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即思创意(FSS)是台湾一家专业的碳化硅功率器件供应商,专注于可降低切换损耗适用于高频操作的超低电容电荷碳化硅肖特基二极管及碳化硅MOSFET。‍全系列采用寄生电感小、小型化、表面贴焊的DPAK及QFN5x6封装。世强是即思创意官方授权一级代理商,代理即思创意碳化硅功率器件,库存丰富,正品保证。   查看更多

即思创意产品球神直播间帮助

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球神直播间帮助  -  即思创意

【产品】专门针对快充应用设计的碳化硅MOS管和碳化硅萧特基二极管,雪崩能量和短管耐受能力远超氮化镓

即思创意专为快充充电器设计快充充电器设计的碳化硅MOS管和碳化硅萧特基二极管方案,目前市面上小型化高功率密度快充的最佳选择,专门针对快充应用设计的碳化硅MOS管和碳化硅萧特基二极管。

新产品    发布时间 : 2022-01-15

碳化硅MOS进入消费电源市场,即思创意发布65W SiC快充方案

即思创意(Fast SiC Semiconductor Inc., FSS) 发布了一系列典型耐压 750V的 SiC MOSFET,将有望首次把以往只用于新能源车、航天和高阶工控等的碳化硅技术导入消费者随身携带的充电头中。

厂牌及品类    发布时间 : 2022-01-07

Achieve Zero Switching Loss with SiC MOSFET

A technical report published in IEEE Transactions on Power Electronics, demonstrated that the switching loss of SiC MOSFET can be completely eliminated under some control strategies.The study was conducted by Prof. Alex Q. Huang’s group at University of Texas at Austin and Prof. Bo Zhang’s group at University of Electronic Science and Technology of China.

设计经验    发布时间 : 2021-10-16

SiC can Be Extremely Fast

People would think of GaN (gallium nitride) when talking about high frequency or very high frequency switching. However, a study published by scientists from Stanford University showed that SiC can also be extremely fast.The scientists demonstrated that DC-RF efficiency higher than 86% can be realized with a 17MHz class E inverter using SiC MOSFET.

设计经验    发布时间 : 2021-10-15

代理证明  -  即思创意  - 20210204 中文 下载

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  • FC06008D

    厂牌:即思创意

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    SiC is quickly taking the market share originally occupied by Si IGBT in electric vehicles

    With SiC inverters, it is possible to extend the range of EVs by 6~10% with the same size of battery pack, or maintain the same range with a smaller battery because of its high efficiency and high frequency operation capability. It can be sure that SiC will continue to replace Si in EVs, not just in main inverters, but also on-board chargers (OBC) and DC/DC converters, probably faster than anticipated.

    行业资讯    发布时间 : 2021-10-14

    What is SiC and why is SiC for power devices?

    In SiC, because of its 10 times strength to withstand electric field, its theoretical specific on-resistance can be 200 times smaller than Si counterpart, which enables people to use SiC to manufacture high voltage devices with simple structures. Today, unipolar SiC power devices, including SiC MOSFETs and SiC Schottky rectifiers, have been commercialized for voltage rating up to 3300V, which is unreachable by any other semiconductor materials.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-09-28

    活动ROHM,Littelfuse,UnitedSiC等650V-3300V SiC器件,助力设备高频、高效率、小型化

    世强元件电商代理数10家国内外顶级SiC器件品牌,包括ROHM,Littelfuse,UnitedSiC,先导中心,CALY,泰科天润等,SiC支持650V-3300V耐压等级,供货有保障,价格优惠。

    活动    发布时间 : 2021-09-01

    650V SiC MPS/JBS Schottky Rectifiers Boast Ultra-low Qc and Best-in-Class VF*Qc

    FastSiC‘s ultra-low Qc SiC MPS/JBS Schottky Rectifiers reduces switching loss (charging/discharging of diode junction capacitance) while maintaining the same conduction loss compared to competitors.

    新产品    发布时间 : 2021-07-21

    650V SiC MPS/JBS Schottky Rectifier Features Ultra-low VF and High IFSM

    FastSiC‘s low forward voltage drop SiC MPS/JBS Schottky Rectifier reduces conduction loss while providing lower Qc than competitors.

    新产品    发布时间 : 2021-07-18

    【产品】即思创意650V/2~10A的SiC MPS/JBS肖特基整流器,具备超低的QC特性

    即思创意(FSS)推出的最大反向电压为650V的SiC MPS/JBS肖特基整流器,具备超低的QC特性,与主要竞品相比,在传导损耗特性相当的情况下降低了开关损耗(特指二极管结电容充/放电时),这一点特别有助于提升产品的轻载、高频运行效率。

    新产品    发布时间 : 2021-07-10

    能承受10倍电场的碳化硅功率器件已用于额定电压高达3300V的商业化应用

    碳化硅能承受10倍电场,其理论上在通态电阻上会比硅器件小200倍,这允许人们使用碳化硅生产出高电压的简单结构器件。目前单极碳化硅功率器件,包括碳化硅MOSFET和碳化硅肖特基二极管,已经用于额定电压高达3300V的商业化应用,这是任何其他半导体材料无法做到的

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-07-02

    即思创意650V增强型SiC MOSFET,可实现比GaN更好的品质因数(FOM)

    即思创意推出的增强型碳化硅场效应管(SiC MOSFET),其输出电荷(Qoss)几乎是新一代超结硅MOSFET的1/10,接近氮化镓场效应管(GaN FET)水平。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-07-01

    How Fast and Rugged Todays‘ SiC Schottky Rectifiers Can Be?

    Silicon carbide (SiC) Schottky rectifiers are extremely fast with zero minority carrier (hole) reverse recovery charge (Qrr). The only charge participated during the switching of SiC Schottky Rectifiers is the majority carrier (electron) junction capacitive charge (Qc). The Qc of SiC Schottky Rectifiers does not change with temperatures or operation conditions such as forward current and the reverse bias.

    应用方案    发布时间 : 2021-06-24

    How Much Current and Heat the Surface Mount Device (SMD) Packages Can Handle?

    There is an impression that the capability of small form factor surface mount device (SMD) packages in handling current and heat is limited. This is not true, at least the limitation does not come from the package itself. For example, in an application note, Infineon shows that the continuous current rating of power MOSFET with QFN5x6 can reach 282A, and the limitation to a higher rated current is still not the package but the chip.

    设计经验    发布时间 : 2021-06-23

    C-V Curve Matters for Quiet Power Electronics

    In this article, we cited some scholars‘ studies on how the intrinsic capacitances of power MOSFETs affect EMI and EMC of power electronics. With more linear capacitance versus voltage (C-V) curve one device has, the better EMI performance the system can behave. Thus, due to the reduced cell pitch which causes more abrupt change in Cgd, designers should pay more attention to the EMI/EMC when using the newer generations of Si SJ MOSFETs.

    设计经验    发布时间 : 2021-06-23

    Expedite the transformation of power electronics from Si to SiC

    型号- FC06002X,FC06008D,FC06006A,FC06008C,FC06008B,FC06008A,FH06010C,FC06016C,FC06006D,FC06006C,FH06004C

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    A Lower Forward Voltage Drop Does Not Always Bring Benefits

    The forward voltage(VF) is an important parameter to Schottky barrier diode, however, junction capacitive charge matters for SBD as well. In some conditions, SBD with a higher VF and a lower Qc can outperform the diode with a lower VF but a higher Qc. That is to say VF*Qc is a better measure (figure-of-merit) should be used to evaluate the performance of SiC Schottky diode.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-22

    Why Using Newer Si SJ MOSFETs May Not Be a Good Idea for High Frequency Switching

    Resonant switching techniques are used to reduce the switching loss and increase the power density. Output capacitance (Coss) related loss is the major switching loss in resonant soft switching. However, under the similar on-resistance, new generations of silicon super junction MOSFET are actually dissipating more energy, and Ediss of silicon super junction MOSFET tends to increase with increasing frequency. Silicon super junction MOSFETs are less suitable to be used in resonant topologies targeting high frequency operations.

    设计经验    发布时间 : 2021-06-22

    使用SiC MOSFET实现零开关损耗,开关损耗不再是开关频率限制因素

    ​一篇在IEEE学报上发表的电力电子技术报告表明,SiC MOSFET的开关损耗在某种控制策略下可以完全消除。利用零电压开关(ZVS)开通时恢复存储在输出电容中的能量(Eoss),并使用更强的栅级驱动和减少寄生电容,来实现零关断损耗(ZTL),这便做到了零开关损耗(ZSL)。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-21

    【经验】器件承受电流和热量的极限不是来自封装

    表面贴装器件可以承受的电流和热量其实更多的是取决于是否有散热槽、铜焊盘大小等因素,而非封装本身的大小。针对散热问题,设计师们在设计功率MOSFET电路时应该更加关注器件的开关损耗和传导损耗等参数。

    设计经验    发布时间 : 2021-06-12

    碳化硅具有输出电容、相关损耗与开关频率无关的特性,速度也可以非常快

    当提及高频或超高频开关时,人们首先会想到GaN(氮化镓)。然而,斯坦福大学科学家发表的一项研究表明,碳化硅的速度也非常快。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-11

    提高开关器件的效率?结电容电荷或许比正向电压更重要

    在评估碳化硅肖特基二极管的性能表现时,使用正向电压*结电容电荷(VF*Qc)是一个更好的衡量指标。总的说来,如果有效电流相对较低,和/或开关频率相对较高,那么选择低结电容电荷的碳化硅肖特基二极管要比选择低正向电压的二极管在提高效率方面会更有帮助。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-10

    碳化硅正在取代硅材料IGBT用于电动汽车

    由于碳化硅高效率和高频工作的特点,使得制作的逆变器可将同样大小的电池组提高电动汽车里程6~10%,或者使用更小的电池也能做到同样的里程。这使得汽车厂商有足够的动力在电动汽车上使用碳化硅MOSFET替代硅材料IGBT。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-09

    碳化硅快充充电器

    型号- FF06150,FF061K0,FC06006,FF06320,FF06100

    商品及供应商介绍  -  即思创意  - June. 2021 中文 下载

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    【经验】为何在谐振转换器里使用新一代超结硅MOSFET不是个好选择

    新一代超结硅MOSFET的特性使其具有更小的晶圆尺寸和更低的成本,但同时使其输出电荷-漏源电压曲线的滞后区域也扩大,造成输出电容损耗更高,频率增加也会导致能量耗散更严重。而谐振转换技术的开关损耗主要来自输出电容损耗,因此,新一代超结硅MOSFET并不十分适合用在针对高频动作的谐振转换器里。

    设计经验    发布时间 : 2021-06-08

    SiC MOSFET Clamped Inductive Load Switching Evaluation Kit

    型号- FF06190A,FSSEVB_GDRV,FSSEVB_CILS

    应用笔记或设计指南  -  即思创意  - Rev. A  - May 2021 英文 下载

    【技术】表贴式封装更加适合碳化硅肖特基整流器、碳化硅MOSFET和氮化镓HEMT在内的高开关速度器件

    碳化硅肖特基整流器拥有零少数载流子(空穴)反向恢复电荷(Qrr),使其具备极高的开关速度。在碳化硅肖特基整流器开关过程中唯一参与的电荷就是多数载流子(电子)结电容电荷(Qc)。

    新技术    发布时间 : 2021-06-08

    650V Enhancement-mode SiC MOSFET Provides Qoss Almost 1/10 of Advanced Silicon Super-junction MOSFET

    Our enhancement-mode SiC MOSFET provides Qoss almost 1/10 of advanced silicon super-junction MOSFET and close to GaN FET. The Rdson@100C is only 10% higher than Rdson@25C, enables better Rdson@100C*Qoss figure-of-merit (FOM) better than GaN. The driving method of our SiC MOSFET is similar to that of silicon power MOSFET and the dV/dt is easily and fully controllable by adjusting external gate resistance (Rg,ext). The much higher avalanche energy (EAS) density (close to 20J/cm2) enables the EAS rating similar to advanced silicon super-junction MOSFET despite with a much smaller chip size.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-07

    【经验】高速电路设计难?模块化设计理念是好方法

    碳化硅MOSFET和氮化镓晶体管等宽带隙器件可以做到极高的开关速度,能处理极大的功率。随之而来的则是电路系统会对寄生分量和阻抗连续性更加敏感。采用模块化设计理念,将设计拆分成子设计块,进而减少外围器件改动的限制,可以更轻松地实现健壮、可靠、紧凑和高效的电力系统。

    设计经验    发布时间 : 2021-06-04

    【产品】性能接近GaN FET的650V SiC MOSFET Falcon系列,调节外部栅极电阻可完全控制dV/dt

    即思创意(Fastsic)增强型SiC MOSFET提供的Qoss几乎是性能优异的硅超结MOSFET的1/10,接近GaN FET。导通电阻 @ 100℃时仅比导通电阻 @ 25℃高10%,使其在导通电阻@ 100℃时的 Qoss品质因数(FOM)比GaN更好。

    新产品    发布时间 : 2021-05-28

    数据手册  -  即思创意  - Rev. Tentative –Oct. 2020  - 20.10.28 英文 下载

    数据手册  -  即思创意  - Rev. Preliminary –Mar. 2021  - 21.03.31 英文 下载

    数据手册  -  即思创意  - Revision Preliminary  - 21.10 英文 下载

    FC06016 Silicon Carbide Merged PN-Schottky Diode

    型号- FC06016,FC06016D,FC06016C

    数据手册  -  即思创意  - Revision Preliminary  - 21.10 英文 下载

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  • FC06006C

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