基本半导体

相关结果约195

基本半导体掌握国际领先的碳化硅核心技术,研发覆盖碳化硅功率器件的材料制备、芯片设计、晶圆制造、封装测试、驱动应用等全产业链,先后推出全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,性能达到国际先进水平。   查看更多

基本半导体产品球神直播间帮助

请提交您的研发和球神直播间或参数需求,上千位世强和原厂的应用和技术专家将为您选择最合适的器件,材料,模块等,以协助您快速完成设计,达成功能最优,价格最优,供应最优,实现最优的元器件及方案选择。技术专家会在48小时内响应。

球神直播间帮助  -  基本半导体

球神直播间指南  -  基本半导体  - 2021/04/01 中文 下载

【球神直播间】基本半导体(BASiC) SiC碳化硅功率器件球神直播间指南(英文)

描述- 碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带 (3.26eV)、高临界场 (3×106V/cm) 和高导热系数 (4.9W/cm·K)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积、重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管,提供行业标准封装,具有优越的性能和极高的工作效率。

型号- BC1D12065,B1D04065KS,B1D30065HC,B1D16120HC,B1D04065KF,B1D15065K,B2D15065K,BC1M018120,B1D15065F,B1D03120E,B2D40065HC,BC1D06065,B1D10065K,B1D10065H,B1D1

球神直播间指南  -  基本半导体  - 2021/04/01 英文 下载

基本半导体碳化硅肖特基二极管球神直播间表

提供基本半导体碳化硅肖特基二极管球神直播间,抗浪涌电流能力强高,反向漏电低,覆盖电压 650V/1200V,正向平均电流 2A-20A

球神直播间表  -  基本半导体 立即球神直播间>>

【经验】 碳化硅肖特基二极管可靠性及应用注意事项

dv/dt、di/dt破坏通常情况下,当给硅快恢复二极管和碳化硅肖特基二极管施加过大的dv/dt 时,器件都有可能因过压而损坏,因此在碳化硅肖特基二极管器件设计使用过程中需参考规格书中的参数,本文基本半导体碳化硅肖特基二极管可靠性及应用注意事项。

设计经验    发布时间 : 2022-01-14

基本半导体积极谋划碳化硅广阔应用前景,面向工业、汽车和消费三大应用市场全面布局

未来基本半导体将实现工业、汽车和消费三大应用市场的全面布局,为所有客户提供更为全面丰富的碳化硅解决方案和产品,而且会在分立器件的基础上,提供更多配套的完整驱动方案。

厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-10

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • B1D04065KF

    厂牌:基本半导体

    价格:¥10.0000 现货:245

  • B1D06065E

    厂牌:基本半导体

    价格:¥14.0000 现货:110

  • B1D08065E

    厂牌:基本半导体

    价格:¥17.2000 现货:102

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    基本半导体(BASiC) 碳化硅器件应用

    描述- 基本半导体碳化硅器件应用

    型号- Q15P21802D,B1M40120HK,Q15P21503D,1CD0214T17-2003,B1D08065K,B1D30065HC,1CD0214T17-2005,B1D40120HCA,B1D08065E,B1M40120HC,B1M32120HK,B1D10120HC,B1D02120E

    培训文档-商品应用及供应商介绍  -  基本半导体  - 2019年07月01日 中文 下载

    基本半导体(BASiC) B1M160120HC碳化硅MOSFET数据手册

    描述- B1M160120HC SiC MOSFET 数据手册

    型号- B1M160120HC

    数据手册  -  基本半导体  - Revision:Preliminary version 英文 下载

    数据手册  -  基本半导体 英文 下载

    基本半导体(BASiC) B1D06065KF碳化硅肖特基二极管数据手册

    描述- B1D06065KF SiC Schottky Diode 数据手册

    型号- B1D06065KF

    数据手册  -  基本半导体  - Rev 1.0  - 2019年05月15日 英文 下载

    基本半导体:碳化硅功率器件高速发展,硅基IGBT将与之共存

    2021年4月14日-16日,上海慕尼黑电子展在新国际博览中心盛大开幕,基本半导体携全系碳化硅产品亮相展会。其650V碳化硅肖特基二极管产品已通过AEC-Q101可靠性测试,其他同平台产品也将逐步完成该项测试。基本半导体碳化硅功率器件产品被广泛应用于新能源、电动汽车、国防军工等领域。

    厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-08

    基本半导体(BASiC) 公司简介

    描述- 深圳基本半导体有限公司简介

    商品及供应商介绍  -  基本半导体 中文 下载

    基本半导体汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,搭载DTS+TCB等先进技术打造高端数字化智能工厂

    12月30日,基本半导体位于无锡市新吴区的汽车级碳化硅功率模块制造基地正式通线运行,首批碳化硅模块产品成功下线。这是目前国内第一条汽车级碳化硅功率模块专用产线,采用先进碳化硅专用封装工艺技术,打造高端数字化智能工厂。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-31

    基本半导体参与国家重点研发计划“新能源汽车”重点专项,助力国家“双碳”战略和“十四五”规划目标实现

    近日,科学技术部高技术研究发展中心发布《关于国家重点研发计划“十四五”“新能源汽车”重点专项2021年度项目安排公示的通知》。根据公示通知,这次拟立项的项目共有18个。其中,基本半导体、清华大学、国家新能源汽车技术创新中心、厦门金龙、方正电机等单位共同参与了由东南大学牵头的“高性能轮毂电机及模块化总成集成关键技术与应用”项目。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-29

    基本半导体自研第三代碳化硅肖特基二极管,具有更低VF和QC,实现低导通损耗和开关损耗

    基本半导体第三代碳化硅肖特基二极管继承了第一代和第二代产品的优点,采用JBS结构,优化了N-外延层的掺杂浓度,减薄N+衬底层,使得二极管具有更低的正向导通压降VF和结电荷QC,可以降低应用端的导通损耗和开关损耗。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-28

    基本半导体第二届汽车级碳化硅模块与电机控制器技术闭门会成功举办

    2021年11月26日,基本半导体第二届汽车级碳化硅模块与电机控制器技术闭门会在深圳隆重召开。来自国内外整车厂和电机控制器Tier1企业的研发、工程、投资等方向的专家齐聚一堂,深入探讨汽车行业对碳化硅模块的技术需求以及在碳化硅电机控制器开发方面遇到的问题和解决方案,共同推进新能源汽车行业加速发展。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-14

    基本半导体重磅发布汽车级全碳化硅功率模块和第三代碳化硅肖特基二极管,尤其适用于新能源汽车

    11月27日,2021基本创新日活动在深圳盛大启幕。基本半导体总经理和巍巍博士在会上发布了汽车级全碳化硅模块、第三代碳化硅肖特基二极管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品,至此基本半导体产品布局进一步完善,产品竞争力再度提升,将助力国内第三代半导体产业进一步发展。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-29

    基本半导体参与发起的国家5G中高频器件创新中心正式获批

    近日,从国家5G中高频器件创新中心新闻媒体通气会上传来喜讯:工业和信息化部正式批复同意深圳组建国家5G中高频器件创新中心。基本半导体是国家5G中高频器件创新中心创始股东单位之一。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-26

    基本半导体获评“推动国产功率器件封测设备与材料产业应用发展功勋企业”

    11月19日,2021首届新型功率器件封测材料与设备产业发展关键技术研讨会在深圳成功举行。研讨会上,基本半导体被授予“推动国产功率器件封测设备与材料产业应用发展功勋企业”荣誉称号。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-25

    基本半导体荣获“GDSIA 2021年度先进贡献奖”,产品性能达到国际先进水平

    11月17日,为进一步促进粤港澳大湾区半导体产业融合创新,2021粤港澳大湾区半导体产业趋势论坛在深盛大举办。论坛上,基于在功率器件领域不断突破核心技术、大力开拓市场、率先布局产业化建设等方面的突出表现,基本半导体荣获“GDSIA 2021年度先进贡献奖”。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-11-24

    第三代半导体行业领军企业—基本半导体完成C1轮融资,加速碳化硅功率器件的研发和产业化进程

    2021年9月17日,深圳基本半导体有限公司完成C1轮融资,由现有股东博世创投、力合金控,以及新股东松禾资本、佳银基金、中美绿色基金、厚土资本等机构联合投资。本轮融资将继续用于加速碳化硅功率器件的研发和产业化进程。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-26

    基本半导体携自主研发全系列碳化硅产品亮相2021世界新能源汽车大会,同期进行高温高湿环境测试

    9月15-17日,国内第三代半导体领军企业——基本半导体携自主研发的全系列碳化硅产品亮相“2021世界新能源汽车大会(WNEVC 2021)”,碳化硅模块试验车队同期在海南进行了车规级碳化硅功率模块高温高湿测试。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-23

    基本半导体:新能源汽车是SiC的最大驱动力

    ​在2021年慕尼黑上海电子展上,深圳基本半导体有限公司技术营销副总监刘诚结合基本半导体的发展历程,介绍了公司的未来动向。刘诚表示,目前基本半导体在持续投入工业应用的同时,也在逐步向消费级产品、新能源汽车、SiC模块等领域渗透,不断加大对新兴市场的投资力度。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-19

    “第三代半导体产业新星”基本半导体致力于碳化硅芯片技术和生产工艺研究,获得多个国内第一!

    自2016年6月成立以来,基本半导体致力于碳化硅芯片技术和生产工艺的研究,先后解决多项关键核心技术难题,率先推出国产1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品,并取得了多个国内第一。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-08-31

    【产品】大电流密度、高工作结温的SiC JBS,支持650-1700V,低反向漏电流、零反向恢复电流

    作为实现产业化的 SiC 器件,SiC JBS能提供近乎理想的动态性能。本文主要介绍基本半导体自主研发的650-1700V系列 SiC JBS产品优势、三大结构及其具体型号。

    产品    发布时间 : 2021-08-19

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • B1D10065E

    厂牌:基本半导体

    价格:¥21.4000 现货:100

  • B1D04065K

    厂牌:基本半导体

    价格:¥11.6000 现货:90

  • B1D04065F

    厂牌:基本半导体

    价格:¥12.2000 现货:90

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【应用】国产SiC MOS助力300W变频器辅助电源,漏-源电压可达1200V,导通电阻低至160mΩ

    300W,48V输出电压的变频器辅助电源可采用国产基本半导体的SiC MOS B1M160120HC。具有漏-源电压VDS最大额定值可达1200V;RDS(ON)低至160mΩ,电流Id为13A@TC=100℃;内置二极管的反向恢复电荷达82nc等优势。

    应用方案    发布时间 : 2021-08-18

    基本半导体碳化硅功率模块已通过器件级和控制器级的多项性能测试,装车测试发车仪式成功举行

    7月29日,基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式在深圳成功举行,搭载自主研发碳化硅模块的测试车辆正式启程,测试车队发车后将进行高温、高湿、高寒等一系列恶劣环境的应用测试活动和长里程可靠性验证活动。基本半导体车规级碳化硅功率模块已通过器件级和控制器级的多项性能测试。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-08-02

    【技术】碳化硅肖特基二极管技术演进

    碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一,其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例,其禁带宽度是硅材料的3倍,热导率是硅材料的3倍,电子饱和漂移速率是硅的2倍,临界击穿场强更是硅的10倍。

    技术探讨    发布时间 : 2021-07-26

    深圳积极扶持第三代半导体抢占技术高地,产业链实力趋强

    近年来,深圳积极推进IC全产业链布局,加大政策支持力度,推动本地IC产业的发展。通过链式前瞻布局,深圳也正积极筹谋第三代半导体领域的关键核心技术攻关,支撑产业创新能力提升。

    行业资讯    发布时间 : 2021-07-08

    碳化硅市场持续扩张,国内SiC产业加速出击,全国产替代正逐步实现

    作为全球半导体应用最大的国家,我国已经意识到发展第三代宽禁带半导体产业的重要性。行业专家推测,在未来的5年的时间内,中国第三代半导体产业将会迎来一个“高潮期”。

    行业资讯    发布时间 : 2021-07-06

    宽禁带半导体开启新能源汽车新篇章,2023或成为碳化硅市场爆发年

    中国新能源汽车产销量、保有量连续6年居世界首位,为宽禁带半导体的技术验证和更新迭代提供了大量应用数据样本。宽禁带半导体能有效提升新能源汽车性能并降低系统性成本,在新能源汽车领域的应用正处于“小步快跑”阶段,未来两年有望迎来市场大爆发。

    行业资讯    发布时间 : 2021-07-02

    国内第三代半导体行业领军企业基本半导体获评2020年度第四届中国IC独角兽

    6月11日,世界半导体大会落下帷幕。在大会同期举行的中国IC独角兽论坛上,基本半导体凭借在技术研发、市场开拓等方面的优异表现,获评2020年度第四届中国IC独角兽。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-16

    Automotive-grade Full SiC Power Module Reported by China‘s CCTV News

    On January 21, in an interview with a CCTV News reporter, Dr. Wang Zhihan, Chairman of BASiC Semiconductor, shared his experience in leading the team to overcome key technological bottlenecks for the third generation of semiconductors in terms of R&D innovation, product design, and talent cultivation.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-05-02

    基本半导体推出PD快充用碳化硅肖特基二极管,极致小尺寸国内首创!

    针对PD快充“小轻薄”的特点,碳化硅功率器件领先企业基本半导体在国内率先推出SMBF封装碳化硅肖特基二极管,该产品具有体积小、正向导通压低和抗浪涌能力强等特点,能很好地满足PD快充对器件的特殊需求。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-04-15

    国产第三代半导体企业探究SiC芯片研发及封装的可靠性,提升碳化硅功率器件质量

    质量的狭义概念是衡量器件在当前是否满足规定的标准要求,即产品性能是否与规格书描述的内容一致。广义上质量和可靠性有关,可靠性是衡量器件寿命期望值的指标,即通过可靠性结果计算器件能持续多久满足规范要求。本文中,国产碳化硅领军企业的基本半导体将从碳化硅芯片研发和封装方面探讨可靠性问题。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-03-31

    博世投资国内一流碳化硅功率器件提供商基本半导体,重点推进车规级碳化硅产品研发

    近日,隶属于博世集团的罗伯特·博世创业投资公司(RBVC)已完成对基本半导体的投资。在博世创投支持下,基本半导体将继续坚持自主创新,加大研发投入,重点推进车规级碳化硅产品的研发、制造及规模化应用,提升公司的综合竞争力。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-03-18

    基本半导体全系碳化硅分立器件、模块产品亮相央视新闻,对标国际一流水平

    1月21日,基本半导体董事长汪之涵博士接受中央电视台新闻频道记者采访,展示了基本半导体即将量产的自主研发产品——车规级全碳化硅功率模块,该产品针对新能源汽车电机控制器开发,搭载了8颗碳化硅MOSFET芯片,具有高功率密度、高可靠性、低模块内部寄生电感、低热阻等性能优势。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-02-01

    【应用】DFN 8X8封装的国产SiC二极管B2D10065Q助力200W PD快充,实现更小体积

    这里主要介绍国产基本半导体的碳化硅二极管B2D10065Q应用于200W PD多口快充电源PFC电路的优势:反向耐压650V;连续正向电流为10A@Tc=155℃,满载下快充的原边最大电流约2至3A;工作结温为-55℃~175℃,耐高温特性强。

    应用方案    发布时间 : 2021-01-30

    国产第三代半导体领军企业探究SiC材料特性及缺陷产生的原因,提升碳化硅功率器件的可靠性

    碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义,国产第三代半导体领军企业基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因,与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-01-30

    基本半导体入选2020“科创中国”新锐企业榜单,成为唯一上榜的第三代半导体企业

    1月18日,中国科协在北京召开2020年“科创中国”年度工作会议,会上发布了“科创中国”系列榜单。基本半导体成功入选“科创中国”新锐企业,成为唯一上榜的第三代半导体企业。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-01-21

    基本半导体完成数亿元B轮融资,重点拓展车规级碳化硅功率模块的研发和量产,打造行业领先的碳化硅IDM企业

    2020年12月31日,致力于碳化硅功率器件研发及产业化的国内第三代半导体行业领军企业基本半导体宣布完成数亿元人民币B轮融资,所融资金将主要用于加强碳化硅器件的核心技术研发、重点市场拓展和制造基地建设,特别是车规级碳化硅功率模块的研发和量产。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-01-14

    【产品】国产1200V碳化硅肖特基二极管B1D20120H,TO-247-2封装

    基本半导体的碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)B1D20120H,反向重复峰值电压为1200V,连续正向电流为20A,总电容电荷为101nC,采用TO-247-2封装,不含卤素,符合RoHS标准。

    新产品    发布时间 : 2021-01-10

    基本半导体的器件在光伏行业有应用案例吗?

    世强代理的基本半导体在光伏行业有相关应用,目前主要应用在于光伏前级的BOOST电路中,除了主流1000V和1500V系统,还有微逆光伏行业也有相关SIC二极管的应用,提升整体系统的转换效率,其详细资料可以参考:基本半导体SIC二极管在光伏行业相关应用。

    发布时间 : 2020-01-06

    基本半导体(BASiC) SiC JBS在组串式光伏系统中的应用

    描述- SiC JBS在组串式光伏系统中的应用

    型号- C4D10120D,SG6K-D,SCS220KE2,SG80KTL-M,B1D10120HC,FFSH20120ADN,IDW20G120C5B,GROWATT MAX60KTL3 MV,GW25K-DT,B1D20120HC,SUN2000-12KTL,C4D20120D,SCT2160KE,G

    培训文档-商品应用及供应商介绍  -  基本半导体  - 2019年6月 中文 下载

    【产品】1200V的国产SiC肖特基二极管B1D02120K,TO-220-2封装

    基本半导体的碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)B1D02120K,反向重复峰值电压为1200V,连续正向电流为2A,总电容电荷为11.8nC,采用TO-220-2封装,不含卤素,符合RoHS标准,可用于SMPS,不间断电源和电机驱动器等应用。

    新产品    发布时间 : 2021-01-05

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • B1D08065F

    厂牌:基本半导体

    价格:¥18.8000 现货:80

  • B1D10065F

    厂牌:基本半导体

    价格:¥23.0000 现货:80

  • B1D10065KF

    厂牌:基本半导体

    价格:¥21.8000 现货:77

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    中国第三代半导体领军企业基本半导体荣获2020年中国电动汽车核心零部件100强和中国创新成长企业100强

    12月10日,基本半导体荣获2020年度中国电动汽车核心零部件100强,以及2020年度中国的电动汽车最具投资价值企业Top30。12月16日,基本半导体又强势入选2020年度中国创新成长企业100强。

    厂牌及品类    发布时间 : 2020-12-23

    基本半导体(BASiC) 新能源车载电源的SiC应用及市场分析

    描述- 新能源车载电源的SiC应用及市场分析

    型号- C3D10065A,STPSC10H065B,C4D40120D,STPSC10H065D,SCS220KE2,C3D10065I,B1D10120HC,FFSH20120ADN,C3D10065E,SCS220AE2,FFSH4065ADN-F155,B1D40120HC,B1D2065HC,C3

    培训文档-商品应用及供应商介绍  -  基本半导体  - 2019年06月 中文 下载

    基本半导体(BASiC) 基于充电桩模块SiC器件应用的市场分析

    描述- 基于充电桩模块SiC器件应用的市场分析

    型号- FFSH10120A,FFSH3065ADN,C3D10065A,C4D40120D,FFSP08120A,STPSC10H065D,B1D30065HC,FFSH40120ADN,SCS220KE2,STPSC30H12C,FFSH30120ADN,IDW30G120C5B,B1D10120HC

    培训文档-商品应用及供应商介绍  -  基本半导体  - 2019年6月 中文 下载

    基本半导体公司介绍

    型号- BMB200120P1

    商品及供应商介绍  -  基本半导体  - Sep 2020 中文 下载

    基本半导体(BASiC)与科锐/英飞凌/ST/安森美 碳化硅JBS/碳化硅MOSFET产品型号对照表

    型号- FFSH10120A,C4D40120D,B1D30065HC,B1D16120HC,FFSH40120ADN-F155,SCS308AM,B1D15065K,FFSH4065ADN-F155,STPSC10120,FFSP1665A,STPSC20065D,STPSC8H065B,STPSC8H0

    对照表  -  CREE,ST,INFINEON,ROHM,基本半导体,ONSEMI 中文 下载

    活动泰科天润、瞻芯电子、中电国基南方等国产碳化硅器件,支持650V-3300V,10倍抗浪涌电流 ,VF值1.23V

    世强硬创电商代理泰科天润、上海瞻芯、中电国基、基本半导体、美浦森、派恩杰,六家国产碳化硅器件 。本次活动厂牌的型号,支持免费样品申请,并且保证100%原厂正品。下载【活动资料】¥400网红潮品Hi-Fi音箱、¥188 无线手机充电器×5!品牌及主要产品中国碳化硅(SIC)功率器件产业化的倡导者之一,也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商。泰科天润(GPT)拥有一座完整的半导体

    活动    发布时间 : 2020-12-04

    中国碳化硅功率器件领先企业基本半导体入选毕马威“芯科技”新锐企业50榜单

    近期,毕马威中国“芯科技”新锐企业50榜单颁奖典礼举行。基本半导体凭借深厚的技术实力和优秀的市场表现力,入选“芯科技”新锐企业50榜单。作为中国碳化硅功率器件领先企业,基本半导体掌握碳化硅功率器件核心技术,得到了市场充分认可。

    厂牌及品类    发布时间 : 2020-12-03

    【产品】650V/4A的碳化硅肖特基二极管B1D04065F,TO-263-2封装

    基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管(SiC肖特基二极管)B1D04065F,反向重复峰值电压最大额定值为650V,连续正向电流最大额定值为4A(TC=160°C条件下),总电容电荷典型值为12nC,具有反向电流极低、无反向恢复电流、VF有正温度系数、低电容等特点。

    新产品    发布时间 : 2020-11-12

    【视频】内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管

    在工业自动化专场世强硬创新产品在线研讨会中,基本半导体技术专家做了演讲,为我们介绍了该品牌的内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管。

    新产品    发布时间 : 2020-10-23

    【应用】1200V/20A的SiC二极管B1D20120HC助力光伏MPPT设计,具有零反向恢复损耗

    MPPT的碳化硅二极管球神直播间时主要考虑应用功率功耗、电压、电流和温升几方面。推荐基本半导体的B1D20120HC,1200V/20A,节温高达175℃,Vf低至1.5V,对应实现更低的导通损耗。拥有氮化硅二极零反向恢复损耗特性。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-10-14

    【应用】基本半导体650V/10A的碳化硅二极管B1D10065KF用于PFC,实测效率92.11%

    基本半导体650V/10A的碳化硅二极管B1D10065KF,主要用在PFC电路上D5位置,启动续流防反的效果。笔者在一款矿机产品中采用B1D10065KF实测的效率数据是92.11%,相比于A公司的91.49%和B公司的92.00%,实测效率更高,产品更具高性能优势。

    应用方案    发布时间 : 2020-09-30

    【经验】碳化硅肖特基二极管器件散热设计指导

    本文中国产碳化硅领先厂牌基本半导体将为各位读者讲解碳化硅肖特基二极管器件散热设计,从器件散热选择、器件散热注意事项、器件安装、验证芯片温度等四个角度进行介绍。

    设计经验    发布时间 : 2020-08-27

    【产品】破解绝缘和导热痛点!基本半导体力推内绝缘型TO-220封装碳化硅肖特基二极管

    近期,基本半导体推出内绝缘型的TO-220封装碳化硅肖特基二极管产品。该产品在内部集成一个陶瓷片用于绝缘和导热,可简化生产步骤,提高生产质量和整机的长期可靠性,有效解决产业界痛点问题。内绝缘TO-220封装外形跟普通铁封TO-220产品基本一致,但其背面散热器不再是二极管的阴极,属于悬浮电位。

    新产品    发布时间 : 2020-08-19

    基本半导体碳化硅功率器件系列产品以及碳化硅应用亮相2020慕尼黑上海电子展

    7月3日至5日,有着“中国电子行业风向标”之称的慕尼黑上海电子展隆重举行基本半导体首次亮相“慕展,”基本半导体碳化硅功率器件系列产品以及碳化硅应用产品悉数亮相、

    行业资讯    发布时间 : 2020-07-09

    基本半导体车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1荣获2020年度中国IC设计成就奖

    6月28日,在上海举行的2020中国IC领袖峰会暨中国IC设计成就奖颁奖典礼传来喜讯,基本半导体车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1荣获2020年度中国IC设计成就奖之功率器件奖项!

    行业资讯    发布时间 : 2020-07-02

    【应用】碳化硅肖特基二极管用于PFC电路,有效减少开关损耗进一步提高效率

    在电源PFC电路中使用碳化硅肖特基二极管有很多好处,基本半导体在本文中进行了论证。首先电源效率得到了显著提高,在其他条件不变时,只需更换二极管就能减小损耗;同时,由于不再需要考虑软开关或无损吸收技术,电源的开发周期进一步缩短,元件数量减少,电路结构也进一步简化;更重要的是它减小了对周围电路的电磁干扰,提高了电源的可靠性,使产品具有更强的竞争力。

    应用方案    发布时间 : 2020-06-23

    【产品】650V/24A的碳化硅肖特基二极管B1D10065KF,采用TO-220F-2L封装

    基本半导体(BASiC)推出的碳化硅肖特基二极管B1D10065KF,采用TO-220F-2L封装,具有出色的抗浪涌电流能力,反向电流极低,反向浪涌峰值电压为650V,反向重复峰值电压为650V,连续正向电流24A,采用TO-220F-2L封装,工作温度为-55~175°C ,基本没有开关损耗,可应用于开关电源(SMPS),不间断电源,电机驱动器等。

    新产品    发布时间 : 2020-03-19

    【产品】650V/20A/66nC的碳化硅肖特基二极管B1D20065K,具有反向电流低等特点

    基本半导体(BASiC)一款型号为B1D20065K的碳化硅肖特基二极管,它的VRRM为650 V,IF(Tc=150℃)为20A,Qc为66nC。特点包括:极低的反向电流;无反向恢复电流;温度独立开关;VF上的正温度系数;卓越的浪涌电流能力;低电容电荷。

    新产品    发布时间 : 2020-03-18

    【产品】1200V/10A/63nC的碳化硅肖特基二极管B1D10120F,采用TO-263-2封装

    基本半导体公司推出的碳化硅肖特基二极管B1D10120F,其反向电压1200V,正向整流电流10A(Tc=155°C),总电荷63nC,具有开关损耗低、电磁干扰小、系统效率高、开关频率高、功率密度大等优点,广泛应用在开关电源、不间断电源、电机驱动器以及功率因数校正等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-03-16

    【产品】650V/3A/20.4nC的碳化硅肖特基二极管B1D06065KF,采用TO-220-2L封装

    基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管B1D06065KF,采用TO-220F-2L封装,反向重复峰值电压VRRM为650V,壳温(Tc)为150℃时连续正向电流IF为3A,总电容电荷Qc典型值为20.4nC,具有开关损耗低、电磁干扰小、系统效率高、开关频率高、功率密度大等优点,广泛应用在开关电源、不间断电源、电机驱动器以及功率因数校正等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-03-15

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • B1D06065KF

    厂牌:基本半导体

    价格:¥14.8000 现货:70

  • B1D20065K

    厂牌:基本半导体

    价格:¥42.8000 现货:70

  • B1D06065F

    厂牌:基本半导体

    价格:¥15.4000 现货:70

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【产品】650V/8.3A/27nC的碳化硅肖特基二极管B1D08065E,采用TO-252-3封装

    基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管B1D08065E,采用TO-252-3封装,反向重复峰值电压为650V,连续正向电流为8.3A,总电容电荷典型值为27nC,具有开关损耗低、电磁干扰小、系统效率高、开关频率高、功率密度大等优点,广泛应用在开关电源、不间断电源、电机驱动器以及功率因数校正等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-03-12

    【经验】以碳化硅肖特基二极管B1D20065HC为例说明如何进行散热设计

    当SiC JBS器件在高于Tj(max)的温度下运行时,芯片可能发生热击穿损坏。选择冷却系统(散热器)时,需以芯片金属上或芯片中央正下方的温度为准。本文以基本半导体的碳化硅肖特基二极管B1D20065HC为例进行散热设计说明。

    设计经验    发布时间 : 2020-03-04

    基本半导体助力国创中心进行国产半导体极限高温测试,打造高质量的国产车规级碳化硅功率器件

    8月14日,国家新能源汽车技术创新中心(简称“国创中心”)邀请基本半导体等13家国内整车和半导体企业的专家,实地开展“中国车规半导体首批测试验证项目吐鲁番高温试验”活动,并举行了车规半导体测试验证项目高温测试技术研讨会。

    行业资讯    发布时间 : 2020-01-04

    基本半导体公司助力国创中心进行自主车规半导体进行高寒测试,加快国产半导体上车进度

    ​2019年12月,在零下40℃的内蒙古呼伦贝尔市海拉尔区,由国家新能源汽车技术创新中心(简称“国创中心”)主导,青铜剑科技、基本半导体、一汽新能源、北汽新能源、北汽福田等12家整车和半导体企业参与的国产半导体芯片“极限低温”测试在高寒试验基地进行。

    行业资讯    发布时间 : 2020-01-04

    【技术】碳化硅肖特基二极管的基本特征和应用优势分析,耐压可以达到6000V

    本文介绍了碳化硅肖特基二极管器件的结构和特征、正向特性,在介绍恢复特性时,基于基本半导体碳化硅肖特基二极管B1D20065K的测试结果,与硅快速恢复二极管进行了对比。基本半导体自主研发推出了650V、1200V、1700V系列标准封装碳化硅肖特基二极管及1200V碳化硅MOSFET产品,具有极高的工作效率。

    厂牌及品类    发布时间 : 2019-12-31

    【经验】浅谈硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动的区别

    硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大,碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件,主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面。基本半导体自主研发的碳化硅 MOSFET 具有导通电阻低,开关损耗小的特点,可降低器件损耗,提升系统效率,更适合应用于高频电路。

    设计经验    发布时间 : 2019-12-17

    【球神直播间】国产SiC肖特基二极管B1D20065H可pin-tp-pin替代ONSEMI的FFSH2065A

    SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,散热要求低,是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用ON的SiC肖特基二极管FFSH2065A居多,但由于供货周期和价格等原因,许多客户急需高性价比的替代产品。本文重点推荐国产基本半导体(BASIC)的B1D20065H,可pin-tp-pin替代FFSH2065A。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-11-05

    【产品】1200V国产碳化硅肖特基二极管B1D40120HC

    基本半导体(BASiC) B1D40120HC碳化硅肖特基二极管的重复峰值反向电压为1200V,连续正向电流(Tc=155°C)为44A**,Qc为220nC**。(*per leg;** per Device),适用于开关模式电源,SMPS,不间断电源,电机驱动器,功率因数校正。

    新产品    发布时间 : 2019-11-04

    【球神直播间】可Pin-Pin替代CREE C2M0160120D的SIC MOSFET B1M160120HC,交期有保证

    SIC MOSFT因其高频高性能表现,广泛应用于高压DCDC转换器和逆变器中。市面上光伏逆变器BOOST升压处会用到1200V的SIC MOS,工程师通常会选CREE的C2M0160120D,但由于交期和价格等原因,急需一款高性价的产品进行替代。本文推荐基本半导体的SIC MOSFET B1M160120HC替代CREE的C2M0160120D。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-10-30

    光伏逆变PFC升压电路中,可替代IFX IDW20G120C5B的国产1200V SIC肖特基二极管B1D20120HC

    SIC 肖特基二极管因其极低的反向电流,无反向恢复电流等高性能表现,广泛应用于光伏逆变、UPS等大功率应用领域,在光伏逆变PFC升压电路中,通常会用IFX的1200VSIC肖特基二极管IDW20G120C5B,但因为供货交期和价格等原因,工程师希望寻找一款高性价比替代物料,本文推荐基本半导体的B1D20120HC可替代IFX IDW20G120C5B。以下为两者电性能参数对比:

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-10-30

    【球神直播间】高性价比替代STPSC20065的国产SiC肖特基二极管B1D20065H,基本参数一致

    SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,散热要求低,是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用ST的SiC肖特基二极管STPSC20065居多,但由于供货周期和价格等原因,许多客户急需高性价比的替代产品。本文重点推荐国产基本半导体(BASIC)的B1D20065H可替代STPSC20065。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-10-30

    【球神直播间】国产SiC肖特基二极管B1D10120F可替代ST的STPSC10H12G,工作温度范围更宽且漏电流更低

    SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,散热要求低,是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用ST的SiC肖特基二极管STPSC10H12G居多,但由于供货周期和价格等原因,许多客户急需替代产品。本文重点推荐国产基本半导体(BASIC)的B1D10120F来替代STPSC10H12G。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-10-27

    基本半导体车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1荣获“中国芯”优秀技术创新产品奖

    2019年10月25日,第十四届“中国集成电路产业促进大会”在青岛举办,现场揭晓了“中国芯”优秀产品征集结果,基本半导体车规级全碳化硅功率模块(BMB200120P1)荣获优秀技术创新产品奖。“中国芯”是国内集成电路产业的最高荣誉,被誉为我国集成电路设计业发展的风向标。

    行业资讯    发布时间 : 2019-10-27

    【球神直播间】pin-to-pin替代ON FFSB10120A-F085的国产SiC肖特基二极管B1D10120F

    SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,散热要求低,是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用ON的SiC肖特基二极管FFSB10120A-F085居多,但由于供货周期和价格等原因,许多客户急需替代产品。本文重点推荐国产基本半导体(BASIC)的B1D10120F可pin-to-pin替代FFSB10120A-F085。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-10-26

    【产品】1200V/33A SiC肖特基二极管B1D20120HC

    基本半导体推出的SiC肖特基二极管B1D20120HC,有着1200V的反复峰值重复电压,33A的连续正向电流,QC=126nC的良好特性,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源,电机驱动器和功率因数校正等领域。

    新产品    发布时间 : 2019-10-22

    【产品】1200V/16A SiC肖特基二极管B1D10120K,基本没有开关损耗

    B1D10120K是基本半导体推出的SiC肖特基二极管,采取TO-220-2L封装,反向重复峰值电压最大额定值为1200V。此外,它反向电流极低,无开关损耗而且开关特性与温度无关,性能出色。

    新产品    发布时间 : 2019-10-04

    基本半导体将加快研发更高功率密度、更大电压电流等级的碳化硅功率器件,实现碳化硅功率器件的自主可控、国产替代

    近日,国内第三代半导体行业领军企业——深圳基本半导体宣布了一则重磅消息:一辆搭载了基本半导体碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管的新能源汽车,至今已累计无故障行驶120天、运行里程超过1万公里!

    行业资讯    发布时间 : 2019-10-02

    国内唯一可量产碳化硅MOSFET的基本半导体承办第三届“中欧第三代半导体高峰论坛”

    深圳基本半导体总经理和巍巍在论坛上表示,国内第三代半导体碳化硅发展一直紧跟世界前沿,但在汽车设计和制造方面,和国际的先进水平还有一定的差距。目前,国内有几所大学可以制造器件样品,有部分公司可以量产二极管,但仅有基本半导体可量产碳化硅MOSFET,基本半导体未来将继续加大研发投入,加强技术创新,致力于铸造第三代半导体碳化硅的中国“芯”。

    行业资讯    发布时间 : 2019-09-24

    【球神直播间】替代ONSEMI的国产SiC肖特基二极管,典型电性能参数基本一致

    目前市场上以选用ONSEMI的SiC肖特基二极管FFSH2065ADN-F155/FFSH4065ADN-F155居多,由于供货周期和价格等原因,对其替代产品有一定需求。本文推荐国产基本半导体的B1D20065HC/B1D40065HC,可较好地替代。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-09-05

    【球神直播间】替代ST STPSC10H12D/40065CW的国产SiC肖特基二极管B1D10120K/40065

    目前市场上以选用ST的SiC肖特基二极管STPSC10H12D和STPSC40065CW居多,但由于供货周期和价格等原因,许多客户急需高性价比的替代产品。本文重点推荐国产基本半导体(BASIC)的B1D10120K和B1D40065HC可pin-to-pin替代ST公司的STPSC10H12D和STPSC40065CW。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-08-29

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • B1D06065K

    厂牌:基本半导体

    价格:¥15.0000 现货:65

  • B1D10065KS

    厂牌:基本半导体

    价格:¥22.0000 现货:60

  • B1D15065K

    厂牌:基本半导体

    价格:¥32.0000 现货:60

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【球神直播间】pin-pin替代Onsemi FFSP10120A的国产SiC肖特基二极管B1D10120K

    目前市场上以选用Onsemi的SiC肖特基二极管FFSP10120A居多,但由于供货周期和价格等原因,许多客户急需一款高性价比替代产品。本文重点推荐国产基本半导体的B1D10120K可替代FFSP10120A。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-08-26

    【产品】采用TO-247-3L封装的650V碳化硅肖特基二极管B1D20065HC和B1D40065HC

    B1D20065HC和B1D40065HC是基本半导体推出的反向重复峰值电压最大额定值为650V的碳化硅肖特基二极管,壳温为150℃时,它们的连续正向电流(每个器件)分别为20A和40A。它们没有反向恢复电流,基本没有开关损耗,且开关特性与温度无关。

    新产品    发布时间 : 2019-08-17

    商品及供应商介绍  -  基本半导体 中文 下载

    【产品】TO-252-3L封装的650V碳化硅肖特基二极管B1D04/06/10065E,没有反向恢复电流

    B1D04065E、B1D06065E和B1D10065E是基本半导体推出的反向重复峰值电压最大额定值为650V的碳化硅肖特基二极管,壳温(Tc)为150℃时,它们的连续正向电流分别为4A、6.3A和10A。它们没有反向恢复电流,基本没有开关损耗,且开关特性与温度无关,

    新产品    发布时间 : 2019-07-29

    【产品】10kV PiN二极管的阻断电压14kV,工作结温达到175℃

    基本半导体基于其特有的碳化硅外延层技术,开发了一系列10kV以上电压等级的超高压双极型器件。其中,10kV PiN二极管的阻断电压14kV,4英寸晶圆上芯片良率达到90%,工作结温达到175℃,与传统硅二极管相比,具有更快的开启和关断特性,反向恢复特性软度高。在高压应用中,有利于降低串联器件个数,降低系统复杂度,增强可靠性。

    新产品    发布时间 : 2019-07-11

    【产品】国产1200V碳化硅 MOSFET,具有低的RDS(ON)

    基本半导体(BASiC)碳化硅 MOSFET具有低的RDS(ON),开关性能优良,可提高器件工作效率,减少芯片面积。它们能在更高的开关频率下,通过更低的热损耗实现高效率。这些产品可在电机驱动器、开关电源、太阳能逆变器和UPS等领域广泛使用。

    新产品    发布时间 : 2019-07-09

    【产品】国产碳化硅肖特基二极管,零反向恢复,提供行业标准封装

    碳化硅作为一种宽禁带半导体材料,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带(3.26eV)、高临界场(3×106V/cm)和高导热系数(4.9W/mK)使得功率半导体器件效率更高,运行速度更快,并且在设备的成本、体积和重量等方面都得到了降低。基本半导体碳化硅肖特基二极管,提供行业标准封装,具有优越的性能和极高的工作效率。

    新产品    发布时间 : 2019-07-06

    全球独创3D SiC™技术功率器件厂商基本半导体(BASiC)正式入驻世强元件电商平台

    基本半导体(BASiC),是中国第三代半导体行业领军企业,致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。其独创的3D SiC™技术,充分发挥了碳化硅材料的潜力,实现了更高的系统功率和更低的系统损耗,可降低器件损耗高达30%。基于3D SiC 外延技术设计的基本半导体(BASiC)功率器件已正式入驻世强元件电商平台。

    公司动态    发布时间 : 2019-07-04

    【产品】车规级全碳化硅功率模块BMB200120P1,专为新能源汽车主逆变器应用设计

    BMB200120P1是基本半导体为新能源汽车主逆变器应用推出的车规级全碳化硅功率模块。该模块采用业内主流的单面水冷散热形式,为高效电机控制器设计提供便利。单模块采用半桥拓扑形式,内部集成两单元1200V/200A碳化硅MOSFET和碳化硅续流二极管。单模块200A的输出电流能力可有效减少逆变器中功率器件数量,降低系统设计难度,同时提升系统可靠性。

    新产品    发布时间 : 2019-07-01

    【产品】基本半导体推出通过工业级可靠性测试的1200V碳化硅MOSFET

    基本半导体采用业内最成熟可靠的平面栅工艺,结合自身技术优势和特点,开发出了高可靠性、各项技术指标优异的1200V系列碳化硅MOSFET,特别是在器件短路耐受能力方面,基本半导体运用其独有的技术优势,将器件的短路耐受时间提升到6μs级别,给工程师应用带来更多选择的同时,大大降低了驱动保护电路的设计成本和要求。

    新产品    发布时间 : 2019-06-30

    【产品】碳化硅JBS二极管和碳化硅MOSFET裸芯片,1200V和1700v可选

    基于3D SiCTM技术,基本半导体自主研发碳化硅JBS二极管和碳化硅MOSFET芯片产品系列。目前已开发出650V、1200V和1700V 碳化硅JBS二极管,以及1200V 碳化硅MOSFET,提供裸芯片。

    新产品    发布时间 : 2019-06-29

    【技术】100/150mm 碳化硅外延片,具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度

    基本半导体生产100/150mm 碳化硅外延片,具有极佳的均匀性和极低的缺陷密度。基本半导体是中国第三代半导体行业领军企业,致力于碳化硅功率器件的研发与产业化。针对不同规格要求,提供一套完整的碳化硅外延材料解决方案。

    新技术    发布时间 : 2019-06-28

    联系我们

    400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

    service@sekorm.com

    投诉与建议

    E-mail:claim@sekorm.com

    商务合作

    E-mail:contact@sekorm.com

    搞研发 找元件
    下载世强硬创电商APP