无锡紫光微

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无锡紫光微(UNIGROUP)是紫光集团旗下紫光国芯微电子股份有限公司(简称“紫光国微”)半导体产业链中的核心企业之一,专注于先进半导体功率器件的设计研发、芯片加工和封装测试,是业界领先的半导体功率器件及电源管理方案供应商。   查看更多

无锡紫光微产品球神直播间帮助

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球神直播间帮助  -  无锡紫光微

球神直播间指南  -  无锡紫光微  - 第六版  - 2020年6月 中文 下载

【球神直播间】无锡紫光微(UNIGROUP)SJ MOS/SJ-Multiepi MOS/VD MOS/Trench MOS/DT MOSFET球神直播间指南

型号- TPD60R1K0C,TMP11N60H,TMA28N50HS,TPA70R1K5M,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TMA45N30H,TPW60R160M,TPB70R135MFD,T

球神直播间指南  -  无锡紫光微  - 2020.08.21 英文 下载

无锡紫光微推出采用多层外延工艺和深沟槽工艺兼行方案助力光储充一体化,推动能源结构转型

随着碳中和碳达峰目标的逐步落实,“光伏+储能+充电”一体化向环保、安全、便捷等方面演变发展。针对光储充功率转换、电源管理等方面的性能提升和成本问题,无锡紫光微给出的方案是采用多层外延工艺和深沟槽工艺兼行的方案,相信会在能源结构转型发展中发挥巨大作用。

厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-28

【球神直播间】单相在线式UPS推荐国产900V高压N沟道MOS TPW90R350A,大封装尺寸散热方便

客户单相在线式UPS新项目中MOSFET具有国产化需求,需要50W左右的辅助反激拓扑的开关电源,输出24V/3A。目前正在寻找一款高于800V,电流大于10A的高压MOS。笔者推荐无锡紫光微的TPW90R350A。

器件球神直播间    发布时间 : 2022-01-21

【球神直播间】超级结场效应管TPW90R350A用于UPS辅助充电AC-DC部分,可降低系统损耗

无锡紫光微推出的超级结场效应管TPW90R350A具有低导通内阻的特性,同时连续导通电流高达15A,本文就无锡紫光微超级结场效应管TPW90R350A从性能参数,封装大小方面进行分析,从而讨论其应用于UPS不间断电源中作为功率开关管的优势。

器件球神直播间    发布时间 : 2022-01-13

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
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  • TPA65R170M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥8.7000 现货:839

  • TMA16N50H

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥3.2400 现货:700

  • TMA10N80HG

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥3.9200 现货:650

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    无锡紫光微(UNIGROUP) MOS产品命名规则

    型号- TTP90N03AT,TPP60R150C,TMA7N65HG

    型号命名规则  -  无锡紫光微 中文 下载

    【应用】国产超级结功率MOSFET TPP65R170M用于智能调光模块,导通电阻低至150mΩ

    紫光微的TPP65R170M的智能调光模块中的应用,具有低导通电阻的特点。如今智能家居已开始慢慢走入人们的家庭,而智能调光模块就是智能灯光系统的一个组成部分。推荐无锡紫光微的超级结功率MOSFET TPP65R170M在智能调光模块中应用。

    应用方案    发布时间 : 2021-12-17

    测试报告  -  无锡紫光微  - 2017-11-09 中文 下载

    【应用】解析无锡紫光微系列MOS在Flyback、SR、PFC、LLC、全桥、正激上的应用

    本文将具体介绍无锡紫光微电子推出的MOS可广泛应用于Flyback、SR、PFC、LLC、全桥、正激。

    应用方案    发布时间 : 2021-10-13

    【应用】800V超级结MOS管应用于12W LED驱动电源,采用to-251封装实现小体积设计

    随着智能家居的普及,家用或办公的台灯照明也具备了无线控制模块,本文主要介绍国产无锡紫光微超级结MOS管TPU80R900M应用于12W LED驱动电源的优势。TPU80R900M漏-源电压VDS最大额定值可达800V,笔者在与某客户共同测试中发现, MOS管DS两端会测到峰值达到580V,而TPU80R900M的耐压达800V, 故在应用上保留更大余量设计,可提高产品的可靠性;

    应用方案    发布时间 : 2021-03-30

    【球神直播间】紫光微500V N沟道MOSFET替代FMV23N50E在不锈钢端吸离心泵设计,漏源连续电流可达25A

    紫光微TMA25N50H在不锈钢端吸离心泵做国产替代设计,替代原进口F品牌的FMV23N50E,栅-源电荷Qgs、输入电容Ciss和单脉冲雪崩能力EAS等参数都更优,在华东某水泵厂商经过国产替代设计,用于水厂过滤、主管增压,现场测试效果良好,工作温度低4-6度。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-01-10

    【球神直播间】紫光微TMA18N70H可以替代2SK3891在高压自吸泵设计,单脉冲雪崩能力更高

    紫光微TMA18N70H在高压自吸泵做国产替代设计,替代日系的2sk3891,其漏源连续电流ID,漏源导通电阻RDS(ON)、单脉冲雪崩能力EAS等参数都更优,在浙江台州某大型泵业公司经过高压自吸泵的国产替代设计,在自动浇灌系统验证性能,对于堵转等不良工况下抗干扰能力强。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-01-09

    无锡紫光微(UNIGROUP)SJMOS-MultiEPI产品应用介绍

    型号- 70R260M,60R130M,65R1K7MFD,60R110M,70R090M,60R530M,TK8P65W,65R160MFD,60R145MFD,70R600M,70R700MFD,70R1K1MFD,65R400MFD,65R040M,65R145M,73R400M,70R100MFD

    应用及方案  -  无锡紫光微  - 2020年2月12日 中文 下载

    无锡紫光微(UNIGROUP)MOS/IGBT/IGOT与英飞凌/ST/Toshiba替换对照表

    型号- TK12A60W,STB33N60M6,TPU65R600M,IPB60R120C7 IP,IPA60R600P7,IPA60R600P6,STF33N60M6,STF33N60M2,STB33N60M2,STF8N65M5,TK20A60W,STD13N65M2,TK380P65Y,TK16G60

    对照表  -  无锡紫光微 中文 下载

    【球神直播间】紫光微800V N沟道MOSFET替代FMV10N80E在离心风机设计,漏源导通电阻仅0.8Ω

    紫光微TMA10N80H在离心风机做国产替代设计,替代日系的FMV10N80E,其漏源导通电阻RDS(ON)、Td(on)等开关时间参数都更优,在某上市风机公司离心风机的国产替代设计完成后,在小型管道通风系统验证性能,长期工作时MOSFET温度低2-4度。

    器件球神直播间    发布时间 : 2021-01-05

    【球神直播间】紫光微N沟道MOSFET替代FMV09N90E在轴流风机设计,漏源导通电阻RDS(ON) 1Ω,损耗更低

    紫光微TMP9N90H在轴流风机做国产替代设计,替代FUJI的FMV09N90E,其漏源导通电阻RDS(ON)、热阻Rth等参数更适合轴流风机系统,在华东大型风机公司轴流风机做国产替代设计,在大流量通风系统中长期工作时测试发现MOSFET温度会低3-5℃。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-12-29

    代理证明  -  无锡紫光微  - 2019年8月29日 中文 下载

    【球神直播间】紫光微40V N沟道沟道MOSFET在电动V型偏心半球阀中设计,可替代日本富士的2SK4068-01

    鉴于进口核心功率器件交货期延长和价格不断上涨,为了保证产品竞争力,电动阀厂商纷纷启动核心功率国产化替代,本电动V型偏心半球阀项目国产化设计球神直播间考虑紫光微TTP70N04AT MOSFET,Vdss/Id同为40V/70A,静态参数漏源导通电阻RDSON 4.7mΩ,动态参数总栅级电荷57 nc,性能上对比富士2SK4078-01更优,很适合做替代设计。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-12-27

    无锡紫光微电子SJMOS-MultiEPI产品应用

    型号- 70R260M,60R130M,65R1K7MFD,60R110M,70R090M,60R530M,TPW60R040MFD,TK8P65W,65R160MFD,60R145MFD,70R600M,70R700MFD,70R1K1MFD,65R400MFD,65R040M,65R145M,73R40

    培训文档-商品应用及供应商介绍  -  无锡紫光微  - 20200217 中文 下载

    【球神直播间】紫光微100V N沟道沟槽式MOSFET应用于1-3KW小功率UPS,Trr低至62ns

    UPS主要作用是稳压、稳频、抗电磁干扰和射频干扰、防浪涌冲击等作用来保护后端负载设备的安全用。本文重点介绍在1-3KW小功率UPS中DCDC部分国产化MOS的球神直播间推荐。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-12-15

    【产品】无锡紫光微N沟道MOSFET,漏源电压650V,漏极持续电流20A(TC=25ºC)

    TMA20N65HG、TMW20N65HG 是两款无锡紫光微电子推出的650V N沟道MOSFET,其漏源电压均为650V,漏极持续电流20A(TC=25ºC),耗散功率最大120W,工作结温-55~+150℃,具有两种封装TO-220F和TO-247可供选择,采用VDMOSFET技术。可应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-12-13

    【产品】无锡紫光微推出TMA12N65HG~TMR12N65HG系列650V N沟道MOSFET,具有负温度系数

    TMA12N65HG~TMR12N65HG是无锡紫光微推出的系列650V N沟道MOSFET。系列MOSFET通过100%雪崩测试,具有 快速开关特性和改进的dv/dt能力 。系列MOSFET符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-10-25

    【产品】650 V超结功率MOSFET TPU65R600M,根据SJ原理设计,符合RoHS标准

    无锡紫光微电子推出的超结功率MOSFET TPU65R600M,超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的一项革命性技术。 SJ MOSFET是一款性价比最佳的产品,由无Wuxi Unigroup Microelectronics公司设计,能够针对消费和照明市场中对成本敏感的应用提供支持。

    新产品    发布时间 : 2020-10-05

    【产品】650V超结功率MOSFET TPG65R125MH,导通电阻最大值为0.125Ω

    无锡紫光微电子推出的TPG65R125MH是一款650V超结功率MOSFET,超结功率MOSFET是根据SJ(超结)原理设计的一种革命性的高压功率MOSFET技术,无锡紫光微电子采用多层外延超结MOSFET技术提供了具有极低开关、通信、传导损耗以及最高鲁棒性的器件,使谐振开关应用更可靠、更高效、更轻和散热更少。

    新产品    发布时间 : 2020-10-02

    【产品】具有超快速体二极管的600V超结功率MOSFET TPA60R170MFD,漏源导通电阻最大值为0.17Ω

    无锡紫光微电子推出的TPA60R170MFD是一款600V超结功率MOSFET,连续漏极电流为20A(TC=25℃)、12A(TC=100℃),具有极低的优值系数,易于使用/驱动。产品经过100%雪崩测试,符合RoHS标准。

    新产品    发布时间 : 2020-09-30

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
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  • TMA13N50H

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥2.6600 现货:639

  • TTG90P03ATC

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥1.4000 现货:360

  • TTD70P04AT

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥2.2001 现货:358

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    【应用】高压MOSFET TPW65R044MFD用于30KW充电桩模块,EMI性能优

    30KW充电桩功率模块电路中需要600V或650V的MOSFET多达14pcs,针对此应用,推荐无锡紫光微的高压MOSFET TPW65R044MFD,该器件漏源电压可达650V,连续导通电流可达72A,导通电阻不大于44mΩ

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-09-16

    紫光微电子开发生产一系列高压超MOSFET、IGBT、IGTO等产品,广泛应用于新能源汽车充电桩和电机驱动

    无锡紫光微电子早已推出了与充电桩相关的650V/72A(TPW65R044MFD)、700V/72A(TPW70R044MFD)、700V/47A(TPW70R100MFD)等多规格高压超结MOSFET新工艺产品,可显著降低器件的导通电阻和栅电荷,很好地兼容具有PFC、正激、反激等多种拓扑形式的电路结构,对于高效解决新能源汽车行业目前的充电难问题。

    新产品    发布时间 : 2020-08-07

    【产品】550V/25A N沟道MOSFET TMA25N55H

    无锡紫光微电子推出的TMA25N55H型号N沟道MOSFET,其漏源电压550V,连续漏极电流25A,具有快速切换的性能特点以及100%雪崩测试和改进的dv/dt功能。

    新产品    发布时间 : 2020-08-03

    【球神直播间】LLC谐振电路中推荐超结MOSFET TPP60R160MFD,Trr仅112ns

    LLC拓扑高效和高功率密度受到广大工程师的青睐,但是这种软开关拓扑对MOSFET的要求却高于以往硬开关拓扑,MSOFET体二极管的反向恢复时间(TRR)尤为重要。本文推荐无锡紫光微电子的超结MOSFET,TPP60R160MFD为例,这是20A、600V的SJMOS,开关速度快,最大导通电阻190mR,TRR典型值仅为112ns。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-06-21

    【经验】高压产品使用TO-220F封装小孔露铜存在两点之间空气被击穿导致产品失效的风险

    TO-220F封装的产品,在封装细节上并不是完全一样的,会由于厂家封装模具差异而存在不同。部分厂家封装成品上有两个的明显小孔,这两个小孔会暴露出内部芯片,用万用表测量为芯片漏极。产品设计过程中,如果使用了高压产品,建议优先考虑没有这个小孔的产品,如无锡紫光微MOSFET产品。TO-220F封装没有露铜小孔,直接避免了该风险。

    设计经验    发布时间 : 2020-04-28

    【球神直播间】国产N沟道MOS管TMA10N65HG可PIN-PIN替换安森美FDPF10N60NZ用于全桥电源

    目前市面上应用于全桥电源的MOSFET有安森美650V/10A的N MOS管FDPF10N60NZ,不过由于价格压力、贸易战等因素影响,很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案,本文重点推荐无锡紫光微的N沟道MOSFET TMA10N65HG,该产品可pin-pin替代FDPF10N60NZ。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-04-17

    【球神直播间】国产N沟道MOSFET TMB160N10A可完美替换英飞凌的IPB042N10N3G,Id电流更大

    在48V动力锂电池组保护电路设计时,一般需MOS管作为开关进行控制。之前市面上主流型号为infineon的IPB042N10N3G,但随着国产化和低成本需求日益增多,不少厂家急需找一款高性价比替代型号。本文从电性能参、封装等方面,重点推荐无锡紫光微的N沟道MOSFET TMB160N10A替换Infineon IPB042N10N3G。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-03-25

    【应用】国产超结MOSFET TPP65R170M用于正激式电源,具有功率输出高等优势

    正激式电源具有相对较简单的电路配置,比反激式电源提供更高的变压器效率,可用于100W~500W的应用。本文重点推荐无锡紫光微的600V~700V 超结MOSFET,采用先进技术实现了更高的效率和功率密度,其中TPP65R170M,耐压650V,连续漏极电流20A,用于TTF电路中功率输出可达350~500W(根据散热条件不同)。

    应用方案    发布时间 : 2020-03-18

    【产品】无锡紫光微电子N沟道900V MOSFET,工作电流3A,两种封装可选,电源产品设计不可缺少的元件之一

    无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET TMA3N90HG和TMU3N90HG, 工作电压可达900V,连续漏极工作电流为3A,脉冲漏极电流为12A,栅极-源级电压为±30V,单脉冲雪崩能量为65mJ,重复雪崩能量为39mJ,雪崩电流为3.6A。

    新产品    发布时间 : 2020-03-14

    【应用】国产超结MOSFET用于反激式电源,具有耐压高、导通电阻低、EAS能力强等特点

    反激式电源结构由于其电源结构简单、包含器件少、设计成本低的优势广泛应用于电源产品中。特别适用于150瓦以下的电源用,比如笔记本电脑和其它移动设备的适配器、充电器。 本文主要推荐国产无锡紫光微的SJMOS用于此处应用,具有耐压高、导通电阻低、EAS能力强等特点。

    应用方案    发布时间 : 2020-03-12

    【球神直播间】LLC半桥电源应用的超结MOSFET推荐:紫光微Multi-EPI SJMOS,品质因数较CoolMOS低37%

    无锡紫光微推出的Multi-EPI SJMOS是一种新型功能器件,基于超结(SJ) 原理设计,使用先进的多次外延(Multi-EPI)工艺技术制造,拥有更优的EMI特性;基于电荷平衡理论及采用先进的多次沟槽刻蚀技术,可显著降低MOSFET的品质因数FOM(Rdson*Qg),从而实现更高的效率和功率密度。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-03-12

    【应用】国产Multi EPI SJMOSFET TPA65R400MFD用于全桥电源,具有高效率、高功率密度等优势

    全桥电源是一种非常常见的电源拓扑类型,相对于半桥电源能提供更高的效率,因此主要用于大功率(超过1KW)产品。国产无锡紫光微推出的Multi-EPI SJMOS是一种更新型功能器件,基于电荷平衡理论及采用先进的多次沟槽刻蚀技术,可显著降低器件的导通电阻和栅电荷,从而实现更高的效率和功率密度,是全桥电源功率器件国产化的不错选择。本文以TPA65R400MFD为例进行说明。

    应用方案    发布时间 : 2020-03-03

    【球神直播间】无锡紫光微N-MOS TTJ12N04AT可完美替换VISHAY SI9410BDY,性能更优

    为了提高整机效率,很多低压输出电源会采用同步整流技术。不少厂商一般会选择VISHAY的SI9410BDY作为同步整流MOS,但随着国产化和降成本需求日益增多,急需一款国产高性能MOS进行替换。本文从电性能参数、封装等方面推荐无锡紫光微(UNIGROUP)常用型号TTJ12N04AT可pin-pin替换SI9410BDY。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-02-16

    【球神直播间】N沟道MOSFET TTD160N03GT可PIN-PIN替换英飞凌的IRLR7843PbF,导通电阻更小

    针对12V母线电压的水泵应用,市面上主流的型号有英飞凌(Infineon)的30V/160A 的NMOS管IRLR7843PbF等,不过因供货交期和价格压力等因素,很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案,本文重点推荐无锡紫光微(UNIGROUP)的N沟道MOSFET TTD160N03GT。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-02-13

    【应用】700V/3A的N沟道MOSFET TPD70R1K5M运用于反激式转换器,可提高电源工作效率

    通常反激式转换器包括很少部件,适用于笔记本电脑和手机电源。由于交换节点的电压峰值较高,因此MOS的耐压要高。由于MOS与感性负载连接,异常情况下,EAS能力要求高。另外为了能效要求,MOS管损耗要低。无锡紫光微电子的封装为TO-252、漏-源电压最大额定值为700V,连续漏极电流最大额定值为3A的N沟道MOSFET TPD70R1K5M,运用于反激电源可满足要求。

    应用方案    发布时间 : 2019-12-26

    【应用】650V/7A的N沟道超级结功率MOSFET运用于智能插座,可提高充电效率和可靠性

    无锡紫光微的一款封装为TO-251、漏-源电压最大额定值为650V,连续漏极电流最大额定值为7A的N沟道超级结MOSFET可用于智能插座中,满足给手机、移动设备等充电的一般负载要求。漏-源电压最大额定值为650V,满足220V整流输出电压需求;低反向传输电容Coss=23PF,可减小门极电压震荡,提高产品可靠性;低RDS(ON),有效减小导通损耗,提高充电效率。

    应用方案    发布时间 : 2019-12-25

    【产品】 650V超级结功率MOSFET TPW65R100MFD,漏源导通电阻最大值为0.1Ω

    无锡紫光微电子推出的​超级结功率MOSFET TPW65R100MFD采用TO-247封装,漏源电压最大额定值高达650V,在高功率工作环境下仍有出色的发挥,漏源导通电阻最大值为0.1欧姆,连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为47A,在100℃时可以达到28.2A;标准总栅极电荷典型值为75nC,脉冲漏极电流最大额定值为141A。

    新产品    发布时间 : 2019-11-26

    【产品】68V/135A N沟道MOSFET-TTB135N68A/TTP135N68A,导通电阻最大仅 5.0mΩ

    TTB135N68A,TTP135N68A是无锡紫光微电子推出的68V、N沟道MOSFET.其中TTB135N68A采用TO-263封装,TTP135N68A采用TO-220封装。

    新产品    发布时间 : 2019-11-23

    【产品】650V超结功率MOSFET TPW65R044MFD ,漏源导通电阻最大值仅0.044Ω

    无锡紫光微推出的 TPW65R044MFD 是一款650V超级结功率MOSFET,其采采用TO-247封装,漏源电压最大额定值高达650V,可以适用高电压高功率情况,漏源导通电阻最大值仅为0.044欧姆,连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为72A,标准总栅极电荷典型值为165nC,脉冲漏极电流最大额定值为216A。

    新产品    发布时间 : 2019-11-21

    【产品】采用TO-247封装的650V超级结功率MOSFET TPW65R170M

    无锡紫光微推出的TPW65R170M是一款650V超级结功率MOSFET,采用了TO-247封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-11-20

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  • TPR65R170M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥7.6000 现货:350

  • TPU60R530M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥2.8000 现货:350

  • TPA60R530M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥3.2400 现货:350

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【产品】650V 超级结功率MOSFET TPA65R600M,漏源导通电阻最大值为0.6Ω

    无锡紫光微电子推出的超级结功率MOSFET TPA65R600M采用TO-22F封装,漏源电压最大额定值高达650V,可以适用高电压高功率情况,漏源导通电阻最大值为0.6欧姆,连续漏极电流在25℃情况下最大额定值为7A,标准总栅极电荷典型值为​13nC,脉冲漏极电流最大额定值为21A。另外其结到外壳的热阻为4.5℃/W,结到环境的热阻为62℃/W。

    新产品    发布时间 : 2019-11-19

    【产品】采用TO-263封装的650V/60A超结功率MOSFET TPB65R170M,雪崩能量最大额定值为484mJ

    无锡紫光微电子推出一款650V超级结功率MOSFET——TPB65R170M,采用了TO-263封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS)等。

    新产品    发布时间 : 2019-11-17

    【产品】采用TO-247封装的650V超级结功率MOSFET TPW65R090M,功耗最大额定值为391W

    超级结功率MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的,性能优化的产品,能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微电子推出的TPW65R090M一款650V超结功率MOSFET,采用了TO-247封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS)等。

    新产品    发布时间 : 2019-11-16

    【产品】TO-263封装100V的N沟道沟槽式MOSFET TMB160N10A,单脉冲雪崩能量为540mJ

    TMB160N10A是无锡紫光微电子推出的漏源电压额定值为100V的N沟道沟槽式MOSFET,采用TO-263封装,采用超低导通电阻的高密度单元设计,稳定性较高,适用于电源开关,硬开关和高频电路,不间断电源。

    新产品    发布时间 : 2019-11-14

    【产品】高EAS、高稳定性的100V N沟道沟槽式MOSFET TMA120N10A,漏源导通电阻最大仅9mΩ

    TMA120N10A是无锡紫光微电子推出的漏源电压最大额定值为100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品采用超低导通电阻的高密度单元设计,可充分界定雪崩电压和电流,高EAS使产品有高稳定性。TMA120N10A适用于电源开关,硬开关和高频电路,不间断电源。

    新产品    发布时间 : 2019-11-13

    【产品】TSSOP-8封装的20V N沟道沟槽式MOSFET-TTK8205A,25℃下耗散功率仅1.5W

    TTK8205A是无锡紫光微电子推出的漏源电压为20V的N沟道沟槽式MOSFET,采用了沟槽功率MOSFET技术,具有低漏源导通电阻和低栅极电荷的特点,针对快速切换应用进行了优化,适用于DC/DC转换器,AC/DC转换器。

    新产品    发布时间 : 2019-11-12

    【产品】650V超级结功率MOSFET TPP65R190MFD,采用TO-220封装

    无锡紫光微推出的TPP65R190MFD是一款650V超级结功率MOSFET,采用了TO-220封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-11-11

    【产品】采用TO-252封装的600V超结功率MOSFET-TPD60R330M,功耗最大额定值达83W

    无锡紫光微推出的TPD60R330M一款600V超结功率MOSFET,采用了TO-252封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-11-09

    【产品】TO-220封装的100V N沟道DTMOS TSP10N10AT,雪崩电流为14A

    无锡紫光微推出100V N沟道DTMOS TSP10N10AT,TO-220封装,采用沟道功率DTMOS技术,具有低漏源导通电阻,低栅极电荷等特性,符合RoHS标准认证,可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-11-04

    【产品】800V/15A 超级结功率MOSFET TPP/A/V/C/B80R300C,雪崩电流为4A

    超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。TPP80R300C, TPA80R300C, TPV80R300C, TPC80R300C, TPB80R300C是无锡紫光微电子推出的5款800V超结功率MOSFET。

    新产品    发布时间 : 2019-11-03

    【产品】60V/45A N沟道DTMOS管 TSD10N06AT,采用TO-252封装

    无锡紫光微推出60V N沟道DT MOS管TSD10N06AT,TO-252封装,采用沟道功率DTMOS技术,具有低漏源导通电阻,低栅极电荷等特性,符合RoHS标准认证,可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-11-03

    【产品】6款800V/2A功率MOSFET TPA/B/C/D/R/U80R2K2C,雪崩电流仅0.8A

    TPA80R2K2C, TPB80R2K2C, TPC80R2K2C, TPD80R2K2C, TPP80R2K2C, TPU80R2K2C是无锡紫光微电子推出的6款800V超结功率MOSFET。具有极低FOM RDS(on) x Qg,适用于不间断电源(UPS)等应用。

    新产品    发布时间 : 2019-11-02

    【产品】6款800V/8A超级结功率MOSFET,雪崩电流为1.6A

    TPA80R750C, TPB80R750C, TPC80R750C, TPD80R750C, TPP80R750C, TPU80R750C是无锡紫光微电子推出的6款800V超级结功率MOSFET。超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。

    新产品    发布时间 : 2019-11-01

    【球神直播间】可PIN TO PIN替代英飞凌IRF5305PBF的国产高性能PMOS TTD70P04AT

    PMOS多用于高边电源开关,使用比较小的电压控制栅极,能够实现电源的快速通断,达到控制效果,其应用已在市场上广泛成熟应用。目前市场上主流应用的MOS是英飞凌,但其存在价格高、周期长等问题,本文推荐无锡紫光微电子的国产高性能产品TTD70P04AT,用于替换IRF5305PBF。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-11-01

    【产品】采用TO-263封装的100V N沟道DTMOS管 TSB12N10A,连续漏极电流为55A

    无锡紫光微推出100V N沟道DT MOS管TSB12N10A,TO-263封装,采用沟道功率DTMOS技术,具有低漏源导通电阻,低栅极电荷等特性,符合RoHS标准认证,可应用于DC / DC和AC / DC转换器中的同步整流等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-11-01

    【产品】TO-251-SL封装的20V N沟道沟槽式MOSFET TTE08N02AT,25℃下的耗散功率仅2.3W

    TTE08N02AT是无锡紫光微电子推出的漏源电压为20V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品采用沟槽功率技术,电气性能出色,采用TO-251-SL封装,适用于DC/DC转换器以及AC/DC转换器。

    新产品    发布时间 : 2019-10-31

    【产品】650V TPB65R360M超结功率MOSFET,采用了TO-263封装

    无锡紫光微电子推出了TPB65R360M超结功率MOSFET,其采用了TO-263封装。具有极低FOM RDS(on) x Qg特性 ,可进行100%雪崩测试,适合用于不间断电源(UPS)。

    新产品    发布时间 : 2019-10-31

    第三代超结MOSFET(650V 7A/45A)系列产品上线,无锡紫光微电子入驻

    无锡紫光微电子正式入驻世强元件电商,其第三代超结MOSFET(650V 7A/45A)系列产品上线,适用于对系统效率有更高要求的照明应用、电源适配器以及智能手机、平板电脑充电器等产品。

    公司动态    发布时间 : 2019-10-31

    【产品】TO-251-SL封装-30V的P沟道沟槽式MOSFET-TTU05P03ATS,漏源导通电阻最大仅240mΩ

    TTU05P03ATS是无锡紫光微电子推出的漏源电压为-30V的P沟道沟槽式MOSFET。该产品采用沟槽功率技术,电气性能出色,通过了100%UIS测试,安全性能较好,采用TO-251-SL封装,主要应用于DC/DC转换器以及AC/DC转换器。

    新产品    发布时间 : 2019-10-30

    【产品】900V N沟道MOSFET TMA8N90H/TMP8N90H,连续漏极电流最大额定值为8A

    无锡紫光微推出了TMA8N90H和TMP8N90H的N沟道MOSFETT,分别采用TO-220F和TO-220的封装方式。其工作结温和存储温度范围均为-55~150℃,可以在严苛的温度环境下工作。漏源电压最大额定值为900V,栅源电压最大额定值为±30V,脉冲漏极电流最大额定值为32A,重复雪崩能量最大额定值为147mJ。应用于开关模式电源、不间断电源、功率因数校正等。

    新产品    发布时间 : 2019-10-29

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • TPR65R360M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥4.4001 现货:350

  • TPR70R600M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥3.2400 现货:350

  • TPU70R600M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥2.7600 现货:350

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【产品】两款700V/2A超级结功率MOSFET-TPU70R2K8C和TPD70R2K8C,雪崩电流0.5A

    TPU70R2K8C, TPD70R2K8C是无锡紫光微电子推出的2款700V超级结功率MOSFET。超结功率 MOSFET(Super Junction MOSFET)是一种新型功率器件,采用基于电荷平衡的器件结构,导通电阻明显下降。在应用中可减小系统功率损耗并提高其转换效率,目前是电源领域最有生命力的功率器件。

    新产品    发布时间 : 2019-10-29

    【产品】4款600V的N沟道MOSFET TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H

    TMA2N60H,TMD2N60H,TMT2N60H,TMU2N60H是无锡紫光微电子推出的4款600V的N沟道MOSFET。其具有开关速度快、100%雪崩测试的特点,可用于开关模式电源(SMPS)等应用。

    新产品    发布时间 : 2019-10-29

    【产品】TO-263封装的100V N沟道沟槽式MOSFET-TMB120N10A,漏源导通电阻最大仅9mΩ

    TMB120N10A是无锡紫光微电子推出的漏源电压最大额定值为100V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品采用高密度单元设计,导通电阻极低,可充分界定雪崩电压和电流,单脉冲雪崩能量较低,产品稳定性高,适用于电源开关,硬开关和高频电路,不间断电源。

    新产品    发布时间 : 2019-10-28

    【产品】 600V超结功率MOSFET TPA60R330M,采用了TO-220F封装

    无锡紫光微推出的TPA60R330M一款600V超结功率MOSFET,其采用了TO-220F封装。单脉冲雪崩能量最大额定值为210mJ,雪崩电流最大额定值为1.8A,具有较好的抗浪涌性。功耗最大额定值为31W,脉冲二极管正向电流最大额定值为33A,适合应用于功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2019-10-28

    【产品】650V超结功率MOSFET ​TPA/TPD/TPP/TPU65R360M,脉冲漏极电流最大额定值为33A

    无锡紫光微推出了TPA65R360M,TPD65R360M,TPP65R360M和TPU65R360M的超结功率MOSFET。分别采用了TO-220F,TO-252,TO-220和TO-251封装。具有极低FOM RDS(on) x Qg和100%雪崩测试的特点,并且符合ROHS标准。

    新产品    发布时间 : 2019-10-27

    【产品】650V N沟道MOSFET TMA/TMC/TMD/TMP/TMU6N65HG,脉冲漏极电流达24A

    无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA6N65HG,TMC6N65HG,TMD6N65HG,TMP6N65HG和TMU6N65HG的VD MOSFET。封装方式分别为TO-220F,TO-262,TO-252,TO-220和TO-251。

    新产品    发布时间 : 2019-10-27

    【产品】68V N沟道MOSFET TTB95N68A/TTD95N68A/TTP95N68A,漏源导通电阻<7.5mΩ

    无锡紫光微电子有限公司是紫光集团旗下半导体产业链中的核心企业之一,专注于先进半导体功率器件的研发和销售。TTB95N68A、TTD95N68A和TTP95N68A是无锡紫光微电子推出的68V N沟道MOSFET,其中TTB95N68A采用TO-263封装,TTD95N68A采用TO-252封装,TTP240N03GT采用TO-220封装。

    新产品    发布时间 : 2019-10-27

    【球神直播间】国产无锡紫光微Trench MOS助力大功率步进电机驱动电路设计

    大功率步进电机的驱动是通过各相有节拍的通断电流来实现的,步进电机转速完全由脉冲频率决定。而功率MOSFET为压控器件,导通压降低、耐压高、导通电流大;导通速度快,且需求的驱动电流小,是步进电机驱动电路的优选器件。无锡紫光微电子有限公司研发生产的Trench MOS为量产产品,耐压VDS范围覆盖20-150V,ID电流范围2-260A(25℃),具有较低导通电阻RDS及导通电荷,可满足客户的球神直播间需求

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-10-27

    【产品】4款900V快速切换N沟道MOSFET TMX2N90HG系列,100%雪崩测试

    无锡紫光微推出了TMA2N90HG,TMD2N90HG,TMP2N90HG和TMU2N90HG的VD MOSFET。分别采用TO-220F,TO-252,TO-220和TO-251的封装方式。

    新产品    发布时间 : 2019-10-26

    【产品】100V/130A的N沟道MOSFET TMP140N10A,采用TO-220封装

    ​TMP140N10A是无锡紫光微电子推出的漏源电压为100V、连续漏极电流为130A的N沟道MOSFET,采用TO-220封装,标记为140N10A。产品采用高密度单元设计,导通电阻极低;在雪崩电压和电流上具有完美的表现;高EAS保证了产品的高稳定性;封装的散热性能出色。TMP140N10A适用于电源开关应用,硬开关和高频电路,不间断电源。

    新产品    发布时间 : 2019-10-26

    【产品】TO-220F封装的730V的超结功率MOSFET TPA73R300M,连续漏极电流达15A

    TPA73R300M是无锡紫光微电子推出的漏源电压达730V的超结功率MOSFET,采用TO-220F封装,丝印代码为73R300M。该产品具有极低的品质因数,通过了100%雪崩测试,符合RoHS标准,适用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2019-10-25

    【产品】30V/240A的N沟道MOSFET TTD240N03GT/TTP240N03GT

    TTD240N03GT和TTP240N03GT是无锡紫光微电子推出的N沟道MOSFET,采用沟槽MOSFET技术,漏源电压为30V,连续漏极电流为240A。该产品具有低导通电阻和低栅极电荷特性,其中TTD240N03GT采用TO-252封装,TTP240N03GT采用TO-220封装。

    新产品    发布时间 : 2019-10-25

    【产品】900V N沟道MOSFET TMA3N90H、TMU3N90H,100%雪崩测试

    无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业,是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA3N90H和TMU3N90H的VD MOSFET。分别采用TO-220F和TO-251的封装方式。

    新产品    发布时间 : 2019-10-25

    【产品】TO-247封装的700V超结功率MOSFET TPW70R100MFD,导通电阻仅0.1Ω

    TPW70R100MFD是无锡紫光微电子推出的700V超结功率MOSFET,采用TO-247封装,具有低导通电阻,低总栅极电荷的特点,符合RoHS标准,通过了100%雪崩测试,适用于开关电源,不间断电源和功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2019-10-24

    【产品】700V超结功率MOSFET TPX70R360M系列,单脉冲雪崩能量为215mJ

    无锡紫光微推出了TPA70R360M,TPD70R360M,TPP70R360M和TPU70R360M的超结功率MOSFET。分别采用了TO-220F,TO-252,TO-220和TO-251封装。具有极低FOM RDS(on) x Qg,100%雪崩测试,符合ROHS标准。

    新产品    发布时间 : 2019-10-24

    【产品】TO-220封装的100V N沟道沟槽式MOSFET-TMP160N10A,单脉冲雪崩能量为540mJ

    TMP160N10A是无锡紫光微电子推出的漏源电压为100V的N沟道沟槽式MOSFET。产品采用高密度电池设计,导通电阻极低,可充分界定雪崩电压和电流,高EAS保证了产品的高稳定性,封装的散热性能出色,适用于电源开关,硬开关和高频电路,不间断电源。

    新产品    发布时间 : 2019-10-23

    【产品】4款650V的N沟道MOSFET,单脉冲雪崩能量为245mJ

    无锡紫光微电子可以提供技术先进的高中低压MOSFET,覆盖电压范围40V~1000V。TMA7N65HY, TMD7N65HY, TMP7N65HY, TMU7N65HY是无锡紫光微电子推出的4款650V的N沟道MOSFET。具有开关速度快、100%雪崩测试的特点,适合开关模式电源(SMPS)等应用。

    新产品    发布时间 : 2019-10-22

    【产品】N沟道MOSFET TTD70N04AT,TTP70N04AT,连续漏极电流为70A

    TTD70N04AT,TTP70N04AT是无锡紫光微电子推出的40V、N沟道MOSFET,其中TTD70N04AT采用TO-252封装,TTP70N04AT采用TO-220封装。

    新产品    发布时间 : 2019-10-17

    【产品】五款700V超结功率MOSFET TPX70R170M系列,单脉冲雪崩能量为484mJ

    无锡紫光微推出了TPA70R170M,TPB70R170M,TPC70R170M,TPP70R170M,TPV70R170M,TPW70R170M的超结功率MOSFET。该系列的工作结温和存储温度范围均为-55~150℃,可以在严苛的温度环境工作。漏源电压为700V,栅源电压为±30V,脉冲漏极电流为60A,重复雪崩能量0.7mJ。连续漏极电流在25℃时为20A,在100℃时为12A。

    新产品    发布时间 : 2019-10-16

    【产品】漏源电压最大额定值为80V的N沟道沟槽式MOSFET TTE03N08AT,25℃下的耗散功率仅6W

    TTE03N08AT是无锡紫光微电子推出的漏源电压最大额定值为80V的N沟道沟槽式MOSFET,采用了沟槽功率MOSFET技术,漏源导通电阻和栅极电荷较低,电气性能出色,同时产品针对快速开关应用进行了优化,适用于DC/DC转换器以及AC/DC转换器。

    新产品    发布时间 : 2019-10-16

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • TPU60R1K4M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥1.6000 现货:350

  • TPD60R1K4M

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥1.6000 现货:350

  • TPA65R400MFD

    厂牌:无锡紫光微

    价格:¥4.7000 现货:350

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【产品】DFN5×6封装的30V N沟道沟槽式MOSFET TTG90N03AT,漏源导通电阻最大仅7mΩ

    TTG90N03AT是无锡紫光微电子推出的漏源电压为30V的N沟道沟槽式MOSFET。该产品采用了沟槽功率MOSFET技术,漏源导通电阻和栅极电荷较低,且针对快速开关应用进行了优化,主要应用于DC/DC转换器,AC/DC转换器。

    新产品    发布时间 : 2019-10-15

    再添MOSFET,IGBT,IGTO等功率器件厂商,世强代理无锡紫光微电子

    世强与无锡紫光微电子签订代理协议,世强元件电商平台再添功率器件厂商,可提供高性价比的MOSFET,IGBT,IGTO等功率器件。

    公司动态    发布时间 : 2019-10-15

    【产品】70V N沟道MOSFET TTD70N07A和TTP70N07A,漏源导通电阻不超过10.8mΩ

    TTD70N07A, TTP70N07A是无锡紫光微电子推出的70V、N沟道MOSFET.其中TTD70N07A采用TO-252封装,TTP70N07A采用TO-220封装。

    新产品    发布时间 : 2019-10-11

    【产品】650V超级结功率MOSFET TPV65R040M和TPW65R040M

    SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的,性能优化的产品,能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPV65R040M和TPW65R040M是2款650V超级结功率MOSFET,分别采用了TO-3PN和TO-247封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-10-09

    【产品】80V N沟道沟槽式MOSFET TMB80N08A,超低Rdson的高密度单元设计

    无锡紫光微电子推出的TMB80N08A是N沟道沟槽式MOSFET,采用了TO-263封装。​TMB80N08A的特点:超低Rdson的高密度单元设计;全面表征雪崩电压和电流;高EAS,稳定性好;优秀的封装,具有良好的散热性

    新产品    发布时间 : 2019-10-08

    【产品】700V超级结功率MOSFET TPW70R090M,采用TO-247封装

    SJ MOSFET是由无锡Unigroup Microelectronics公司设计的,性能优化的产品,能够满足消费和照明市场中对成本敏感的应用。无锡紫光微推出的TPW70R090M是一款700V超级结功率MOSFET,采用了TO-247封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-10-07

    【产品】SOP-8封装40V的N沟道沟槽式MOSFET TTJ06N04AT,25℃下的耗散功率仅2W

    TTJ06N04AT是无锡紫光微电子推出的漏源电压为40V的N沟道沟槽式MOSFET,采用了沟槽功率MOSFET技术,具有低漏源导通电阻和低栅极电荷的特点,针对快速切换应用进行了优化。该产品符合RoHS标准,适用于DC/DC转换器,AC/DC转换器。

    新产品    发布时间 : 2019-10-07

    【产品】900V N沟道MOSFET TMA4N90H和TMP4N90H,连续漏极电流最大额定值为4A

    无锡紫光微推出了TMA4N90H和TMP4N90H的MOSFET。分别采用TO-220F和TO-220的封装方式。适用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等应用领域上。

    新产品    发布时间 : 2019-10-06

    【产品】TO-251封装的600V超结功率MOSFET TPU60R330M,导通电阻最大仅0.33Ω

    TPU60R330M是​无锡紫光微电子推出的漏源电压为600V的超结功率MOSFET,采用TO-251封装,具有极低的品质因数,通过了100%雪崩测试,符合RoHS标准,主要用于开关电源、不间断电源和功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2019-10-06

    【产品】650V超级结功率MOSFET TPD65R600M,采用TO-252封装

    无锡紫光微推出的TPD65R600M是一款650V超级结功率MOSFET。采用了TO-252封装。可用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等应用。

    新产品    发布时间 : 2019-10-05

    【产品】TO-247封装的700V超结功率MOSFET TPW70R044MFD

    TPW70R044MFD是无锡紫光微电子推出的700V超结功率MOSFET。该器件具有超快速体二极管,产品响应快,其品质因数极低,通过了100%雪崩测试,符合RoHS标准,适用于于开关电源,不间断电源和功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2019-10-05

    【产品】500V超级结功率MOSFET TPA/TPD/TPP/TPU50R5K0D,100%雪崩测试

    TPA50R5K0D, TPD50R5K0D, TPP50R5K0D, TPU50R5K0D是无锡紫光微电子推出的4款500V超级结功率MOSFET。可用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等应用中。

    新产品    发布时间 : 2019-10-02

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