MRAM

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MRAM球神直播间帮助

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球神直播间帮助

【应用】瑞萨最新MRAM产品线采用垂直磁隧道结自旋转移力矩的专有技术,满足数字助听器的存储需求

MRAM代表了瑞萨最新的存储器产品线。这些MRAM是快速的非易失性存储器,具有极低的延迟访问和超高的耐用性。它们具有通过行业标准SPI接口进行的简单随机存取存储器操作,故易于使用且占用空间小。MRAM的这些关键优势使其成为高级助听器应用的最佳解决方案。

应用方案    发布时间 : 2020-06-13

【产品】​瑞萨新型MRAM系列,业界领先的非易失性存储器,4Mb到16Mb高存储密度

瑞萨电子的新型MRAM器件系列拥有从4Mb到16Mb的高存储密度,并且允许以10 e16周期的超高寿命连续覆盖数据。对于设备操作,瑞萨MRAM产品允许几乎无休止的写入周期、连续的数据日志记录和事件记录,而没有写入延迟。与其它非易失性存储器相比,瑞萨高性能MRAM产品具有读取速度快、存储密度高、寿命长、电压低等特点。

新产品    发布时间 : 2020-07-31

【产品】瑞萨电子推出新一代高性能磁阻随机存取存储器(MRAM),支持4Mb到16Mb高存储密度

瑞萨电子通过利用垂直磁隧道结STT(自旋转移矩效应)这一技术,推出了新一代的磁阻随机存取存储器(MRAM),以实现同类最佳的非易失性存储器,并具有长数据保留,持久性和快速串行接口等特性。 瑞萨的MRAM具有较高的存储密度和较高的工作温度,适用于从需要快速备份数据检索的工厂自动化设备到具有长期数据存储要求的医疗数据单元的各种应用。

厂牌及品类    发布时间 : 2020-06-10

M1004204/M1008204/M1016204/M3004204/M3008204/M3016204 High Performance Serial MRAM Memory

型号- M10162040108X0IWAR,M30162040108X,M10162040108X0ISAR,M10162040108X0IWAY,M3016204,M10162040108X0ISAY,M30162040054X0PWAR,M10042040054X0IWAY,M30162040054X

数据手册  -  RENESAS  - Feb.25.21 英文 下载

技术文档  -  EVERSPIN  - August 6.2018 英文 下载

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
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  • M30042040054X0IWAR

    厂牌:Renesas

    价格:¥50.3721 现货:

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    【应用】基于Mbed™的图像处理解决方案,可实现智能相机的快速原型构建

    基于Mbed™的图像处理解决方案实现了智能相机的快速原型构建,包括智能显示、网络功能、储存、音频插孔和传感器接口。通过使用 Arm® Mbed™ 平台和 MicroPython 进行简单的编程。本文瑞萨将给你详细介绍基于 Mbed™ 的图像处理解决方案。

    应用方案    发布时间 : 2021-09-11

    Renesas Develops Write Technologies for Embedded STT-MRAM Significantly Reducing MCUs Power Consumption in IoT Applications

    Renesas Electronics Corporation announced the development of two technologies that reduce the energy and voltage application time for the write operation of spin-transfer torque magnetic random-access memory.

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-16

    MRAM,FRAM,SRAM三种存储芯片的区别?分别应用在什么情况下?

    超过85摄氏度环境工作温度会加速FRAM磨损,而MRAM可以在125摄氏度的温度下将数据保留长达20年,MRAM几乎提供无限的耐用性(10e16次访问)。SRAM的速度快但价格昂贵,一般用小容量SRAM作为更高速CPU和较低速DRAM间的缓存。

    发布时间 : 2020-11-27

    工业中应用中的非易失性MRAM芯片有那些?最好提供一下数据手册参数?

    瑞萨有MRAM系列,从4Mb到16Mb的高存储密度,提供SDR和DDR模式的SPI、DPI、QPI的可配置接口,最高108MHz,资料链接https://www.sekorm.com/news/44276229.html

    发布时间 : 2020-11-27

    【产品】4Mbit~16Mbit磁阻随机存取存储器(MRAM)Mxxxx204,数据可在85°C时保留超过20年

    RENESAS公司推出的Mxxxx204系列为磁阻随机存取存储器(MRAM)。它的密度范围从4Mbit到16Mbit。MRAM技术类似于Flash技术,具有SRAM兼容的读/写时序。其数据始终能够保持非易失性的,具有10^16个写周期的耐久性,在85°C时保留超过20年。

    新产品    发布时间 : 2020-06-05

    IDT宣布提供Avalanche Technology公司的MRAM器件以补充电源,传感器,定时和微控制器设备

    2019年10月17日,瑞萨电子公司的全资子公司Integrated Device Technology,Inc.(IDT)宣布提供Avalanche Technology公司的磁RAM(MRAM)设备,以补充瑞萨公司的电源、传感器、定时和微控制器设备。

    行业资讯    发布时间 : 2019-10-26

    HXNV06400 64Mb Non-Volatile MRAM

    型号- HXNV06400,HXNV06400BVH

    数据手册  -  HONEYWELL  - Rev B  - April 2017 英文 下载

    Everspin’s State-of-the-Art MRAM Technology How Everspin’s Patented MRAM Memory Technology

    型号- MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR2A08A,MR256DL08B,MR0A08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4

    技术文档  -  EVERSPIN  - January 2018 英文 下载

    Renesas offers the next generation MRAM by utilizing a new proprietary technology called perpendicular Magnetic-Tunnel-Junction STT

    Renesas offers the next generation magnetoresisitve random-access memory (MRAM) by utilizing a new proprietary technology called perpendicular Magnetic-Tunnel-Junction STT (Spin-transfer Torque) to achieve best-in-class non-volatile memory with long data retention and a fast serial interface. With a wide range of memory densities and high operating temperatures, Renesas’ MRAM is suited for applications ranging from factory automation equipment requiring fast back-up data retrieval to medical data units with long-term data storage requirements.

    新产品    发布时间 : 2020-06-08

    需要做一个EDR项目,现在球神直播间初期,产品使用外部MRAM记录事故发生时的数据,需要在事故发生时快速将数据写入MRAM.

    瑞萨的MRAM,https://www.sekorm.com/news/share?newId=14304562&installed=1&uid=IGOaVCGKklrIFm8oc5najA%3D%3D&st=1626918156421

    发布时间 : 2021-07-21

    新兴存储技术为何会在短时间内取得快速发展?如PCM、MRAM、ReRAM、FRAM等存储器。

    原来的存储技术都存在短板,新型的存储技术提升了存储密度,而且最主要的是给新进厂家提供了机会

    发布时间 : 2018-12-14

    TMR磁传感器技术的发展趋势和前景分析

    TMR材料还可以做成各种高灵敏度磁传感器,用于检测微弱磁场和对微弱磁场信号进行传感。由于此类传感器体积小、可靠性高、响应范围宽,在自动化技术、家用电器、商标识别、卫星定位、导航系统以及精密测量技术方面具有广阔的应用前景。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-03

    现货供应Keysight电流波形分析仪,并可提供样机演示

    目前,在世强元件电商采购Keysight电流波形分析仪,不仅价格实惠、库存丰富可快速交付,还提供样机为客户进行演示。与此同时,Keysight电流波形分析仪所有的相关资料和最新技术资讯都可在世强元件电商搜索查看,并可通过世强元件电商免费预约世强旗下开放实验室进行实测。

    行业资讯    发布时间 : 2018-12-01

    RENESAS HIGH PERFORMANCE MRAM FAMILY

    型号- M1008204,M3016-EVK,M1016204,M3004204,M3016316,M1004204,M3004316,M3032316,M3008316,M3008204,M3016204,M3016

    商品及供应商介绍  -  RENESAS  - 2021 英文 下载

    数据手册  -  泓格科技  - 2020/11/23 英文 下载

    发布时间 : 2018-12-20

    【应用】瑞萨电子通用SMARC扩展板,拥有多功能电源,支持双摄像头及耳机音频

    瑞萨电子(Renesas)支持SMARC 2.x的通用扩展板,拥有多功能电源并支持适用于广泛应用的多种连接器,包括视频和音频。

    应用方案    发布时间 : 2021-10-10

    TMR磁传感器简介

    磁传感器广泛用于现代工业和电子产品中以感应磁场强度来测量电流、位置、方向等物理参数。在现有技术中,有许多不同类型的传感器用于测量磁场和其他参数,例如采用霍尔(Hall)元件,各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance, AMR)元件或巨磁电阻(Giant Magnetoresistance, GMR)元件为敏感元件的磁传感器。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-06-11

    中微半导体国产MCU厂商升级构建平台型MCU生态,先进制程优化产能多线布局构建未来

    在“国产替代“和”芯片短缺“的大环境下,国产MCU厂商开始摆脱传统价格战思维,纷纷借助资本市场的支持开始升级转型,开始从以家电和消费电子为主的市场策略转向车规级和工业级MCU市场。作为国产MCU厂商的典型代表,中微半导体正处于这样的升级转型中,其有益的探索和尝试值得借鉴。

    厂牌及品类    发布时间 : 2021-12-08

    半导体薄膜沉积设备产业研究:市场空间广阔,国产设备商百花齐放

    全球晶圆厂进入新一轮扩产周期,2021年半导体设备投资额有望实现30%以上增速。预测全球半导体制造设备市场2021年全年将增长34%达到953亿美元,2022年有望再创新高突破1,000亿美元大关。

    行业资讯    发布时间 : 2021-10-13

    VertiCal Calibration MRAM Board

    型号- LFVCALMRAM

    商品功能框图  -  NXP  - 03/27/2012 英文 下载

    M1004204/M1008204/M1016204 M3004204/M3008204/M3016204 High Performance Serial MRAM Memory

    型号- M10162040108X0IWAR,M30162040108X,M10162040108X0ISAR,M10162040108X0IWAY,M3016204,M10162040108X0ISAY,M30162040054X0PWAR,M10042040054X0IWAY,M30162040054X

    数据手册  -  RENESAS  - Apr.16.20 英文 下载

    商品功能框图  -  NXP  - 03/27/2012 英文 下载

    技术文档  -  NVE  - November 4 - 6, 2002 英文 下载

    MR5A16A 32Mb MRAM Datasheet

    型号- MR5A16ACMA35,MR5A16ACYS35R,MR5A16AMA35R,MR5A16ACYS35,MR5A16ACMA35R,MR5A16AYS35R,MR5A16AUMA45R,MR5A16AUMA45,MR5A16AUYS45,MR5A16AMA35,MR5A16AUYS45R,MR5A

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev v1.0  - Nov 20, 2019 英文 下载

    1Mb Serial SPI MRAM MR25H10

    型号- MR25H10MDFR,MR25H10CDFR,MR25H10CDCR,MR25H10MDC,MR25H10MDCR,MR25H10,MR25H10CDF,MR25H10CDC,MR25H10MDF

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 9.5  - 3/2018 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 3/2013 英文 下载

    技术文档  -  EVERSPIN  - 3/2015 英文 下载

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 2.2  - 3/2018 英文 下载

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 2.0  - 8/2015 英文 下载

    技术文档  -  EVERSPIN  - Received Jan. 08.2010  - Jan. 08.2010 英文 下载

    Magnetic Field Immunity of Everspin MRAM

    型号- MR4A08B,MR256A08B,MR10Q010,MR4A16B,MR2A16A,MR20H40,MR0A16A,MR2A08A,MR25H10,MR25H40,MR0A08B,MR25H256

    技术文档  -  EVERSPIN  - 7/2015 英文 下载

    技术文档  -  COBHAM  - REVISION: B  - 2014, October, 9 英文 下载

    Datasheet endurance and electrical characteristics for High Performance Serial MRAM Memory datasheet(PA210007)

    型号- M10082040054X0PWAR,M10162040108X0IWAR,M30162040054X0ISAY,M10042040054X0PSAY,M10162040108X0ISAR,M10082040054X0PSAY,M10042040054X0PWAY,M30162040054X0IWA

    产品变更通知及停产信息  -  RENESAS  - 3/1/2021 英文 下载

    MR3A16A 512K x 16 MRAM Datasheet

    型号- MR3A16AMA35R,MR3A16ACMA35R,MR3A16AMA35,MR3A16A,MR3A16AYS35,MR3A16ACYS35,MR3A16ACYS35R,MR3A16ACMA35,MR3A16AYS35R

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 1.0  - October 1, 2019 英文 下载

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 1.2  - April 12, 2018 英文 下载

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 1.2  - 2/2015 英文 下载

    Dual Supply 128K x 8 MRAM MR0DL08B

    型号- MR0DL08BMA45,MR0DL08BMA45R,MR0DL08B

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 1.3  - 3/2018 英文 下载

    Everspin 48-ball BGA MRAM Packages

    型号- MR0A08,MR0A16,MR4A16,MR256DL08,MR2A16,MR0DL08,MR256A08,MR4A08,MR2A08,MR0D08

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 2.2  - 4/2018 英文 下载

    Everspin 48-ball BGA MRAM Packages

    型号- MR0A08,MR0A16,MR4A16,MR256DL08,MR2A16,MR0DL08,MR256A08,MR4A08,MR2A08,MR0D08

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 2.1  - 7/2015 英文 下载

    MR1A16A 128K x 16 MRAM Memory Datasheet

    型号- MR1A16AVMA35R,MR1A16AYS35,MR1A16AMYS35R,MR1A16AYS35R,MR1A16ACYS35R,MR1A16AVYS35R,MR1A16AVYS35,MR1A16ACYS35,MR1A16AVMA35,MR1A16AMYS35,MR1A16A,MR1A16AMA

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 1.0  - October 1, 2019 英文 下载

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 1.3,  - 4/2018 英文 下载

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 1.2,  - 10/2014 英文 下载

    封装信息/封装结构图  -  EVERSPIN  - Revision 1.0,  - 5/2018 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 2/2012 英文 下载

    256Mb ST-DDR3 Spin-transfer Torque MRAM Datasheet

    型号- EMD3D256M08BS1,EMD3D256M08G1-150CBS1,EMD3D256M16G2-150CBS1,EMD3D256M16BS1,EMD3D256M08G1-150CBS1R,EMD3D256M08,EMD3D256M16,EMD3D256M16G2-150CBS1R

    数据手册  -  EVERSPIN  - Revision 1.3  - October 15, 2018 英文 下载

    技术文档  -  EVERSPIN  - August 5, 2016 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  NXP  - Rev. 0  - 11/2007 英文 下载

    产品变更通知及停产信息  -  COBHAM  - REVISION: B  - 2016, January 15th 英文 下载

    技术文档  -  CYPRESS  - Rev. *A  - 07/09/2015 英文 下载

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 1.0  - November 7, 2019 英文 下载

    数据手册  -  COBHAM  - November 2017 英文 下载

    Toggle MRAM Magnetoresistive Random Access Memory brochure

    型号- MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR2A08A,MR256DL08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4A16BUYS4

    商品及供应商介绍  -  EVERSPIN  - July 2019 英文 下载

    数据手册  -  COBHAM  - November 2017 英文 下载

    Everspin Serial Peripheral Interface (SPI) MRAM Evaluation Board Guide

    型号- MR10Q010,MR20H40,MR25H10,MR25H40,MR25H256

    用户指南  -  EVERSPIN  - Revision 2.1  - 10/2015 英文 下载

    MR25H00-EVAL Everspin SPI MRAM Evaluation Board User Guide

    型号- STM32F411RET6,MR20H40,LCP,MR25H10,MR25H40,MR25H256,MCU,MR25H00-EVAL

    用户指南  -  EVERSPIN  - Revision 1.0  - 2/2016 英文 下载

    Product/Process Change Notice Additional assembly site for 16Mb MRAM in 48-BGA Package

    型号- MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A08BCMA35,MR4A16BCMA35,MR4A08BCMA35R,MR4A16BCMA35R,MR4A08BMA35,MR4A08BMA35R

    产品变更通知及停产信息  -  EVERSPIN  - October 15.2014 英文 下载

    Product/Process Change Notice 16Mb MRAM in 48-BGA Package Moisture Sensitivity Level

    型号- MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A08BCMA35,MR4A16BCMA35,MR4A08BCMA35R,MR4A16BCMA35R,MR4A08BMA35,MR4A08BMA35R

    产品变更通知及停产信息  -  EVERSPIN  - November 03.2016 英文 下载

    Product/Process Change Notice 16Mb MRAM in 48-BGA Package Moisture Sensitivity Level

    型号- MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A08BCMA35,MR4A16BCMA35,MR4A08BCMA35R,MR4A16BCMA35R,MR4A08BMA35,MR4A08BMA35R

    产品变更通知及停产信息  -  EVERSPIN  - March 22.2016 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 3/2013 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 4/2013 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  COBHAM  - Revision: A  - December 2013 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 3/2015 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 12/2014 英文 下载

    技术文档  -  EVERSPIN  - Feb 25.2015 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  COBHAM  - Revision: B  - November 2013 英文 下载

    Product and Process Change Notice Notice of Upgrade of Moisture Sensitivity Level of 16Mb MRAM in BGA package to MSL-3

    型号- MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A08BCMA35,MR4A16BCMA35,MR4A16BCMA35R,MR4A08BCMA35R,MR4A08BMA35,MR4A08BMA35R

    产品变更通知及停产信息  -  EVERSPIN  - 2/9/2017 英文 下载

    MR10Q010-EVAL1 Everspin Quad SPI MRAM Evaluation Board User Guide

    型号- STM32F476RGT6,MR10Q010SC,MR10Q010CMB,MR10Q010MB,MR10Q010CSC,MR10Q010-EVAL1

    用户指南  -  EVERSPIN  - Revision 1.0,  - 2/2016 英文 下载

    用户指南  -  COBHAM  - July 2012 英文 下载

    技术文档  -  EVERSPIN  - 9/22/08 英文 下载

    Replacing the Cypress CY14B104LA-ZS/BA45xxx nvSRAM with Everspin MR2A08AxYS/MA35 MRAM

    型号- CY14B104LA-ZS/BA45XXX,MR2A08A,MR2A08AXYS/MA35,MR2A08AXYS/MA35XXX

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 3/2013 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 8/2015 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 8/2015 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 3/2013 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  EVERSPIN  - 3/2013 英文 下载

    Fast Read/Write •Non-Volatile • Infinite Endurance High Endurance, Non-volatility Ideal RAID Applications State-of-the-Art MRAM Technology

    型号- MR4A08B,MR25H128A,MR25H256A,MR10Q010,MR4A16B,MR0DL08B,MR2A16A,MR0A16A,MR2A08A,MR256DL08B,MR0A08B,MR25H256,MR4A08BUYS45,MR0D08B,MR256A08B,MR256D08B,MR4

    技术文档  -  EVERSPIN  - February 2016 英文 下载

    1M x 16 MRAM MR4A16B

    型号- MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A16BCYS35R,MR4A16BYS35,MR4A16B,MR4A16BCMA35,MR4A16BYS35R,MR4A16BCMA35R,MR4A16BCYS35

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 11.7  - 3/2018 英文 下载

    1M x 16 MRAM MR4A16B

    型号- MR4A16BMA35,MR4A16BMA35R,MR4A16BCYS35R,MR4A16BYS35,MR4A16B,MR4A16BCMA35,MR4A16BYS35R,MR4A16BCMA35R,MR4A16BCYS35

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 11.6  - 05/2017 英文 下载

    64K x 16 MRAM Memory MR0A16A

    型号- MR0A16AYS35,MR0A16AYS35R,MR0A16A,MR0A16ACMA35R,MR0A16AVMA35,MR0A16ACMA35,MR0A16AVMA35R,MR0A16AMYS35,MR0A16AMA35R,MR0A16AVYS35R,MR0A16AMYS35R,MR0A16AMA

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 8.3  - 3/2018 英文 下载

    512K x 8 MRAM Memory MR2A08A

    型号- MR2A08AMYS35R,MR2A08ACMA35R,MR2A08AYS35,MR2A08AMA35R,MR2A08AYS35R,MR2A08ACYS35R,MR2A08AMA35,MR2A08ACYS35,MR2A08ACMA35,MR2A08A,MR2A08AMYS35

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 6.3  - 3/2018 英文 下载

    128K x 8 MRAM MR0A08B

    型号- MR0A08BCSO35R,MR0A08BCMA35R,MR0A08BYS35R,MR0A08B,MR0A08BMA35,MR0A08BCMA35,MR0A08BSO35R,MR0A08BSO35,MR0A08BYS35,MR0A08BCSO35,MR0A08BCYS35R,MR0A08BMA35R

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 8.6  - 3/2018 英文 下载

    1Mb Serial SPI MRAM MR25H10

    型号- MR25H10MDFR,MR25H10CDFR,MR25H10CDCR,MR25H10MDC,MR25H10MDCR,MR25H10,MR25H10CDF,MR25H10CDC,MR25H10MDF

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 9.4  - 2/2017 英文 下载

    512K x 8 MRAM Memory MR2A08A

    型号- MR2A08AMYS35R,MR2A08ACMA35R,MR2A08AYS35,MR2A08AMA35R,MR2A08AYS35R,MR2A08ACYS35R,MR2A08AMA35,MR2A08ACYS35,MR2A08ACMA35,MR2A08A,MR2A08AMYS35

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 6.2  - 6/2015 英文 下载

    128K x 8 MRAM MR0A08B

    型号- MR0A08BCSO35R,MR0A08BCMA35R,MR0A08BYS35R,MR0A08B,MR0A08BMA35,MR0A08BCMA35,MR0A08BSO35R,MR0A08BSO35,MR0A08BYS35,MR0A08BCSO35,MR0A08BCYS35R,MR0A08BMA35R

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 8.5  - 12/2015 英文 下载

    64K x 16 MRAM Memory MR0A16A

    型号- MR0A16AYS35,MR0A16AYS35R,MR0A16A,MR0A16ACMA35R,MR0A16AVMA35,MR0A16ACMA35,MR0A16AVMA35R,MR0A16AMYS35,MR0A16AMA35R,MR0A16AVYS35R,MR0A16AMYS35R,MR0A16AMA

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 8.2  - 6/2015 英文 下载

    数据手册  -  COBHAM  - July 2018 英文 下载

    数据手册  -  COBHAM  - July 2018 英文 下载

    UT8MR8M8 64Megabit Non-Volatile MRAM

    型号- UT8MR8M8,5962-12227,5962-13207,UT8MR2MB

    数据手册  -  COBHAM  - Revision: B  - November 2017 英文 下载

    UT8MR2M8 16Megabit Non-Volatile MRAM

    型号- UT8MR8M8,UT8MR2M8

    数据手册  -  COBHAM  - Revision: B  - November 2017 英文 下载

    256K x 16 MRAM Memory MR2A16A

    型号- MR2A16ACYS35,MR2A16ACMA35,MR2A16A,MR2A16AYS35R,MR2A16AVMA35R,MR2A16AMYS35,MR2A16AVYS35,MR2A16AYS35,MR2A16AMA35R,MR2A16AC,MR2A16AMYS35R,MR2A16AM,MR2A16

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 11.3  - 3/2018 英文 下载

    2M x 8 MRAM Memory MR4A08B

    型号- MR4A08B,MR4A08BYS35R,MR4A08BCMA35,MR4A08BCYS35R,MR4A08BCMA35R,MR4A08BYS35,MR4A08BMA35,MR4A08BCYS35,MR4A08BMA35R

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 8.7  - 3/2018 英文 下载

    2M x 8 MRAM Memory MR4A08B

    型号- MR4A08B,MR4A08BYS35R,MR4A08BCMA35,MR4A08BCYS35R,MR4A08BCMA35R,MR4A08BYS35,MR4A08BMA35,MR4A08BCYS35,MR4A08BMA35R

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 8.6  - 5/2017 英文 下载

    256K x 16 MRAM Memory MR2A16A

    型号- MR2A16ACYS35,MR2A16ACMA35,MR2A16A,MR2A16AYS35R,MR2A16AVMA35R,MR2A16AMYS35,MR2A16AVYS35,MR2A16AYS35,MR2A16AMA35R,MR2A16AMYS35R,MR2A16AVYS35R,MR2A16ACYS

    数据手册  -  EVERSPIN  - Rev. 11.2  - , 6/2015 英文 下载

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