派恩杰

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派恩杰(PN Junction)是一家第三代半导体功率器件设计公司(Fabless模式),致力于碳化硅与氮化镓功率器件的研发迭代与量产转化,主要产品包含碳化硅MOS,碳化硅SBD,氮化镓三极管等。派恩杰获全球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂及全球Top5封装厂代工支持,实现开模量产与技术升级,成功研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件,并完成Gen3技术的1200V碳化硅MOS,填补国内技术产业空白。   查看更多

派恩杰产品球神直播间帮助

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派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET球神直播间指南

目录- 碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOSFET   

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D0600

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派恩杰碳化硅SIC SBD球神直播间表

派恩杰碳化硅SBD核心参数正向压降小VF可达1.29V,达国外最新产品标准.符合AEC-Q101质量标准。 650V 6A 8A 10A 封装:TO220-2。650V 20A 封装:TO220-F

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派恩杰碳化硅SIC MOSFET球神直播间表

碳化硅MOS 1200V/ 25mΩ 80 mΩ 120 mΩ,1700V/3Ω,650V40 mΩ 原胞(pitch)尺寸在3.2~6um,比导通可达2.8mΩ,与国际领先水平比肩,符合AEC-Q101,HDFM品质因数可达1.29,跟同业客户相比,整体损耗更小,效率更高

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PN Junction P3M06040K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode,High Blocking Voltage with Low On-Resistance

PN Junction P3M06040K3 SiC MOS N-Channel Enhancement Mode.Thermal Resistance from Junction to Case RθJC 0.59 °C/W; Wide range of applications: Solar Inverters, EV Battery Chargers, High Voltage DC/DC Converters, etc.

新产品    发布时间 : 2022-01-26

派恩杰车规级SiC MOSFET获新能源汽车客户认可,拟建国内首条车用SiC模块封装产线

派恩杰SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破,率先“上车”,并且获得新能源汽车龙头企业数千万订单,开始低调供货。未来也计划在国内建立首条车用碳化硅模块的封装产线,以更好服务整车厂和Tier 1厂商,同时还为光伏、储能等等涉及到功率器件的应用提供工业级产品的支持。

厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-19

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • P2D06010T2

    厂牌:派恩杰

    价格:¥11.1840 现货:50

  • P2D06006T2

    厂牌:派恩杰

    价格:¥6.7040 现货:50

  • P3D06008T2

    厂牌:派恩杰

    价格:¥9.5360 现货:15

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    国产SiC功率器件供应商派恩杰具备国际领先技术优势,持续在新能源领域发力

    国产SiC功率器件供应商派恩杰半导体(杭州)有限公司的SiC MOSFET在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破,获得了新能源汽车龙头企业数千万订单。派恩杰产品具有突出的优质性能,正是高标准的产品品质,帮助派恩杰在全球半导体行业缺货的大背景下率先实现上车。

    厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-18

    国产SiC MOSFET“隐形王者”派恩杰半导体,打入汽车市场迎接OBC爆发期

    碳化硅MOS不限于汽车领域,在工业变频控制器、空压机、水泵、工业传动以及储能、光伏逆变等都能得到应用。派恩杰已经率先进入碳化硅MOSFET领域并实现工业级、车规级量产出货,必将在政策推动、新兴产业蓬勃发展的机遇下,实现更高的成长。

    厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-17

    【经验】SiC MOSFET替代Si MOSFET,自举电路是否适用?

    SiC MOSFET的驱动与Si MOSFET到底有什么区别,替代时电路设计如何调整,是工程师非常关心的。本文派恩杰将分享SiC MOSFET驱动常规自举电路的注意事项。

    设计经验    发布时间 : 2022-01-14

    新能源OBC放量,派恩杰SiC MOSFET凭世界领先性能率先上车

    在新能源汽车中,OBC技术的进步与用户充电体验有着非常大的关系。随着电动汽车的市场扩大和储能市场的兴起,对OBC在性能上提出了更高的要求。派恩杰采用自己的芯片,对芯片在工业和汽车上的应用积累了大量的数据,推出SiC MOS,可以给客户提供最优的解决方案。

    厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-12

    新能源汽车OBC放量,国产派恩杰SiC产品获国内龙头企业数千万订单

    派恩杰的SiC MOSFET对标的是Wolfspeed的第三代平面栅SiC MOSFET,在客户端的评测中,性能全球前三。在全球半导体行业缺货的大背景下,派恩杰紧抓发展机遇,率先顺利“上车”。在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破,获得了新能源汽车龙头企业数千万订单。

    厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-11

    车规SiC缺口超100万片,国产派恩杰SiC MOS保障OBC顺利交付,市场出货量预计增长8倍

    全球汽车级碳化硅供给紧张,缺口高达100万片,目前某龙头企业的SiC MOSFET交期长达560天。目前国产碳化硅企业派恩杰的大部分产能都将用于保障OBC订单的交付,他们将扩产产能,预计未来三家的出货量相比过去三年将增长8倍。

    行业资讯    发布时间 : 2022-01-10

    SiC MOSFET批量上车,国内厂商正迎新能源发展机遇

    业界普遍将第三代半导体材料的优秀代表—碳化硅(SiC)视为替代IGBT的理想方案。派恩杰的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证已经取得了重大突破,使用纳米银焊接的技术,选择工作高温的封装材料来提高整个SiC的工作结温,大大提高模块的可靠性,且符合车规级要求。

    厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-07

    派恩杰助力中国碳化硅供应链突破,短期Fabless仍占技术和产能优势

    在多年积淀的技术优势基础上,派恩杰正在更多领域、更多应用的开发上帮助客户实现产品创新,力求突破当前产能紧张的掣肘,提高供应交付能力,推动全球碳化硅产业发展,也为助力中国达成“双碳”目标而不懈努力!

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-31

    技术和产能双管齐下,派恩杰半导体喜获2021年度最具潜力IC设计企业

    派恩杰半导体立足于第三代半导体技术,以车规级标准设计碳化硅功率器件,已经拥有业界领先的碳化硅芯片设计技术。至今派恩杰已经量产650V/1200V/1700V三个电压平台的SiC SBD与SiC MOSFET器件,产品性能指标HDFM全球领先。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-30

    第三代半导体市场份额不足10%,仍需要在技术验证上进行突破

    派恩杰半导体是针对第三代半导体功率器件的设计公司,专注于数据中心等场景的电源,交流转直流、直流转交流的应用,以及风机并网、电动汽车充电桩、储能等领域,产品的主要优势是提高效率,减少重量。

    行业资讯    发布时间 : 2021-12-15

    派恩杰SiC MOSFET批量“上车”,拟建车用SiC模块封装产线

    国产碳化硅功率器件供应商派恩杰半导体(杭州)有限公司(简称派恩杰)的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破,获得了新能源汽车龙头企业数千万订单,并已开始低调供货。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-08

    【技术】SiC MOSFET替代Si MOSFET,只有单电源正电压时如何实现负压?

    目前SiC MOSFET多为+15/-3V与+20/-5V电压驱动。要在Si MOSFET单电源正压驱动电路中中实现负压电路,可以在驱动回路中增加少量元件产生所需要的负压,如需要+15/-3V的驱动电压,则单电压需要提供+18V即可,具体两种方案可以实现,本文将具体讲解。

    技术探讨    发布时间 : 2021-12-06

    派恩杰将携650V-2000V碳化硅功率器件和模块亮相电源年会及展览会,关键性能参数达到国际一流水准

    中国电源学会第二十四届学术年会暨展览会(CPSSC 2021)将于2021年11月12日-15日在上海召开。活动旨在促进电源界海内外华人学者的学术交流,促进产、学、研的合作。派恩杰将携650V-2000V碳化硅功率器件和模块亮相电源年会及展览会。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-08

    派恩杰研发出全球Qgd*Rds(on)最小的SiC MOS,获2021年金翎奖车规级功率器件年度创新技术产品奖

    2021年11月4-5日举办的2021中国国际车规级功率半导体年会为车企和芯片企业搭起了一座沟通的桥梁。派恩杰半导体有限公司被授予2021年金翎奖-车规级功率器件器件年度创新技术产品奖。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-07

    A Strategic Partnership Established between Worldwide Leading Foundry X-FAB and A New Chinese SiC Rising Star - PN Junction Semiconductor

    A few days ago, X-FAB Silicon Foundries and PN Junction Semiconductor announced that they have established a strategic partnership for the manufacturing of SiC wafers and have been cooperating for nearly three years.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-04

    PN Junction SiC&GaN Power Devices Have Reached the WW First-class Level,Will Set Up European & North American Sales Team to Provide Global Services

    The Chinese SiC & GaN power device supplier PN Junction Semiconductor announced that it will cooperate with Foxy Power in Germany to form a European & North American sales team.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-02

    650V/60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比,国产器件重载时温度更低

    目前市场上CREE、UnitedSiC、罗姆、Infineon都有650V SiC MOSFET产品,国内厂商派恩杰半导体也推出了该产品。本文主要介绍派恩杰针对650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能的测试结果。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-10-20

    派恩杰半导体凭借SiC功率器件技术喜获“「金长城」奖-年度最具成长性企业”殊荣

    2021年10月12日,《21世纪经济报道》主办的“2021中国智造业年会”会上,揭晓了“2021中国智造「金长城」奖”的评选结果。派恩杰半导体凭借全球领先的SiC功率器件技术喜获“「金长城」奖-年度最具成长性企业”殊荣。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-10-15

    【产品】国内首款1700V 3Ω SiC MOSFET获“低碳能效奖”,可有效提升电源效率4%

    P3M173K0K3是派恩杰半导体有限公司针对高压辅助电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on), 可以提高辅助电源系统效率、简化驱动电路设计,降低散热成本,大幅度减少辅助开关电源成本。

    新产品    发布时间 : 2021-10-12

    国产各种电压SiC MOSFET器件,可提升新能源汽车800V系统的效率和性能

    在2021 APS国际汽车动力系统峰会上,国产SiC MOSFET器件技术先驱者——派恩杰半导体有限公司总裁黄兴博士,分享了新能源汽车技术创新的发展趋势以及车规级第三代半导体技术的突破和应用。以下是本次分享的主要内容:

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-27

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • P4D06020F2

    厂牌:派恩杰

    价格:¥22.3520 现货:10

  • P3D06010T2

    厂牌:派恩杰

    价格:¥11.9200 现货:10

  • P4D06010F2

    厂牌:派恩杰

    价格:¥12.4000 现货:10

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    【应用】派恩杰SiC应用评估板应用案例分享

    派恩杰在国际电力元件、可再生能源展览会上展出的SiC应用评估板备受关注。例如采用 1700V SiC MOSFET代替高压800V Si MOSFET做高压工业辅助电源,效率可以提高1.6%。本文将主要分享派恩杰的SiC应用评估板。

    应用方案    发布时间 : 2021-09-23

    车用碳化硅器件市场2025年将达500亿元!国产厂商派恩杰蓄势待发

    从市场容量来看,中国2020年汽车销量2500万辆,2025年电动汽车占比要达到20%,预计对碳化硅6英寸晶圆的产能年需求达100万片,仅车用碳化硅器件市场约500亿元。派恩杰目前已量产650/1200/1700V三个电压平台的SiC SBD与SiC MOSFET器件。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-23

    国产派恩杰SiC器件性能已媲美国外大厂,电车800V趋势下或迎来爆发

    碳化硅MOSFET对于未来最大的应用去世电动汽车来讲,能让整车重量更轻、体积更小、效率更高。派恩杰从晶圆到封装的整条供应链完全符合车规要求,已发布50余款SiC SBD、SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件,在海内外被部分一线客户导入使用。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-19

    派恩杰(PN Junction)公司简介

    型号- P2D06006T2,P3D06010F2,P3M12025BD,P2D06004T2,P3D06016K3,P2D06010T2,P2D12010T2,P3D06008F2,P3D12010T2,P3M12120K3,P3M12080K4,P3D06010T2,P3M12080K3,P3M0604

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    派恩杰携1200V SiC模块和650V/1200V SiC SBD参展PCIM Asia

    派恩杰参展PCIM Asia,推出的1200V SiC模块散热能力强,易于安装设计,提高功率密度有所提升,主要应用在大功率工业逆变器,机车牵引中。650V/1200V SiC SBD具有超低反向恢复损耗,可降低EMI,提升体统效率。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-14

    布局全球,碳化硅功率器件设计及方案商派恩杰半导体再获数千万Pre-A轮融资

    派恩杰已量产50余款SiC SBD、SiC MOSFET功率器件及模块,据派恩杰官方消息称,继创东方投资、天际资本后再获湖杉资本数千万Pre-A轮融资,本次融资资金将用于更高电压平台功率器件产品的研发和全球市场的布局。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-13

    国产派恩杰SiC&GaN功率器件已达国际一流水平,组建欧洲销售团队争取海外市场

    日前,SiC&GaN功率器件设计和方案商派恩杰官方正式宣告与德国Foxy Power合作组建欧洲&北美销售团队。派恩杰已经发布了50余款功率器件,产品性能已达国际一流水平,争取成为在海外市场最大份额的中国SiC&GaN品牌。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-10

    派恩杰SiC SBD & SiC MOS替代对照表(CREE/INFINEON/ST)

    型号- P3D06010I2,C3D02065E,P3D06020F2,STPSC16H065C,P3D06016I2,C3D10065I,P3M173K0T3,C6D10065A,IMZA65R072M1H,P3M12080K4,P3M12080K3,P3D06006T2,SCTWA35N65G2VAG

    对照表  -  派恩杰 中文 下载

    模拟晶圆代工龙头企业X-FAB与国产SiC功率器件供应商派恩杰达成长期战略合作

    2021年9月6日,模拟晶圆代工龙头企业X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)和国产SiC功率器件供应商派恩杰联合对外宣布,双方就批量生产SiC晶圆建立长期战略合作关系,此前双方已经合作近三年时间。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-08

    派恩杰携50余款达国际一流水平的国产SiC SBD、SiC MOS、GaN HEMT及应用DEMO即将亮相PCIM展

    2021PCIM展,派恩杰将携50余款650V/1200V/1700V SiC SBD&SiC MOS、650V GaN HEMT功率器件亮相,展示最新的高压工业辅助电源、SiC MOSFET动态性能评估板、SiC MOSFET Buck/Boost评估板等产品。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-03

    活动ROHM,Littelfuse,UnitedSiC等650V-3300V SiC器件,助力设备高频、高效率、小型化

    世强元件电商代理数10家国内外顶级SiC器件品牌,包括ROHM,Littelfuse,UnitedSiC,先导中心,CALY,泰科天润等,SiC支持650V-3300V耐压等级,供货有保障,价格优惠。

    活动    发布时间 : 2021-09-01

    【经验】SiC MOSFET选择与实际应用中的常见问题集

    本文派恩杰针对常见问题进行归纳总结并分享一些解决办法,具体包括:SiC 器件性价比问题、SiC MOSFET的桥臂串扰问题、SiC MOSFET驱动电压的选择、SiCMOSFET的门极震荡问题、SiC MOSFET的电压尖峰、SiC MOSFET并联注意事项等。

    设计经验    发布时间 : 2021-08-29

    如何比较SiC功率器件性能,兼评市面上主要SiC产品的技术先进性

    在交通工具电气化,新大基建等项目的推动下,碳化硅器件将成为各大电源厂的战略布局重点。能抢占SiC功率器件的最新技术和产能的电源厂将得到不可比拟的战略优势。本文将介绍如何比较SiC功率器件性能,并对市面上主要SiC产品的技术先进性进行分析。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-08-19

    经过严格测试,派恩杰SiC MOSFET短路能力已达世界一流水平

    测试表明,派恩杰短路测试平台稳定可靠。派恩杰的SiC MOSFET中 P3M12017K4和P3M12025K4的短路能力已经达到了实际应用电路的使用要求,P3M06060K4(650V、60mΩ)的短路能力更是达到了世界一流水平。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-07-06

    派恩杰在国内率先推出1200V/20mΩ SiC MOSFET,提升电动汽车性价比

    据业内人士统计,使用SiC MOSFET作为主驱逆变器的电动汽车,其整车混合使用效率较传统IGBT高出5-7%!针对未来车用市场的需求,派恩杰在国内率先推出1200V 20mΩ SiC MOSFET,根据封装散热条件不同,额定电流74~105A。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-02

    【产品】派恩杰推出高性能SiC MOSFET动态性能评估板,提供驱动设计解决方案

    考虑到SiC MOSFET的高速性,对回路寄生参数极其敏感,对PCB Layout要求严格,因此派恩杰推出高性能SiC MOSFET动态性能评估板,给客户提供驱动设计解决方案,同时用于搭建双脉冲测试平台评估SiC MOSFET开关动态性能。

    新产品    发布时间 : 2021-05-27

    派恩杰自主研发先进的动态参数测试平台,SiC MOS性能实测达到国际一流水平

    为了更准确地评估SiC MOS的动态性能,派恩杰自主研发了先进的动态参数测试平台。在相同测试条件下,对派恩杰与多家国际主流厂商的SiC MOS功率器件进行动态性能实测对比。结果表明派恩杰的SiC MOS性能已达到国际一流水平。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-04-29

    国产第三代半导体企业探索SiC MOSFET驱动设计如何避免误开通并提出避免的解决方案

    功率回路中高速变化的dv/dt通过寄生电容耦合到驱动回路会使得门极振荡甚至误开通,从而导致桥臂直通,器件损毁。本文中派恩杰以650V/40mΩ的器件为例对SiC MOSFET驱动误开通现象进行深入探讨,并提出避免误开通的解决方案。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-04-01

    第三代半导体功率器件设计和方案商派恩杰完成数千万融资,发力车用碳化硅领域

    第三代半导体功率器件设计和方案商派恩杰半导体(杭州)有限公司近日完成了数千万元天使轮融资。派恩杰是目前国内唯一自研并向市场广泛推广碳化硅SBD+MOS系列产品线的供应商,主打的碳化硅MOSFET产品平均比国内同行领先3-5年,关键性能参数达到全球一流水准。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-03-10

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • P3M173K0K3

    厂牌:派恩杰

    价格:¥25.6000 现货:

  • P3M12025K4

    厂牌:派恩杰

    价格: 现货:

  • P3M12017K4

    厂牌:派恩杰

    价格:¥589.2000 现货:

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    国产派恩杰MOSFET经过大量TDDB实验,提供万年使用寿命级别器件

    TDDB作为一种评测栅氧可靠性的实验方法,可以检测、评价MOSFET的栅氧质量,基于实验数据还可建立栅氧使用寿命预测模型、栅氧不良品筛选模型。派恩杰作为国内前沿的SiC MOSFEET供应商,每一批量产MOSFET都经过了大量TDDB实验,建立了精确的寿命预测模型。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-03-05

    【产品】650V SiC肖特基二极管P4D06010T2,通过了100% UIS测试

    国产品牌派恩杰推出的SiC肖特基二极管P4D06010T2,具有超快的开关速度,零反向恢复电流,高频工作等特点,通过了100% UIS测试。反向重复峰值电压最大额定值为650V,耗散功率最大额定值为125W。

    新产品    发布时间 : 2021-01-11

    【产品】符合AEC-Q101标准的650V碳化硅肖特基势垒二极管P2D06030K3

    派恩杰推出的P2D06030K3是一款符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基势垒二极管,反向重复峰值电压为650V。具有超快的开关速度、零反向恢复电流,可高频工作,基本没有开关损耗,可提高系统效率,降低对散热器的要求。

    新产品    发布时间 : 2021-01-10

    【产品】符合AEC-Q101标准的650V碳化硅肖特基势垒二极管P2D06015I2

    派恩杰推出的P2D06015I2是一款符合AEC-Q101标准的碳化硅肖特基势垒二极管,采用TO-220I-2封装,反向重复峰值电压为650V。具有超快的开关速度、零反向恢复电流和低正向电压,可高频工作,基本没有开关损耗,可提高系统效率,降低对散热器的要求。

    新产品    发布时间 : 2021-01-05

    活动泰科天润、瞻芯电子、中电国基南方等国产碳化硅器件,支持650V-3300V,10倍抗浪涌电流 ,VF值1.23V

    世强硬创电商代理泰科天润、上海瞻芯、中电国基、基本半导体、美浦森、派恩杰,六家国产碳化硅器件 。本次活动厂牌的型号,支持免费样品申请,并且保证100%原厂正品。下载【活动资料】¥400网红潮品Hi-Fi音箱、¥188 无线手机充电器×5!品牌及主要产品中国碳化硅(SIC)功率器件产业化的倡导者之一,也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商。泰科天润(GPT)拥有一座完整的半导体

    活动    发布时间 : 2020-12-04

    具有优异雪崩耐受性的国产SiC二极管,雪崩电流中值达同行2~3倍

    派恩杰SBD产品的雪崩电流中值能达到G公司产品雪崩电流中值的2~3倍,无论是设计,还是原材料,工艺的水准都超过国内同行,达到业界领先水平,给客户提供具有高雪崩耐受力的SiC产品。

    厂牌及品类    发布时间 : 2020-12-01

    【产品】650V/TO-252-2封装的SiC SBD P3D06002E2,AEC-Q101认证

    派恩杰推出的P3D06002E2是一款AEC-Q101认证合格的SiC SBD(碳化硅肖特基二极管),采用TO-252-2封装,反向重复峰值电压为650V,正向电流为2A,典型正向电压为1.39V,正向电压具有正温度系数,具有超快的开关速度和零反向恢复电流,基本没有开关损耗。

    新产品    发布时间 : 2020-11-25

    【产品】1200V/80mΩ的N沟道增强型碳化硅MOSFET,AEC-Q101认证合格

    P3M12080K4是派恩杰推出的采用TO-247-4封装的N沟道增强型碳化硅MOSFET,漏源电压1200V,AEC-Q101认证合格,具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点,通过了100%UIS测试,符合RoHS标准,无卤素。

    新产品    发布时间 : 2020-11-24

    【产品】650V/TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET,符合AEC-Q101标准

    P3M06040K4/P3M06060K4是派恩杰推出的两款漏源电压650V,TO-247-4封装的N沟道增强型SiC MOSFET,无卤素,符合RoHS标准。产品通过了100%UIS测试,符合AEC-Q101标准,适用于太阳能逆变器,电动汽车电池充电器等。

    新产品    发布时间 : 2020-11-14

    【产品】650V/39W的SiC肖特基二极管P4D06002E2,零反向恢复电流

    派恩杰的SiC肖特基二极管P4D06002E2,反向重复峰值电压最大额定值为650V,耗散功率最大额定值为39W,具有超快的开关速度,零反向恢复电流,高频工作等特点,可用于消费类SMPS,PFC和DC/DC升压二极管,AC/DC转换器等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-10-23

    【产品】国产650V SiC SBD P3D06006I2系列,具有零反向恢复电流

    派恩杰650V的SiC SBD:P3D06006I2、P3D06008I2、P3D06010I2、P3D06016I2、P3D06020I2,符合RoHS标准,无卤素添加,具有零反向恢复电流,VF具有正温度系数,高浪涌电流保护能力等特点,可用于开关电源SMPS,PFC或DC/DC级的升压二极管,AC/DC变换器。

    新产品    发布时间 : 2020-10-16

    【产品】派恩杰推出国内首款1700V SiC MOSFET,大幅减少辅助开关电源成本

    派恩杰半导体(杭州)有限公司推出国内首款1700V/3Ω的SiC MOSFET P3M173K0K3,最大漏极电流为2.7A。该产品针对高压辅助电源应用而开发,具有较高的耐压,极低的栅极电荷,较小的导通电阻Rds(on),使得其广泛适用于工业电机驱动,光伏,直流充电桩,储能变换器及UPS等三相功率变换系统中辅助电源设计。

    新产品    发布时间 : 2020-09-26

    【产品】650V SiC SBD P4D06020I2/P4D06010I2,符合AEC-Q101标准

    派恩杰的650V SiC SBD P4D06020I2、P4D06010I2,符合AEC-Q101和RoHS标准,无卤素添加。两款产品均采用TO-220I-2封装,具有零反向恢复电流和低正向压降,VF具有正温度系数,具有提高系统效率,减少散热器需求等使用优势。

    新产品    发布时间 : 2020-09-25

    【产品】650V的SiC SBD P4D06020F2/P4D06010F2,符合AEC-Q101标准

    派恩杰的650V SiC SBD P4D06020F2、P4D06010F2符合AEC-Q101和RoHS标准,无卤素添加。这两个产品具有超高速开关、零反向恢复电流等特点,具有可提高系统效率,减少散热器需求等使用优势,可用于消费级SMPS,PFC或DC/DC中的升压二极管,AC/DC变换器。

    新产品    发布时间 : 2020-09-24

    【产品】1700V的N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M173K0T3/P3M173K0F3

    派恩杰推出的P3M173K0T3、P3M173K0F3是1700V N沟道增强型碳化硅MOSFET,P3M173K0T3采用TO-220-3封装,P3M173K0F3采用TO-220F-3封装,导通电阻低,可在高频下工作。具有超小的栅极到漏极电荷,通过100% UIS测试。

    新产品    发布时间 : 2020-09-18

    【产品】650V SiC肖特基二极管P3D060系列,支持高达175℃的工作温度

    派恩杰半导体(杭州)有限公司推出的650V SiC 肖特基二极管P3D060系列,采用国际领先的设计工艺,具有低损耗、耐高温、低导通压降、降噪音等特点,电流范围2~20A,可广泛用于空调、电源、光伏发电系统中的功率调节器以及电动汽车的快速充电器的PFC电路,Boost电路和高频整流桥电路中。

    新产品    发布时间 : 2020-09-18

    【产品】650V碳化硅肖特基势垒二极管P3D06016/20K3,具有超快的开关速度

    派恩杰推出的P3D06016K3、P3D06020K3碳化硅肖特基势垒二极管,反向重复峰值电压为650V,VF具有正温度系数,具有超快的开关速度、零反向恢复电流,基本没有开关损耗,可提高系统效率,降低对散热器的要求。 可高频工作,通过100% UIS测试。

    新产品    发布时间 : 2020-09-10

    【产品】650V SiC肖特基二极管P2D06006/10/15T2,AEC-Q101认证

    派恩杰(PN Junction)推出的650V SiC肖特基二极管P2D06006T2,P2D06010T2,P2D06015T2具有超快的开关速度,零反向恢复电流,可高频工作等特点,通过了AEC-Q101Q认证。

    新产品    发布时间 : 2020-07-07

    【产品】650V的SiC肖特基二极管P3D06006T2~P3D06015T2,AEC-Q101认证

    派恩杰(PN Junction)推出的SiC肖特基二极管P3D06006T2,P3D06008T2,P3D06010T2,P3D06015T2,具有超快的开关速度,零反向恢复电流,高频工作等特点,通过了AEC-Q101认证,反向重复峰值电压为650V。

    新产品    发布时间 : 2020-07-06

    【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3/080K3/120K3,导通电阻典型值最低仅为25mΩ

    P3M12025K3、P3M12080K3、P3M12120K3是派恩杰(PN Junction)推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET,采用TO-247-3封装,具有高阻断电压,低导通电阻,P3M12025K3导通电阻典型值25mΩ,P3M12080K3导通电阻典型值80mΩ,P3M12120K3导通电阻典型值120mΩ。可提高系统效率和功率密度,减少散热器需求,节省系统成本。

    新产品    发布时间 : 2020-07-03

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  • P3M12025K3

    厂牌:派恩杰

    价格:¥307.6800 现货:

  • P3M12080K3

    厂牌:派恩杰

    价格:¥56.1760 现货:

  • P3M12080K4

    厂牌:派恩杰

    价格:¥50.5120 现货:

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【产品】1200V碳化硅肖特基二极管P2D12010T2,具有零反向恢复电流

    P2D12010T2是派恩杰(PN Junction)推出的一款1200V碳化硅肖特基二极管(SiC SBD)。其具备超快的开关速度,零反向恢复电流,适于高频工作,VF具有正向温度系数等特性,能提高系统效率,对散热器要求降低,而且基本没有开关损耗。

    新产品    发布时间 : 2020-06-30

    【产品】650V氮化镓增强型功率晶体管P1H06300D8, 采用DFN 8X8封装

    P1H06300D8是派恩杰的一款采用DFN 8X8封装的氮化镓增强型功率晶体管,漏源电压达650V,连续漏极电流为10A(VGS=6V、Tc=25 ℃时),具有超快开关速度,可提升系统效率和功率密度,实现更高频工作,节省系统成本。可应用于消费型领域的开关电源、高功率密度充电器、图腾柱PFC等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-06-30

    【产品】N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025BD、P3M12080BD,漏源导通电阻为25mΩ/80mΩ

    P3M12025BD、P3M12080BD是派恩杰(PN Junction)推出的N沟道增强型碳化硅MOSFET,具有高阻断电压,低导通电阻,P3M12025BD阻值仅为25mΩ,P3M12080BD阻值为80mΩ。可提高系统效率和功率密度,减少散热器需求,节省系统成本,符合ROHS标准,无卤素。可应用于太阳能逆变器,电动汽车电池充电器,高压DC / DC转换器等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-06-30

    【产品】1700V的N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3,采用TO-247-3封装

    派恩杰推出的1700V N沟道增强型SiC MOSFET P3M173K0K3,符合RoHS标准,无卤素,封装采用TO-247-3,具有高阻断电压,低导通电阻,工作结温范围为-55℃ 至 +200 ℃,可提高系统效率和功率密度,减少散热器需求,节省系统成本。可应用于太阳能逆变器,电动汽车电池充电器,高压DC / DC转换器等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-06-26

    P2D06010T2/P2D06006T2/P2D06004T2 SiC SBD RoHS Test Report

    型号- P2D06006T2,P2D06004T2,P2D06010T2

    测试报告  -  派恩杰  - Mar. 23, 2020 英文 下载

    P3D06008T2/P3D06010T2/P3D06006T2/P3D06020F2/P3D06008F2 SiC SBD RoHS Test Report

    型号- P3D06020F2,P3D06010T2,P3D06008F2,P3D06006T2,P3D06008T2

    测试报告  -  派恩杰  - Mar. 23, 2020 英文 下载

    P3M06040K4 3.3kW Totem-Pole PFC

    型号- P3M06040K4

    数据手册  -  派恩杰 中文 下载

    【产品】650V N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M06040K3,导通电阻仅40 mΩ

    派恩杰(PN Junction)推出的650V碳化硅MOSFET N沟道增强型P3M06040K3,符合ROHS标准,无卤素,封装采用TO-247-3,具有高阻断电压,低导通电阻,阻值仅为40 mΩ,可提高系统效率和功率密度,减少散热器需求,节省系统成本。可应用于太阳能逆变器,电动汽车电池充电器,高压DC / DC转换器等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-06-26

    PNDM12P242A1: Dynamic Characteristic Evaluation Board for PNJ′s SiC MOSFET in TO-247-3/-4 Package

    型号- P3M12080K4,PNDM12P242A1_M,P3M12080K3,P3M06040K4,P3M06040K3,PNDM12P242A1_D1,PNDM12P242A1_D2,PNDM12P242A1

    应用笔记或设计指南  -  派恩杰  - Ver. 1.1  - Sep. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver.1.0  - Feb. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. A/1.0  - Jan. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. A/1.1  - Dec. 2020 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. A/1.1  - Dec. 2020 英文 下载

    高压工业辅助电源

    型号- P3M173K0K3

    技术文档  -  派恩杰 中文 下载

    评估板使用说明  -  派恩杰 中文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Revision 2.0  - 2019-12-20 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Revision 2.0  - 2019-12-20 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Revision 2.0  - 2019-12-20 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  派恩杰  - Ver. 1.0  - 2020.09.28 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰 中文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • P3M06300D8

    厂牌:派恩杰

    价格: 现货:

  • P3M06300D5

    厂牌:派恩杰

    价格: 现货:

  • P3M06060K3

    厂牌:派恩杰

    价格: 现货:

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    PNJ Company Profile

    型号- P3D06010I2,P3M06060T3,P2D06010T2,P3M173K0T3,P3D06008I2,P4D06010T2,P3M06500D5,P3M12080K4,P3M12080K3,P3D06010T2,P3M06040K4,P3M173K0F3,P3M06040K3,P3M1204

    商品及供应商介绍  -  派恩杰  - 2021.05 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰 中文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. 1.1  - May. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. 1.0  - Jun. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. 1.1  - Jun. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver.1.2  - Jul. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. 1.2  - Jul. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. 1.0  - Jul. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver.1.0  - Jul. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. 1.2  - Jul. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver.1.1  - Apr. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver. 1.2  - Jul. 2021 英文 下载

    数据手册  -  派恩杰  - Ver.1.1  - Jul.2021 英文 下载

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