中电国基南方

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中电国基南方(CETC)成立于1958年,为中国电子科技集团公司第五十五研究所,拥有国内唯一的“宽禁带半导体电力电子器件实验室”,已承担十余项SiC功率电子方面的国家科技重大专项课题,专利受理206项,其中发明专利159项, PCT 10项。中电国基南方(CETC)是国内最早建立4、6英寸SiC生产线的公司,容纳圆片能力10000片/年,公司通过了GB/T 19001、ISO9001等行业认证。   查看更多

中电国基南方产品球神直播间帮助

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【球神直播间】中电国基南方SiC SBD裸芯片/二级管球神直播间指南

目录- SiC SBD裸芯片    三代650V二级管    三代1200V二级管    三代1700V二级管/一代2000V二级管   

型号- WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A050120D,WS3A050120B,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A030120B,WS3A008120E,WS3A00

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【球神直播间】中电国基南方SiC电力电子器件(SiC MOSFET/SiC SBD)球神直播间指南(中文)

目录- 公司发展历程与产品介绍    SiC MOSFET    SiC SBD    SiC电力电子器件应用   

型号- WM1A280120B,WM2A017065B,WM2A035065K,WM2A017065K,WM2A035065B,WN1A080120N,WM1A040120K,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120B,WS3A015120B,WM1A080120B,WM2A12

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【球神直播间】中电国基南方SiC电力电子器件(SiC MOSFET/SiC SBD)球神直播间指南(英文)

目录- Company profile    SIC MOSFET/SIC SBD Introduction    SIC MOSFET    SIC SBD   

型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A0

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中电国基南方碳化硅二极管球神直播间表

提供中电国基南方碳化硅二极管球神直播间,覆盖电压650V/1200V,正向电流3A-60A,漏电流低至0.5A

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【经验】国产高电压碳化硅功率器件WM1A650170K驱动异常分析

某客户应用在1000V左右的输入的光伏的项目中的辅助电源上选用了此器件,采用的是反激式电源,用作高频开关作用,以前普遍采用双mos管串联使用(因硅器件的耐压做不到那么高)。驱动异常波形如图1,目前线路能够正常工作,但客户担心会不会有其他异常状态会导致器件击穿短路。

设计经验    发布时间 : 2022-01-07

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  • WS3A010065A

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥13.0000 现货:200

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    【应用】国产SiC MOS管WM1A01K170K助力光储辅助电源设计,耐压高达1700V

    本文重点介绍国产中电国基南方1700V的SIC MOS管助力光储辅助电源设计,光储逆变器中,一般会有一套或者两套辅助电来给控制电路和驱动电路供电,针对1500V高压系统,200KW的组串式储能系统辅助电源则需要150W-200W的辅助电源。

    应用方案    发布时间 : 2021-11-16

    【产品】国内最早量产1200V  SiC MOSFET在工业领域的应用 | 视频

    在世强硬创新产品研讨会中,中电国基南方FAE为我们做了演讲,视频介绍了中电国基南方SiC MOSFET产品。重点讲解高可靠性国产SiC MOSFET在工业设备小型化中的应用,包括了中电国基南方WM1A080120K1和Cree公司C2M0080120D特性对比优势。

    新产品    发布时间 : 2021-10-29

    活动ROHM,Littelfuse,UnitedSiC等650V-3300V SiC器件,助力设备高频、高效率、小型化

    世强元件电商代理数10家国内外顶级SiC器件品牌,包括ROHM,Littelfuse,UnitedSiC,先导中心,CALY,泰科天润等,SiC支持650V-3300V耐压等级,供货有保障,价格优惠。

    活动    发布时间 : 2021-09-01

    中电国基南方可以申请样品吗?

    可以申请样品!世强是中电国基南方(CETC)官方授权一级代理商,请查询中电国基南方球神直播间指南 https://www.sekorm.com/doc/1989620.html 确认型号。对应型号价格、货期、样品等可在元件商城版块搜索了解,网址:https://www.sekorm.com/supply/;如还有其他问题欢迎致电400-887-3266或邮件service@sekorm.com,谢谢您的咨询!

    发布时间 : 2020-05-12

    【应用】国产1700V SIC MOSFET WM1A650170K 助力UPS辅助电源设计,典型导通电阻仅650mΩ

    本文主要介绍国产中电国基南方1700V SIC MOSFET WM1A650170K助力UPS辅助电源设计,其典型导通电阻值为650mΩ,导通电阻更低,可减小导通损耗,降低器件发热,进而提高辅助电源效率;VDS具有1700V的耐压,可以兼容600V~1000v的母线电压应用;工作结温为-55℃~150℃,可达到工业等级温度要求。

    应用方案    发布时间 : 2021-07-01

    中电国基南方SiC MOSFET填补了国内多项技术空白,WM1A系列入选十大国有企业数字技术成果

    国务院国资委在第四届数字中国建设峰会上举办国有企业数字化转型论坛,首次集中发布了十大国有企业数字技术成果。中电国基南方WM1A系列SiC MOSFET入选,对标国际先进,突破高温高能离子注入、高迁移率栅氧化、激光退火等关键工艺,填补了国内多项技术空白。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-05-01

    【应用】国产1200V系列SiC肖特基二极管用于光伏逆变器,电流2~40A可选,大幅降低开关损耗

    针对不同功率的光伏逆变器,本文推荐中电国基南方第3代1200V SiC二极管系列,可提供电流等级2A-40A产品,提供主流封装选择,Tjmax达175℃,可满足市面上大多数的光伏逆变器应用。

    应用方案    发布时间 : 2021-04-29

    中电国基南方第三代SiC SBD助力UPS电源效率提升,满足8-30A不同需求

    针对不同功率的UPS电源,国基南方第三代SiC SBD提供了8-30A不同型号可供选择,封装形式上,可提供TO-220(及塑封)、TO-263、TO-247等多种常规封装,可满足大部分UPS电源的需求。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-03-31

    国产功率器件龙头供应商,角逐PD快充、新能源汽车、5G基站、充电桩、光伏逆变器替换市场

    世强硬创电商目前已获扬杰科技、强茂PANJIT、泰科天润、长晶科技、无锡紫光微、硕凯电子、槟城电子、电安科技等多家国产功率器件龙头供应商授权,代理其IGBT、IPM、Si MOS、SiC、GaN FET、FRD、整流桥等品类。 扬杰科技PB系列整流桥、FRED二极管,SiC和MOSFET产品目前在充电桩领域运用广泛。

    活动    发布时间 : 2021-03-15

    中电国基南方可提供650-6500V/17-1000毫欧的SiC MOSFET,适用于辅助电源/电驱

    中电国基南方是国内最早实现6英寸SiC MOSFET批产定性的IDM企业,目前可稳定批量生产650V-6500V,导通电阻17-1000毫欧的SiC MOSFET器件,打破国内SiC MOSFET市场长期被进口器件垄断的格局,同时在价格和交期上相较于进口器件更具优势。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-01-30

    【产品】国产650V碳化硅肖特基二极管,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压特性

    WS3A015065J和WS3A015065F是中电国基南方的650V SiC肖特基二极管,分别采用TO-263-2和TO-220FM封装,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,工作结温与储存温度为-55℃-175℃,开关不受温度影响。

    新产品    发布时间 : 2021-01-05

    针对DC-DC应用的650V-1200V/6A-15A的国产SiC肖特基二极管,助力使用效率提升

    针对DC-DC电源应用,本文推荐中电国基南方的第3代SiC肖特基二极管产品,可提供阈值电压650V-1200V,电流6A-15A的产品供选择,封装方面可提供TO-220系列、TO-252及TO-247系列等多种封装供选择,可满足户用、工业等多种电压等级需求。

    厂牌及品类    发布时间 : 2020-12-24

    活动泰科天润、瞻芯电子、中电国基南方等国产碳化硅器件,支持650V-3300V,10倍抗浪涌电流 ,VF值1.23V

    世强硬创电商代理泰科天润、上海瞻芯、中电国基、基本半导体、美浦森、派恩杰,六家国产碳化硅器件 。本次活动厂牌的型号,支持免费样品申请,并且保证100%原厂正品。下载【活动资料】¥400网红潮品Hi-Fi音箱、¥188 无线手机充电器×5!品牌及主要产品中国碳化硅(SIC)功率器件产业化的倡导者之一,也是国内首家第三代半导体材料碳化硅器件制造商与应用方案提供商。泰科天润(GPT)拥有一座完整的半导体

    活动    发布时间 : 2020-12-04

    中电国基南方二极管&SiC MOSFET对标表

    型号- C4D40120D,WS3A003065E,WS3A003065A,C3D03065E,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A003065J,C3D08065A,C4D08120A,WS3A008120E,C3D08065E,C4D08120E,C3D25170H,C4D30120

    对照表  -  中电国基南方 中文 下载

    代理证明  -  中电国基南方  - 2019年12月10日 中文 下载

    中电国基南方SiC应用方案(DC-DC/LED电源/OBC/UPS/充电/服务器电源/光伏逆变器/通信电源)

    型号- WS3A010120D,WS3A008065X,WS3A008120X,WS3A020065X,WS3A010170D,WS3A012065X,WS3A040120K,WS3A030065X,WS1A025170D,WS3A004065X,WS3A006065X,WS3A020120K,WS3A01

    应用及方案  -  中电国基南方 中文 下载

    中电国基南方SiC肖特基二极管应用手册

    描述- 本资料主要讲解了以下内容:(1)SiC半导体的材料特性、优点;(2)SiC肖特基二极管特性;(3)SiC SBD产品系列介绍、可靠性测试报告;(4)SiC的应用和优势示例应用优势。

    型号- WS3A003065E,WS3A003065B,WS3A003065A,WS3A015065F,WS3A015065J,WS3A010170D,WS3A010170B,WS3A003065J,WS3A008120E,WS3A008120A,WS3A008120B,WS3A030120K,WS3A00

    应用笔记或设计指南  -  中电国基南方 中文 下载

    【产品】650V SiC肖特基二极管WS3A004065A,采用TO-220-2封装

    WS3A004065A是中电国基南方的650V SiC肖特基二极管,TO-220-2封装,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,开关不受温度影响,基本没有开关损耗。适用于开关电源,功率因数校正,电机驱动,光伏逆变器,风电站等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-11-30

    中电国基南方1200V系列SiC MOSFET助力电驱功率器件国产化替代

    中电国基南方是国内目前为数不多的已实现6英寸SiC MOSFET量产的IDM型企业,目前推出的WM1A 1200V系列的25、40、80毫欧产品,在电性能上与Cree C2M 1200V系列基本一致,可提供TO-247-3、TO-247-4、TO-263-7等多种封装形式。

    厂牌及品类    发布时间 : 2020-11-27

    【产品】1200V碳化硅肖特基二极管WS3A005120A系列,零反向恢复电流特性

    WS3A005120A、WS3A008120A和WS3A020120A是中电国基南方推出的碳化硅肖特基二极管,在TC=25℃条件下反向重复峰值电压最大额定值为1200V,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,开关不受温度影响。

    新产品    发布时间 : 2020-11-14

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    厂牌:中电国基南方

    价格:¥5.5000 现货:200

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    价格:¥11.0560 现货:160

  • WS3A008065E

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥9.3120 现货:160

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    【球神直播间】SiC SBD WS3A010065系列助力车载OBC应用方案国产化替代

    中国国基南方(中国电科55所)的第三代SBD WS3A010065系列产品在性能及可靠性上均可达到CREE C3D10065系列技术标准,在部分企业车载OBC中已有试用,有较好的反馈。此外,作为有自主生产能力的IDM型企业,国基南方在交期、价格和产能上相比国外产品更具优势。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-10-30

    【视频】低损耗,高可靠SiC MOSFET助力工业全面升级

    在工业自动化专场世强硬创新产品在线研讨会中,中电国基南方技术专家为我们做了演讲。视频介绍了中电国基南方的碳化硅器件,目前6英寸650V-的SiC MOSFET以达到量产,SIC器件帮助系统功能提升,降低损耗,提供产品可靠性,助力工业全面升级。

    新产品    发布时间 : 2020-10-23

    【产品】1200V/280mΩ的N沟道碳化硅功率MOSFET WM1A280120K

    中电国基南方(CETC)推出的WM1A280120K是一款N沟道碳化硅功率MOSFET,采用TO-247-3封装,最大额定漏源电压1200V,典型漏源导通电阻280mΩ,开关速度快,具有低电容,适用于太阳能逆变器、高压DC/DC转换器、电机驱动器等应用。

    新产品    发布时间 : 2020-10-23

    【产品】650V碳化硅肖特基二极管芯片WS3A020065B,零反向恢复和零正向恢复特性

    中电国基南方(CETC)推出的WS3A020065B是一款碳化硅肖特基二极管芯片,尺寸为2.64×2.64mm²,反向重复峰值电压650V,平均正向电流20A(@ TC≤150℃),总电容电荷典型值为40nC,具有零反向恢复和零正向恢复特性。

    新产品    发布时间 : 2020-10-21

    【产品】1200V/9.5A的碳化硅肖特基二极管WS3A006120J,TO-263-2封装

    WS3A006120J是中电国基南方(CETC)推出的碳化硅肖特基二极管,反向重复峰值电压最大额定值为1200V,直流阻断电压最大额定值为1200V,反向浪涌峰值电压为1200V;在TC≤ 135℃条件下正向电流最大额定值为9.5A。系列器件的总电容电荷典型值为19.5nC。

    新产品    发布时间 : 2020-09-30

    【产品】650V/32A的碳化硅肖特基二极管WS3A030065J

    WS3A030065J是中电国基南方(CETC)推出的碳化硅肖特基二极管,在TC​= 25℃条件下反向重复峰值电压最大额定值为650V;在TC≤ 135℃条件下的正向电流最大额定值为32A。具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,最高工作结温为175℃。

    新产品    发布时间 : 2020-09-23

    【产品】中电国基南方全新发布第四代SiC SBD,助力LED电源效率提升

    近期,中电国基南方集团(中电科55所)发布全新第四代650V SiC MPS肖特基二极管产品,结合先进的薄片技术与抗浪涌技术,在显著提升产品电流密度、降低正向导通电压的同时,仍保持高的浪涌电流以及低的反向漏电。

    新产品    发布时间 : 2020-09-22

    【产品】1700V/26A的碳化硅肖特基二极管芯片WTSD1A25170B

    WTSD1A25170B是中电国基南方(CETC)推出的碳化硅肖特基二极管芯片,反向重复峰值电压最大额定值为1700V,直流关断电压最大额定值为1700V,平均正向电流最大额定值为26A(TC≤ 135℃条件下),最高工作结温为175℃,开关不受温度影响。

    新产品    发布时间 : 2020-09-19

    【应用】中电国基南方1200V SiC SBD WS3A015120D助力充电桩效率提升

    中电国基南方集团1200V的SiC SBD WS3A015120D在充电桩中应用非常广泛,可实现Si FRD无法实现的极短反向恢复时间,且反向恢复特性几乎不受温度变化影响,使得高速开关成为可能。由于反向恢复电荷量(Qrr)小,可降低开关损耗,实现设备小型化。除此以外,高达175℃工作节温使WSA015120D有更出色的高温性能,确保系统可靠性。

    应用方案    发布时间 : 2020-08-21

    【应用】1200V SiC MOSFET WM1A040120K用于电驱应用,实现更低损耗提高电力转换效率

    本文推荐中电国基南方的1200V SiC MOSFET用于电驱应用中。以产品WM1A040120K为例,导通电阻仅40mΩ,VGS(th)仅2.3V,相比于Si IGBT和MOSFET,可实现更高的开关速度、更低的开关损耗和更低的导通电阻。此外,该产品在全温区参数变化小,工作结温可达175°C,更适合高温使用,从而有效降低电机的功率损耗并提高电力转换的效率。

    应用方案    发布时间 : 2020-07-31

    【产品】1200V碳化硅肖特基二极管WS3A015/10120J,采用TO-263-2封装

    中电国基南方公司的WS3A015120J、WS3A010120J这两款碳化硅肖特基二极管,重复峰值反向电压均为1200V、正向电流分别为17A、15A,QC分别为40 nC和29 nC,采用TO-263-2封装,用于开关电源、功率因数校正和交流/直流转换器中。

    新产品    发布时间 : 2020-07-25

    【球神直播间】国产碳化硅MOSFET WM1A080120K可PIN-PIN替换C2M0080120D,工作结温更高

    目前太阳能逆变器的高压DC/DC中主流产品有科锐(WOLFSPEED)C2M0080120D,对于光伏产业的大力发展,SIC MOSFET用量也在不断增加,需要一款成本更低、货源更稳定的产品作为替换。本文推荐中电国基南方的碳化硅SiC MOSFET WM1A080120K,该产品可pin-pin替代C2M0080120D,能够达到更高的工作温度-55℃到175℃,具有更低的开启电压2.3V。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-07-04

    【产品】1200V SiC肖特基二极管WS3A008/015120E,采用TO-252封装

    WS3A008120E、WS3A015120E是中电国基南方的1200V SiC肖特基二极管,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,最高工作结温175℃,开关不受温度影响。散热器尺寸小,并联使用不会出现热失控,基本没有开关损耗。适用于开关电源,功率因数校正,电机驱动,光伏逆变器,风电站等应用场景。

    新产品    发布时间 : 2020-06-29

    【球神直播间】国产碳化硅肖特基二极管WS3A010120A可PIN-PIN替换C4D10120A,抗浪涌能力更强

    续流回路,市面上主流的型号有WOLFSPEED公司的C4D10120A,不过因国产化需求和价格压力等因素,很多客户会选择一款低成本、供货交期好的国产替代方案,本文重点推荐中电国基南方(CETC)的碳化硅肖特基二极管WS3A010120A,该产品可pin-pin替代C4D10120D,而且有更好的抗浪涌能力。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-06-28

    【产品】650V碳化硅肖特基二极管,采用TO-252封装,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性

    WS3A002065E、WS3A003065E、WS3A012065E是中电国基南方(CETC)推出的三款第三代650 V SiC肖特基二极管,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,最高工作结温为175℃,开关不受温度影响。散热器尺寸小,并联使用不会出现热失控,基本没有开关损耗。适用于开关电源,功率因数校正,AC/DC转换器,电机驱动,光伏逆变器,风电站等。

    新产品    发布时间 : 2020-06-27

    【产品】1700V的SiC肖特基二极管WTSD1A25170D,采用TO-247-2封装

    WTSD1A25170D是中电国基南方(CETC)推出的1700V SiC肖特基二极管,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,最高工作结温为175℃,开关不受温度影响。散热器尺寸小,并联使用不会出现热失控,基本没有开关损耗。适用于开关电源,功率因数校正,电机驱动,光伏逆变器,风电站等应用场景。

    新产品    发布时间 : 2020-06-26

    【球神直播间】光伏逆变系统推荐N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120K,内阻仅40mΩ

    光伏逆变系统中SiC MOSFET球神直播间需求参考如下:1000V系统,需要耐压1200V以上的MOS;系统工作频率提升,需要尽量小的开关损耗;工作电流较大,需要低导通电阻。据此推荐中电国基南方的N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120K,TO-247封装,内阻仅40mΩ,能够很好满足高压DC/DC系统的使用需求。

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-06-26

    【产品】650V SiC肖特基二极管WS3A03/20065A,采用TO-220-2封装

    WS3A020065A、WS3A030065A是中电国基南方(CETC)推出的650 V SiC肖特基二极管,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,最高工作结温为175℃,开关不受温度影响。散热器尺寸小,并联使用不会出现热失控,基本没有开关损耗。适用于开关电源,功率因数校正,AC/DC转换器等。

    新产品    发布时间 : 2020-06-25

    【产品】35.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A080120B/K

    WM1A080120B、WM1A080120K是中电国基南方的35.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET,漏源通态电阻80 mΩ,工作结温最高可达175℃。WM1A080120B晶片尺寸为3.0×4.5 mm²,WM1A080120K采用TO-247-3封装。两款产品具有阻断电压高、导通电阻低,电容低、能高速开关等特点,并且易于并联使用,驱动简单。

    新产品    发布时间 : 2020-06-20

    【产品】21A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A160120B1/K1

    WM1A160120B1、WM1A160120K1是中电国基南方(CETC)推出的两款21A/1200V N沟道SiC功率MOSFET,漏源通态电阻160 mΩ,工作结温最高可达175℃。WM1A160120B1晶片尺寸小,仅为2.44×3.33mm²,WM1A160120K1采用TO-247-3封装。

    新产品    发布时间 : 2020-06-19

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • WS3A006065E

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥7.3600 现货:160

  • WS3A004065E

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥5.6160 现货:160

  • WS3A003065E

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥4.6400 现货:160

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【产品】60.5A/1200V的N沟道SiC功率MOSFET WM1A040120B1/K1

    WM1A040120B1、WM1A040120K1是中电国基南方的两款60.5A/1200V N沟道SiC功率MOSFET,漏源通态电阻50 mΩ,工作结温最高可达175℃。WM1A040120B1晶片尺寸为4.6×5.0mm²,WM1A040120K1采用TO-247-3封装。阻断电压高、导通电阻低,电容低、能高速开关,易于并联使用,驱动简单。

    新产品    发布时间 : 2020-06-18

    【应用】中电国基南方650V SiC SBD WS3A006065A助力通信电源PFC电路高效率设计

    在传统的离线AC-DC通讯电源应用的PFC电路中,建议采用SiC SBD作为PFC升压二极管以提高整机效率。中电国基南方(CETC)的650V SiC SBD WS3A006065A拥有零反向恢复电流和零正向恢复电压,基本没有开关损耗,有与温度无关的开关特性,因此具有较强的温度稳定性且可有效提高系统效率。

    应用方案    发布时间 : 2020-05-02

    【应用】SiC肖特基二极管WS3A012065A助力3.3kw车载OBC输出整流,有效提高充电效率

    3.3kw车载OBC主要实现交流输入(85VAC~265VAC),直流输出200~450V输出给电动汽车充电的功能,电路通常由整流、PFC升压、LLC逆变、输出整流四部分组成。在输出整流部分推荐使用中电国基南方SiC肖特基二极管WS3A012065A, 反向电压650V, 连续正向电流12A,最大正向压降2.3V。

    应用方案    发布时间 : 2020-04-21

    再添国产SiC二极管、MOS管供应商,年产量达5千万只,批量采购保证稳定供货

    授权代理中电国基南方中电国基南方掌握从设计、工艺,到封装、测试,从材料、芯片到模块的完整技术体系和产品链,其SiC肖特基二极管系列和SiC MOSFET产品年产量高达5千万只,批量采购保证稳定供货。

    公司动态    发布时间 : 2020-04-21

    【应用】中电国基南方SiC肖特基二极管助力光伏逆变器,WS3AXXX120系列可pin-pin替代CREE C4D系列

    目前随着SiC功率器件进入市场,将为小型光伏逆变系统带来最大的竞争优势。具有SiC功率器件的电力电子设备可将太阳能微逆变器和串式逆变器的效率提升到98%以上,其中SiC功率二极管可将能量收集效率提升1.5%以上。中电国基南方作为国内SiC器件的领先企业,具有一系列可用于光伏逆变器领域的SiC肖特基二极管,并可以PIN-PIN替换CREE的C4D系列。

    应用方案    发布时间 : 2020-04-11

    【技术】中电国基南方的碳化硅二极管采用MPS结构,具有优异温度特性、可靠性等优点

    中电国基南方目前的SiC量产系列主要包括电压范围600V 到3300V;额定电流范围从2A 到50A 的SiC肖特基二极管。目前,采用JBS结构且击穿电压为600V、1200V 及更高的SiC SBD(肖特基势垒二极管)已量产。同时采用了MPS技术,这样使得二极管的抗浪涌能力大幅提高。

    新技术    发布时间 : 2020-04-11

    【应用】中电国基南方SiC肖特基二极管助力充电桩提高开关频率,WS3A系列科pin-pin替代CREE C4D系列

    随着我国新能源汽车市场的不断扩大,充电桩市场发展前景广阔。SiC 材料的功率器件可以实现比Si 基功率器件更高的开关频率,可以提供高功率密度、更小的体积,因此SiC 功率器件在充电桩电源模块中的渗透率不断增大。中电国基南方作为深耕SiC领域十几年的企业,具有高质量的产品可用于充电桩应用上,其WS3A系列可PIN-PIN替换CREE的C4D系列。

    应用方案    发布时间 : 2020-04-10

    【应用】中电国基南方SiC肖特基二极管助力OBC发展,WS3A系列可pin-pin替代CREE的C3D系列

    当前,智能化、轻量化、集成化将是电动汽车发展的趋势。采用 SiC功率器件可有效提高其驱动系统,获得更高的击穿电压、更低的开启电阻、更大的热导率;并且能保证在更高温度下可以稳定工作。目前车载充电器(OBC)与电机驱动器中可以使用SiC二极管,中电国基南方旗下的SiC肖特基二极管性能优异,非常适合用于OBC中,且可以PIN-PIN替换CREE的C3D系列。

    应用方案    发布时间 : 2020-04-09

    【产品】采用TO-252封装的1200V SiC肖特基二极管WS3A002120E,几乎没有开关损耗

    WS3A002120E,WS3A006120E,WS3A010120E是中电国基南方(CETC)推出的三代1200V SiC肖特基二极管,其采用TO-252封装,符合RoHS标准,其正向导通电压具有正温度系数,工作结温最高可达175℃,开关损耗基本为零,可以应用于开关电源、功率因数校正器、电机驱动,光伏逆变器和风力发电站等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-02-27

    【产品】采用TO-247-2封装的650V SiC肖特基二极管WS3A010065D,最高工作结温为175℃

    WS3A010065D,WS3A015065D,WS3A020065D,WS3A030065D是四款中电国基南方(CETC)推出的第三代650V SiC肖特基二极管,WS1A050065D是第一代650V SiC肖特基二极管。这些二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压的特性,最高工作结温为175℃,可缩小功率器件散热器体积。

    新产品    发布时间 : 2020-02-24

    【产品】采用TO-263-2封装的650V SiC肖特基二极管WS3A006065J,几乎没有开关损耗

    WS3A006065J、WS3A008065J、WS3A010065J、WS3A020065J是中电国基南方(CETC)推出的4款第三代650V SiC肖特基二极管,其采用TO-263-2封装,符合RoHS标准,拥有很好的反向恢复特性,可减小散热器的体积。

    新产品    发布时间 : 2020-02-22

    【产品】采用TO-220-2封装的1200V SiC肖特基二极管WS3A002120A,基本没有开关损耗

    WS3A002120A,WS3A006120A,WS3A010120A,WS3A015120A是中电国基南方(CETC)推出四款三代1200V SiC肖特基二极管,其采用TO-220-2封装,满足RoHS标准,拥有良好的反向恢复特性,使得电气设备可以实现高速开关。

    新产品    发布时间 : 2020-02-20

    【产品】采用TO-220-2封装的SiC肖特基二极管WS3A006065A,有零反向恢复电流和零正向恢复电压

    WS3A006065A,WS3A008065A,WS3A010065A,WS3A015065A是中电国基南方(CETC)推出的四款650V SiC肖特基二极管,其采用TO-220-2封装,符合ROHS标准,同时拥有极短的反向恢复时间和极低的反向恢复电荷,使得电气设备可以实现高速开关,降低开关损耗。

    新产品    发布时间 : 2020-02-19

    【产品】采用TO-247-3封装的650V SiC肖特基二极管WS3A012065K,工作结温最高可达175℃

    WS3A012065K,WS3A016065K,WS3A020065K,WS3A060065K是中电国基南方(CETC)推出的四款第三代650V SiC肖特基二极管,这四款产品均采用TO-247-3封装,符合RoHS标准;其正向导通电压具有正温度系数,工作结温最高可达175℃,开关损耗基本为零,可以应用于开关电源、功率因数校正器、电机驱动,光伏逆变器和风力发电站等领域。

    新产品    发布时间 : 2020-02-14

    【产品】1.57~3.17mm²四种尺寸可供选择的650V SiC肖特基二极管芯片,拥有优异的反向恢复特性

    WS3A006065B、WS3A008065B、WS3A010065B、WS3A030065B是中电国基南方(CETC)推出的四款650V SiC肖特基二极管芯片,具有良好的反向恢复特性,VF具有正向温度系数。

    新产品    发布时间 : 2020-02-14

    【产品】采用TO-247-3封装的1200V SiC肖特基二极管WS3A010120K,具有零反向恢复电流

    WS3A010120K、WS3A012120K、WS3A016120K、WS3A020120K、WS3A030120K、WS3A040120K、WS2A030120K是中电国基南方(CETC)推出的7款SiC肖特基二极管,采用TO-247-3封装。具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,工作结温175℃。

    新产品    发布时间 : 2020-02-11

    【球神直播间】国产SiC肖特基二极管WS2A030120K可PIN-PIN替代WOLFSPEED的C4D30120D

    SiC肖特基二极管具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,散热要求低,是高频和高效率应用的理想选择。目前市场上以选用WOLFSPEED公司的碳化硅为主,但由于供货周期和价格等原因,许多客户急需高性价比的替代产品。本文重点推荐中电国基南方(CETC)的WS2A030120K,可pin-to-pin替代C4D30120D,

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-02-11

    【产品】反向恢复特性良好、有正向传导电压和正温度系数的1200V SiC SBD芯片WS3A006120B

    WS3A006120B,WS3A010120B,WS3A015120B,WS3A020120B,WS2A015120B是中电国际(CETC)推出的5款SiC SBD芯片,拥有正向传导电压和正温度系数,具有良好的反向恢复特性。

    新产品    发布时间 : 2020-02-06

    【产品】采用TO-220FM封装的650V SiC肖特基二极管WS3A006065F

    WS3A006065F,WS3A008065F,WS3A010065F,WS3A020065F是中电国基南方(CETC)推出的四款第三代650V SiC肖特基二极管,其采用TO-220FM封装,符合RoHS标准,拥有极短的反向恢复时间,使得电气设备实现高速开关。

    新产品    发布时间 : 2020-02-02

    【产品】采用TO-252封装的650V SiC肖特基二极管,拥有极低的开关损耗,最高工作结温可达175℃

    WS3A006065E,WS3A008065E,WS3A010065E是中电国基南方(CETC)推出的三款三代SiC肖特基二极管,其采用TO-252封装,符合RoHS标准,在实际应用中既可以减小散热器的体积,在并联时还可以避免热失控情况的出现。工作结温175℃,具有零反向恢复电流和零正向恢复电压。

    新产品    发布时间 : 2020-02-02

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
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  • WS3A012120K

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥21.8400 现货:100

  • WS3A010120K

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥18.9280 现货:100

  • WS3A010120D

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥17.3760 现货:100

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    【产品】采用TO-263-2封装的1200V SiC肖特基二极管,具有零反向恢复电流和极低的开关损耗

    ​WS3A002120J,WS3A005120J,WS3A008120J,WS3A020120J是中电国基南方(CETC)推出的四款三代1200V的SiC肖特基二极管,其采用TO-263-2封装,符合RoHS标准。具有零反向恢复电流和零正向恢复电压,直流阻断电压为1200V。

    新产品    发布时间 : 2020-01-29

    国内最早量产1200V SiC MOSFET在工业领域的应用

    描述- 中电国基南方SiC MOSFET系列产品WM1A系列产品采用Planner MOSFET结构,高可靠性,可替代CREE 公司C2M系列产品、Onsemi公司SC1系列产品、ST公司GEN1代SCT系列产品。SiC MOSFET器件对比Si IGBT,开关损耗优势显著,导通损耗也更低,并且导通电阻低,全温度区间变化小。

    型号- SC1,SCT系列,WM2A035065K,SCT,WM1A160120K,WM1A080120K1,WM2A017065K,C2M系列,WM1A,WM1A01K170K,WM1A045170K,WM1A040120K,WM1A080120K,WM1A280120K,WM1A系列,WM1A02512

    商品及供应商介绍  -  中电国基南方 中文 下载

    【产品】具有零反向恢复电流和极低开关损耗的1200V SiC肖特基二极管,采用TO-247-2封装

    中电国基南方(CETC)拥有性能优异的SiC肖特基二极管产品,本文主要介绍该公司第三代中的WS3A010120D、WS3A020120D、WS3A015120D三款产品和二代中的WS2A015120D、WS2A040120D两款产品。直流阻断电压为1200V,工作结温为175℃,基本没有开关损耗。

    新产品    发布时间 : 2020-01-28

    数据手册  -  中电国基南方 英文 下载

    封装信息/封装结构图  -  中电国基南方 中文 下载

    肖特基势垒混频二极管主要电特性参数

    型号- WH5133,WH5132,WH1010,WH513,WH5131,WH1003,WH1001,WH1012,WH1011,WH1001A,WH1007,WH1006,WH1005,WH1004,WH1009,WH1008,WJ3022A

    技术文档  -  中电国基南方 中文 下载

    梁式引线开关二极管 主要电特性参数

    型号- WK0005,WK0007,WK0006,WJ0001

    技术文档  -  中电国基南方 中文 下载

    砷化镓电调变容二极管主要电特性参数

    型号- WB62236,WB64811,WB62111,WB2012,WB62231,WB2010,WB2015H,WB1007H,WB6051,WB6052,WB6053,WB62119,WB64814,WB0102,WB2006,WB0103,WB0101,WB3334,WB62221,WB2002,W

    技术文档  -  中电国基南方 中文 下载

    封装信息/封装结构图  -  中电国基南方 中文 下载

    连续波雪崩二极管主要电特性参数

    型号- WX432,WX342,WX431,WX365,WX3652,WX3651,WX401,WX0001,WX402,WX43,WX34,WX35,WX36,WX38,WX40,WX391,WX381,WX392,WX362,WX341,WX371,WX382,WX372,WX361

    技术文档  -  中电国基南方 中文 下载

    封装信息/封装结构图  -  中电国基南方 中文 下载

    阶跃二极管主要电特性参数

    型号- WY402D,WY411B,WY373C,WY411C,WY373B,WY373A,WY402A,WY402B,WY402C,WY411A,WY0002H,WY46

    技术文档  -  中电国基南方 中文 下载

    数据手册  -  中电国基南方 中文 下载

    PIN二极管主要电特性参数

    型号- WI3212,WI3213,WI3211,WK31A,WI0007H,WK313A,WP32X,WK313B,WP0011E,WP0011F,WP0011G,WP0007,WP0011A,WP0011B,WP0011C,WP0011D,WP342,WP341,WI3223,WI3221,WK39H

    技术文档  -  中电国基南方 中文 下载

    封装信息/封装结构图  -  中电国基南方 中文 下载

    封装信息/封装结构图  -  中电国基南方 中文 下载

    连续波砷化镓体效应二极管系列产品主要电特性参数

    型号- WT681,WT682,WT683,WT541,WT542,WT641,WT543,WT642,WT544,WT03,WT643,WT0005,WT545,WT644,WT0004,WT546,WT0003,WT0007,WT0004A,WT670,WT671,WT551,WT672,WT552,W

    技术文档  -  中电国基南方 中文 下载

    【应用】国产1200V/40A碳化硅肖特基二极管WS2A040120D助力10kW充电桩高效设计

    直流充电桩其一端与交流电网相连,工频交流电通过维也纳整流转换为直流电,流经DC-LINK电容稳压滤波,然后通过逆变功率模块逆变为高频交流电,最后变压器耦合及整流单元将它转换为不同的直流电压等级,为不同的电动汽车充电。为了提高效率,输出整流的整流二极管要求反向恢复时间要短、耐压要高、导通电阻VF要低。本文推荐中电国基南方(CETC)封装为TO-247-2的碳化硅肖特基二极管WS2A040120D。

    应用方案    发布时间 : 2020-01-25

    多层陶瓷结构件以及微波元件 数据手册

    型号- CB1,CZ2G,C2T,CB4,CZ2T,CB6,CB5,CZ1,PD-2

    数据手册  -  中电国基南方 中文 下载

    GSM-1 条纹管 数据手册

    型号- GSM-03,GSM系列,TSM-1,TSM-2,TSM 系列,GSM-5,GSM-4,GSM 系列,GSM-2,GSM-1,TSM系列

    数据手册  -  中电国基南方 中文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • WS3A015120D

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥24.5600 现货:100

  • WS3A015120A

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥23.2960 现货:100

  • WS3A008120A

    厂牌:中电国基南方

    价格:¥13.4880 现货:100

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    12月新增代理15家,扩充工业存储、重载连接器、固态继电器、光学传感器、OLED屏、天线、热像分析仪、数字源表等

    世强元件电商平台,仅在12月当月已新增授权代理15家半导体行业品牌,扩充工业存储、重载连接器、固态继电器、光学传感器、OLED屏、天线、热像分析仪、数字源表等产品。用户可在平台查看全部新产品资讯、官方授权技术资料,能以低于行业的价格实现产品线上购买,还可享受 “球神直播间帮助”“技术问答”“小量快购”“免费样品”等平台专属服务。

    公司动态    发布时间 : 2020-01-10

    数据手册  -  中电国基南方 中文 下载

    4BX1 高速选通X射线变象管 数据手册

    型号- 4BX2,4BX3,4BX4,18/18XZ5W,40/40XZ7W,4BX1

    数据手册  -  中电国基南方 中文 下载

    数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.1 英文 下载

    数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.1 英文 下载

    数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.1 英文 下载

    数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.0 英文 下载

    数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.1 英文 下载

    数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.0 英文 下载

    数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.0 英文 下载

    数据手册  -  中电国基南方  - Version 1.1 英文 下载

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