR替代MICROCHIP 的MIC4424YM,在MICROCHIP 的MIC4424YM缺货或者需求国产降本替代时,可作球神直播间考虑。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-06-24

    瞻芯电子分析SiC功率器件的可靠性及应用

    上海瞻芯电子经过三年的深度研发和极力攻关,成为中国第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工艺,以及SiC MOSFET驱动芯片的公司。本文就瞻芯电子SiC功率器件的可靠性及应用进行说明,让用户在使用前放心、使用中省心,做出更好的产品。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-05-21

    上海瞻芯电子碳化硅二极管产品通过7项JEDEC国际标准测试,质量超越工规级要求

    瞻芯电子在立项碳化硅二极管产品时,除了设计规划自主知识产权的6英寸碳化硅工艺器件平台以外,还特别注意产品量产所需要的品质与可靠性保障,已通过7项JEDEC国际标准测试,质量超越工规级。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-05-20

    【球神直播间】国产MOSFET驱动芯片IVCR1801SR替代TI的LM5114BMF用于通信电源输出同步整流

    本文主要介绍上海瞻芯电子的MOSFET驱动芯片IVCR1801SR替代TI LM5114BMF在通信电源输出同步整流上进行应用,工作电压、抵抗负压能力更高,驱动电流更大,封装均为SOT-23-6管脚定义相同。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-05-12

    【应用】瞻芯电子20kW碳化硅三相PFC参考设计

    三相PFC是一种高效率大功率无桥功率因数校正电路,本文介绍瞻芯电子的20kW碳化硅三相PFC参考设计,额定功率为20kW,使用1200V/30mΩ SiC MOSFET IV1QXXXXT3,以及专用碳化硅MOSFET驱动IC IVCR1401用于高速桥臂。

    应用方案    发布时间 : 2021-05-05

    【应用】瞻芯电子针对服务器和通信电源的整流器提供千瓦级整流参考设计,满足大电流输出需要

    随着碳化硅和氮化镓的成熟和成本的降低,整流器设计可以采用更优越和更简单的拓扑,以实现96% +的整机效率和工作在更高的开关频率。CCM(连续电流模式)的图腾柱PFC,适合千瓦级的整流设计。对此,瞻芯电子开发了2.5kW图腾柱PFC参考设计。

    应用方案    发布时间 : 2021-05-01

    【应用】瞻芯电子工业8脚SiC MOSFET驱动器实现电动汽车OBC高效稳定设计

    为了提高电动汽车的功率转换效率,减少充电时间,新型电动汽车的设计正在将母线电压从500V升级到800V,先进的宽禁带半导体SiC在新一轮电动汽车发展中发挥着重要作用。SiC MOSFET的开关速度比IGBT快10倍,在175°C结温下工作时性能不会下降,开关损耗减少60%以上。

    应用方案    发布时间 : 2021-04-29

    【应用】瞻芯电子2.5kW碳化硅图腾柱PFC参考设计,效率可达98.7%

    图腾柱PFC是一种高效率的无桥功率因数修整电路。本文介绍一款参考设计,额定功率为2500W,使用瞻芯电子生产的650V/60mΩ SiC MOSFET产品IV1Q06060T3,以及专用碳化硅MOSFET驱动IC IVCR1401用于高速桥臂。

    应用方案    发布时间 : 2021-04-27

    【球神直播间】国产低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2404DR替代UCC27524用于LLC全桥驱动,延时匹配低至1ns

    20KW充电模块DCDC部分电路中采用的全桥LLC拓扑方案,使用TI的UCC23513双5A高低低侧驱动器。本文推荐国产瞻芯电子低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2404DR替代,两通道延时匹配低至1ns,非常适合于服务器和电信电源的同步整流驱动。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-04-25

    【应用】瞻芯电子20kW全碳化硅升压变换器参考设计,峰值效率达99.4%

    SiC MOSFET在高频和高压工况下,具有比IGBT优越的开关特性,开关频率可轻易推到65kHZ或更高,并取得更好的效率,同时也减少BOOST主电感体积、EMI滤波器散热器的体积。本文中瞻芯电子介绍的参考设计是一个20kW升压电路,验证和展示优越SiC MOSFET的开关特性。

    应用方案    发布时间 : 2021-04-23

    国产瞻芯电子碳化硅MOSFET具备优异性能和抗EMI特性,助力设备高效小型化设计

    本文从寄生电容,开关速度,EON,EOFF,轻载损耗和体二级管的反向恢复等角度对碳化硅MOSFET和IGBT等Si器件做了探讨和比较,这些运行参数的优化是实现设备高效小型化的关键。国内品牌瞻芯电子具有特性优异的碳化硅MOSFET,可较好地替代国外产品。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-03-31

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • IV1D12020T3

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥50.0000 现货:30

  • IV1D12015T2

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥40.0000 现货:30

  • IV1D12040U3

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥105.0000 现货:30

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T3/T4用于大功率LLC谐振器,导通电阻仅50mΩ

    在逆变应用领域中,LLC谐振变换器电路中的大功率器件一直多以国外产品为主,由于进口物料的交期和价格都不理想,国产化的需求越来越多,瞻芯电子针对这一需求推出导通电阻仅50mΩ的SiC MOSFET,是LLC谐振器大功率MOS国产化的优秀选择。

    应用方案    发布时间 : 2021-03-31

    【产品】1200V SiC MOS导通电阻低至50mΩ,开关速度达百kHZ,助力设备高效小型化设计 | 视频

    ​在2021年3年26日功率器件专场|世强硬创新产品研讨会中,瞻芯电子推出1200V SiC MOSFET,导通电阻低至50毫欧,采用开尔文连接驱动,带快速恢复体二极管,工作结温最高达175℃,典型结到外壳的热阻0.436℃/W,低寄生电容。

    新产品    发布时间 : 2021-03-29

    【球神直播间】国产低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2401D替代FAN3217用于MOSFET驱动电路

    目前进口品牌缺货严重,MOSFET栅极驱动器国产化的需求越来越多,国产瞻芯电子推出了4A双通道高速栅极驱动器IVCR2401D,电路应用灵活,供电范围宽,能有效、安全地驱动MOSFET和IGBT,可Pin-pin替换进口器件FAN3217用在MOSFET驱动电路中。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-03-28

    独立8脚具有负压和退饱保护功能的碳化硅驱动芯片在工业市场应用

    型号- IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IVCR5401,IV1D12010BC,IVCC1100,IV1D12030U2,IV1D12030U3,IV1D12020T3,IVCC1200,IVCC1101,IVCR2401DP,IV1Q06050T4,IV1Q121

    商品及供应商介绍  -  瞻芯电子 中文 下载

    【球神直播间】国产双通道门极驱动IVCR2401DR可pin-pin替换FAN3224C,峰值电流达6.6A

    微逆主要拓扑结构由交错反激电路、逆变部分组成。反激升压部分,一般由一组或多组并联组成,一组反激结构有两个MOS,常用ON的门极驱动FAN3224C。本文通过电性能参数等介绍国产瞻芯电子双通道门极驱动IVCR2401DR,可pin-pin替换FAN3224C。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-03-25

    【球神直播间】吸尘器电机驱动推荐国产单通道驱动器IVCR1801,可兼容替换IEDN7511B

    在吸尘器电机驱动方案中一般会选用MOS作为功率开关器件,功率方案就需要MOS驱动,本文推荐瞻芯电子单通道驱动器IVCR1801S,具有4A峰值拉电流和8A峰值灌电流,6引脚SOT-23封装适合高集成方案PCB布局,且可兼容替换1EDN7511B。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-03-24

    碳化硅功率器件与驱动芯片整合供应商瞻芯电子(InventChip),为电源和电驱动系统提供完整的半导体解决方案

    日前,上海瞻芯电子科技有限公司与世强硬创电商签订授权代理协议,世强成为其战略合作伙伴,双方将在世强硬创平台线上及线下展开深入广泛合作。瞻芯电子已在平台上线其全线产品以及相关技术资料。瞻芯电子(InventChip)专注于碳化硅(SiC)半导体领域, 已成为中国第一家掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工艺以及SiC MOSFET驱动芯片的公司。碳化硅是第三代半导体的主要材料之一,能实现设备的小型

    公司动态    发布时间 : 2021-02-04

    【球神直播间】国产MOSFET/IGBT驱动芯片对比TI UCC27511,可P2P替换

    IVCR1801S是瞻芯电子推出MOSFET/IGBT驱动芯片,让瞻芯的驱动芯片进口替代系列更加完善。除了相当有竞争力的价格外,拥有与进口品牌相媲美的性能。本文就IVCR1801S与TI UCC27511做对比,让大家在球神直播间过程中有更大的选择范围。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-02-03

    【球神直播间】国产MOSFET/IGBT驱动芯片对比TI UCC27517,工作电压更宽,开关损耗更小

    2020年8月,瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S诞生,成为替代外资品牌的另一生力军,除了相当有竞争力的价格外,拥有与市场上主流产品相当的质量与性能。本文对比IVCR1407S与TI UCC27517。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-02-02

    【应用】采用开环LLC+电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计

    国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%,揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。

    应用方案    发布时间 : 2020-12-29

    【产品】8管脚封装集成负压驱动并具备保护和通信功能的国产碳化硅MOSFET栅极驱动芯片

    IVCR1401是上海瞻芯电子第一颗量产产品,也是世界上唯一一款在8管脚封装集成负压驱动,并提供所有必需的保护和通信功能的碳化硅MOSFET栅极驱动芯片,可以使系统设计更为精简、可靠,从而推动碳化硅功率器件的更快普及和广泛应用。

    新产品    发布时间 : 2020-12-24

    【视频】独立8脚具负压和退饱合保护功能的碳化硅驱动芯片在工业市场应用|世强硬创新产品在线研讨会

    在世强硬创新产品在线研讨会——国产工业专场中,瞻芯电子技术专家为我们做了演讲。瞻芯电子高速4A拉灌电流的碳化硅驱动芯片是工业界首款采用8引脚封装,包括负压生成,退饱和以及UVLO设置的SiC MOSFET和IGBT驱动芯片,专为低侧驱动设计,可在自举电路或隔离偏置中应用,也非常适合于高侧驱动。可媲美国际大厂,交期4-6W,可广泛应用于工业电源、UPS、光伏逆变等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-12-23

    活动泰科天润、瞻芯电子、中电国基南方等国产碳化硅器件,支持650V-3300V,10倍抗浪涌电流 ,VF值1.23V

    世强硬创电商代理泰科天润、上海瞻芯、中电国基、基本半导体、美浦森、派恩杰,六家国产碳化硅器件 。本次活动厂牌的型号,支持免费样品申请,并且保证100%原厂正品。下载【活动资料】¥400网红潮品Hi-Fi音箱、¥188 无线手机充电器×5!品牌及主要产品中国碳化硅(SIC)功率器件产业化的倡导者之一,也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商。泰科天润(GPT)拥有一座完整的半导体

    活动    发布时间 : 2020-12-04

    【产品】业界首创独立8脚带负压和退饱和功能的碳化硅驱动芯片IVCR1401

    国产品牌瞻芯电子的IVCR1401是一款高速4A拉、灌电流的SiC MOSFET和IGBT驱动芯片,是工业界首款采用8引脚封装,包括负压生成,退饱和以及UVLO设置的SiC MOSFET和IGBT驱动器,专为低侧驱动设计,但在自举电路或隔离偏置中应用,也非常适合于高侧驱动。

    新产品    发布时间 : 2020-11-30

    【球神直播间】国产低侧栅极驱动芯片IVCR2401可替换UCC27524用于空调

    国产品牌瞻芯电子开发了一系列低侧栅极驱动芯片,可以Pin-to-Pin完全兼容替代国外已量产商用的栅极驱动芯片。IVCR2401已经替换UCC27524在麦格米特获得了大批量订单,并成功的在空调机上进行了应用。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-10-26

    【产品】瞻芯电子发布基于6英寸晶圆的1200V/80mΩ工规级SiC MOSFET,填补国内空白

    2020年10月16日,“2020年瞻芯电子产品发布会”顺利举办,正式发布基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V/80mΩ碳化硅(SiC)MOSFET产品。这是首款在国内设计研发、国内6英寸生产线制造流片的碳化硅MOSFET,该产品的发布填补了国内空白,性能达到国际先进水平。

    新产品    发布时间 : 2020-10-22

    【应用】1200V SiC MOSFET和SiC SBD用于20KW BOOST,超宽负载范围效率超过98%

    碳化硅器件属于宽禁带器件的一种,具有更高的阻断电压,更低的导通电阻和更高的导热性,因此可以在某些应用场合替代传统硅器件。本文介绍瞻芯电子旗下1200V/50mΩ SiC MOSFET和1200V/30A碳化硅二极管用于20KW BOOST。

    应用方案    发布时间 : 2020-09-22

    瞻芯电子碳化硅二极管批量助力麦格米特充电模块制造

    2019年底瞻芯电子的碳化硅二极管产品系列在深圳麦格米特电气股份有限公司认证通过并启动小批量验证试产。经过半年的生产实践,麦格米特同意瞻芯电子该产品系列在充电模块产品线上可逐步全方位替代进口器件,进入批量采购阶段。

    行业资讯    发布时间 : 2020-09-18

    瞻芯电子为高可靠性而设计的碳化硅二极管,超过工规级JEDEC要求

    碳化硅二极管产品系列主要应用于工业开关电源和新能源汽车电子领域,因此产品在严苛应用条件下的鲁棒性和可靠性,是产品设计和制造的重中之重。上海瞻芯电子的技术开发团队,从设计阶段开始,就将鲁棒性和可靠性作为最核心的开发目标之一,并始终贯穿于产品的整个开发及量产过程。

    厂牌及品类    发布时间 : 2020-08-25

    【球神直播间】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR2404与TI UCC27524功能对比

    上海瞻芯电子的MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR2404,结合了国外一线产品的一些特点,拥有与市场上主流产品相当的质量与性能。现就瞻芯电子的驱动芯片IVCR2404与TI UCC27524做个简单的对比。让大家在球神直播间过程中有更大的选择范围,准确选到心仪的产品。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-08-19

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • IV1D12030U3

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥75.0000 现货:30

  • IV1D12010T2

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥28.0000 现货:30

  • IV1D12010O2

    厂牌:瞻芯电子

    价格:¥28.0000 现货:25

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【球神直播间】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR2401对比Microchip MIC4424,性能更优

    2019年9月瞻芯电子第一款MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR2401推向市场,此款驱动芯片结合了国内外同行的一些特点,拥有优于市场上主流产品质量与性能。现就瞻芯电子的驱动芯片IVCR2401与Microchip MIC4424做个简单的对比。让大家在产品开发球神直播间过程中有更多的选择,选到性价比更优的产品。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-08-06

    【球神直播间】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR2401对比IR的IR4427,性价比更优

    2019年9月瞻芯电子第一款MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR2401推向市场,此款驱动芯片结合了国外同行产品的一些特点,拥有优于市场上主流产品的质量与性能。下面将瞻芯电子的驱动芯片IVCR2401与IR的IR4427做个简单的对比。让大家在产品开发球神直播间过程中有更多的选择,选到性价比更优的产品。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-08-05

    【球神直播间】4A双通道高速栅极驱动器IVCR2401可替换TI的UCC27424,供电/信号电压更宽

    目前市场国产化需求也越来越多,瞻芯电子的双通道高速栅极驱动器IVCR2401可直接替代TI的UCC27424应用于驱动电路中。IVCR2401的供电电压和信号电压上,其参数范围更宽,上升下降时间更短,输出脉冲峰值更大,这些优势体现在器件实际工作中的余量更大,器件可靠性更高。但在信号上升下降延时和工作温度范围稍有劣势。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-07-26

    【球神直播间】国产碳化硅MOSFET IV1Q12080T3可PIN-PIN替换C2M0080120D,更高工作结温175℃

    为实现设备小型化,目前也在不断的用碳化硅(SiC)器件替换升级原先的硅(Si)器件。本文推荐国产瞻芯电子碳化硅MOSFET IV1Q12080T3,TO-247-3L封装,漏源电压1200V,导通电阻为80mR,可PIN-PIN替换市场主流的wolfspeed C2M0080120D,工作结温范围更宽-55℃到175℃,工作可靠性更高。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-07-21

    【产品】650V/10A的碳化硅肖特基二极管芯片IV1D06010BC

    上海瞻芯电子推出的碳化硅肖特基二极管芯片IV1D06010BC,芯片尺寸为1.94×1.94mm²,其直流反向峰值电压为650V,有着高浪涌电流容量 ,开关特性不受温度影响的优秀特性,可应用于太阳能升压器、AC/DC变换器等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-07-20

    【产品】1200V/15A碳化硅肖特基二极管IV1D12015T2,开关特性不受温度影响、零正向恢复电压

    瞻芯电子推出的1200V 15A 碳化硅肖特基二极管IV1D12015T2,其反向重复峰值电压为1200V,直流反向峰值电压为1200V,有着开关特性不受温度影响、零正向恢复电压等优良特性,可应用于太阳能升压器、维也纳三相 PFC 整流变换器等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-07-17

    【产品】1200V/10A碳化硅肖特基二极管 IV1D12010O2,最大结温为175°C

    上海瞻芯电子的碳化硅肖特基二极管 IV1D12010O2,TO220-2封装,反向重复峰值电压为1200V,具有高浪涌电流容量,零反向恢复电流,零正向恢复电压,开关特性不受温度影响等特点,最大结温为175°C,可应用于太阳能升压器,逆变器续流反并联二极管,维也纳三相PFC整流变换器,EV 充电桩,开关电源等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-07-16

    【产品】1200V/30A碳化硅肖特基二极管IV1D12030U2,最大结温为 175°C

    上海瞻芯电子的碳化硅肖特基二极管 IV1D12030U2,TO247-2封装,反向重复峰值电压为1200V,正向持续直流电流为30A(@Tc=141℃),具有零反向恢复电流,零正向恢复电压,开关特性不受温度影响等特点,最大结温为175°C,可应用于太阳能升压器,逆变器续流反并联二极管,维也纳三相PFC整流变换器,EV 充电桩,开关电源等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-07-15

    【产品】1200V 80mΩ SiC MOSFET IV1Q12080T3,采用TO247-3封装

    IV1Q12080T3是瞻芯电子推出的1200V 80mΩ SiC MOSFET,采用TO247-3封装,可在-55到175℃范围内工作。它有着高压、低导通电阻、高速、寄生电容小等优良特性,可应用于光伏逆变器、UPS 电源等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-07-14

    【产品】1200V/20A碳化硅肖特基二极管IV1D12020T3,采用TO247-3封装

    上海瞻芯电子的碳化硅肖特基二极管 IV1D12020T3,TO247-3封装,反向重复峰值电压为1200V,具有高浪涌电流容量,零反向恢复电流,零正向恢复电压,开关特性不受温度影响等特点,最大结温为175°C,可应用于太阳能升压器,逆变器续流反并联二极管,维也纳三相PFC整流变换器,EV 充电桩,开关电源等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-07-14

    【产品】1200V/20A碳化硅肖特基二极管IV1D12020U2,采用TO247-2封装

    上海瞻芯电子的碳化硅肖特基二极管 IV1D12020U2,TO247-2封装,反向重复峰值电压为1200V,正向持续直流电流为22A(@Tc=150℃),具有零反向恢复电流,零正向恢复电压,开关特性不受温度影响等特点,最大结温为175°C,可应用于太阳能升压器,逆变器续流反并联二极管,维也纳三相PFC整流变换器,EV 充电桩,开关电源等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-07-13

    【产品】35V/4A的单通道高速智能驱动器IVCR1401,集成负压偏置、可高效安全驱动SiC MOSFET和IGBT

    上海瞻芯电子的IVCR1401是一款35V/4A单通道高速智能驱动器, 能够高效、安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。 带有负压的驱动可以在高dv/dt下,提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护,并降低电源设备和系统元件损坏的风险。

    新产品    发布时间 : 2020-07-12

    【产品】1200V/20A的碳化硅肖特基二极管 IV1D12020T2,TO247-2封装

    上海瞻芯电子的碳化硅肖特基二极管IV1D12020T2,TO247-2封装,反向重复峰值电压为1200V,正向持续直流电流为20A(@Tc=151℃),具有零反向恢复电流,零正向恢复电压,开关特性不受温度影响等特点,最大结温为175°C,可应用于太阳能升压器,逆变器续流反并联二极管,维也纳三相PFC整流变换器,EV 充电桩,开关电源等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-07-11

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