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MOSFET球神直播间帮助

请提交您的研发和球神直播间或参数需求,上千位世强和原厂的应用和技术专家将为您选择最合适的器件,材料,模块等,以协助您快速完成设计,达成功能最优,价格最优,供应最优,实现最优的元器件及方案选择。技术专家会在48小时内响应。

球神直播间帮助

瞻芯电子SiC MOSFET球神直播间表

提供瞻芯电子SiC MOSFET球神直播间,VTH(TJ =25℃)覆盖2.9v-3.2V等; VTH(TJ =175℃)覆盖1.9v-2.2v;导通电阻覆盖40mΩ,50mΩ,80mΩ,160mΩ;工作温度范围-55℃~175℃; VRRM:650V/1200V;封装:TO247-3,TO247-4

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强茂(PANJIT)MOSFET球神直播间表

提供强茂电子低压MOSFET/中压MOSFET/小信号MOSFET等产品,覆盖漏源电压20V/30V/40V ,N沟道低压MOSFET,-20V/-30V/-40V P沟道低压MOSFET ,-60至100V中压MOSFET/小信号MOSFET ,包括Single/Dual/Comple等,涵盖SOT、DFN、TO等主流贴片与插件封装。

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【球神直播间】安邦(ANBON)MOSFET球神直播间指南

目录- MOSFET特点&电性参数&注意事项    AS MOSFET球神直播间表&封装   

型号- AON2405,AS50N03GS,AS3422,AG135N10S,AO3407,AT40N20S,AS2101W,AO3401,AO4612,AS05N15AS,AF4N60S,AO3400,AON6576,SI3457CDV,AO4294,BSS123W,SI2343CDS,AS6005S,A

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【球神直播间】辰达行(Microdiode)MOSFET场效应管球神直播间表

描述- Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Ltd is a professional semiconductor enterprise which specializes in R & D, production of diodes and bridge rectifiers.

型号- 2N7002,SI2305,BSS138,SI2306,SI2301,BSS123,SI2302,SI2310,SI2300,AO3407,4N65F,AO3401,AO3402,AO3415,AO3442,AO3400,SI2301S,SI2302S,BSS84,2N7002K

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【球神直播间】扬杰科技(YANGJIE)MOSFET(中低压/高压)球神直播间指南

目录- 中低压MOSFET    高压MOSFET    产品特点与应用    封装尺寸图与焊接尺寸图    包装形态与可靠性测试项目   

型号- YJB70N10A,YJD80G06A,YJ4N70Z,2N7002A,YJ12N65Z,YJQ2012A,YJC2007A,YJD25N15B,YJD90N02A,YJS2301A,YJS4435A,YJ8N60Z,YJQ55P02A,YJS4407B,2N7002KW,YJQ3400A,YJQ4

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集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • AS6004

    厂牌:安邦

    价格:¥0.8528 现货:20

  • CEDM7001 BK PBFREE

    厂牌:Central Semiconductor

    价格:¥1.6911 现货:162

  • CEDM7004 TR PBFREE

    厂牌:Central Semiconductor

    价格:¥2.0834 现货:150

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

  • C3M0120100J

    厂牌:WOLFSPEED

    价格:¥44.4062 现货:775

  • C3M0120100K

    厂牌:WOLFSPEED

    价格:¥29.0954 现货:346

  • CGD15FB45P1

    厂牌:WOLFSPEED

    价格:¥2,659.1014 现货:3

  • 【球神直播间】PANJIT(强茂)MOSFET产品球神直播间指南

    描述- 本资料主要涉及MOSFET产品,低压(20V-40V),中压(50V-200V),高压(400V-900V)全电压范围小讯号与功率MOSFET产品,涵盖SOT,DFN,TO等主流贴片与插件封装,广泛应用于计算机周边,马达驱动,汽车电子,电子烟等应用领域。

    型号- PJP7NA65,PJQ4848P,PJZ22NA50A,PJL9850,PJE8408,PJE8407,PJE8406,PJL9854,PJE8405,PJE8404,PJP7NA60,PJE8403,PJE8402,PJP65R980,PJE8401,PJE8400,PJL9452A,PJD60

    球神直播间指南  -  PANJIT  - 2019年1月 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  ST  - Rev 1  - 13-Jun-2006 英文 下载

    技术文档  -  TOSHIBA 中文 下载

    【经验】解析Mosfet被烧毁的原因及选择标准

    本文美浦森将解析Mosfet被烧毁的原因及选择标准。Mosfet主要损耗也对应这几个状态,开关损耗,导通损耗,截止损耗,还有雪崩能量损耗。只要把这些损耗控制在mosfet承受规格之内,mosfet即会正常工作,超出承受范围,即发生损坏。

    设计经验    发布时间 : 2021-10-14

    【经验】重负载时开关元件MOSFET工作相关的注意事项

    ​ROHM将在本文介绍重负载时开关元件MOSFET工作相关的注意事项。在重负载时,如果MOSFET的体二极管的反向恢复时间trr较长,且有电流残留,则在超前臂的MOSFET关断时,寄生双极晶体管可能会误导通,从而损坏MOSFET

    设计经验    发布时间 : 2021-11-02

    【经验】解析MOSFET在开关电源中的损耗及EMI特性

    本文美浦森将介绍MOSFET在开关电源中的损耗及EMI特性。MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于开关电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET应用,提高开关电源的功率。

    设计经验    发布时间 : 2021-10-16

    【产品】内阻低至1mΩ、电流最高240A的MOSFET | 视频

    在2021年3年26日功率器件专场|世强硬创新产品研讨会中,新电元中国孙伟华经理为我们带来新电元公司的新一代MOSFET产品,具有小型化,大电路,低内阻的优点。

    新产品    发布时间 : 2021-03-29

    【技术】MOSFET电路类型集合及特性分析

    已成为最常用的三端子器件的MOSFET带来了电子电路领域的革命。如果没有MOSFET,现在集成电路的设计似乎是不可能的。 它们非常小,制造过程非常简单。由于MOSFET的特性,成功完成了模拟和数字电路集成电路的实现。

    技术探讨    发布时间 : 2021-08-19

    请问汽车级MOSFET NP75N04VDK 40V/75A的导通电阻RDS(on)为多少?

    40V/75A汽车级MOSFET NP75N04VDK为逻辑电平驱动类型MOSFET,其导通电阻在25℃下的2个参考值,RDS(on)1=4.7mΩ(VGS = 10 V, ID = 38 A),RDS(on)2=6.3mΩ(VGS = 4.5 V, ID = 19 A),这两个参数都是在ID漏电流<75A的条件下得到的,一旦超过75A,RDS(on)将迎来拐点,出现直线上升,导致MOSSFET失效。从两个导通电阻的参数对比来看,当VGS电压越高,RDS(on)越低,对应导通损耗变大,建议设计时选择第二种方案来降低导通损耗。

    发布时间 : 2017-05-04

    色温调光器需要一款合适的MOSFET,其规格要求:VDS为100V,RDS为40mΩ,封装为TO-252,电流在5A以上。请推荐一款合适的产品。

    推荐MOSFET型号为P30B10EL,其规格为:VDS=100V,RDS=36mΩ,电流为30A,封装TO-252。完全满足设计要求,具体咨询和订货请联系400-887-3266。

    发布时间 : 2016-10-25

    瞻芯电子Si/SiC MOSFET驱动芯片球神直播间表

    提供瞻芯电子Si/SiC MOSFET驱动芯片球神直播间,业界首创的8-引脚;工作电压覆盖24V~35V;4A值拉,灌电流;低延迟(45ns典型,16ns,15ns); Channels:1~2; Iout(Source/Sink)4/4, 2/4, 4/8;封装:SOIC-8,SOT23-6,SOIC-8 (EP),MSOP-8,SOT-23-5

    球神直播间表  -  瞻芯电子 立即球神直播间>>

    安邦MOS球神直播间表

    电压覆盖到20V至200V;主贴片封装,沟槽工艺,自主设计晶圆;8寸芯片,低阻抗、大电流的MOS

    球神直播间表  -  安邦 立即球神直播间>>

    MOSFET Selection Guide

    描述- Formosa Microsemi's semiconductors are mainly focused on improving efficiency, power density and cost-effectiveness. The combination of the full range of Planar, Trench, and SJ MOSFETs enables innovative and performance mode power supplies (SMPS) in applications such as switching, battery-powered applications, motor control and drives, inverters, and calculations.

    型号- FMOSP30P06,FMOSB3205,FMOSU06N90,FMOSU07N70B,FMOSP03N65,FMOSP3025A,FMOSPF10N90,FMOSP03N60,FMOSU07N70A,FMOSP40N10,FMOSU410,FMOSPFA05N60,FMOSP40N15,FMOSP

    球神直播间指南  -  美丽微 英文 下载

    球神直播间指南  -  无锡紫光微  - 第六版  - 2020年6月 中文 下载

    【球神直播间】矽航(XI HANG)ESD/EOS防护器件、稳压/TVS/肖特基二极管、低/高压MOSFET球神直播间指南

    目录- 低压/高压MOSFET    ESD防护器件    EOS防护器件/稳压二极管    TVS二极管/肖特基二极管    封装种类   

    型号- XE3DLC5VB,XSBD1DF40V3,XNM05N50F,XSBD1DF40V2,XNM05N50E,XSBD1DF40V1,SMAFJ440CA,XE23T5VB,XNM10N65F,XE3DLC12VB,XNM10N65E,SMCJ440CA,XT1DTF15VB,XE2XLC5VU,SM

    球神直播间指南  -  矽航 中文 下载

    【球神直播间】Infineon(英飞凌)基于MOSFET、IGBT的μIPM™-DIP模块球神直播间指南

    描述- 本资料主要讲述以下产品:μIPM™-DIP,基于MOSFET的μIPM™-DIP,基于IGBT的μIPM™-DIP,MOSFET,IGBT等。

    型号- IRSM505-0254(P,IRSM515-084(P,IRSM505-084(P,IRSM505-024(P,IRSM505-035(P,IRSM505-025(P,IRSM515-025(P,IRSM515-035(P,IRSM515-024(P,IRSM515-055(P,IRSM505-0

    球神直播间指南  -  INFINEON 英文 下载

    应用笔记或设计指南  -  ONSEMI  - Rev. 1.2  - 6/2/15 英文 下载

    长电科技分立器件部门成立长晶科技公司,主营二/三极管、晶振、MOSFET、电源管理、运放等产品

    近日,长晶科技签约世强硬创电商,授权世强代理旗下所有产品系列和型号,涵盖二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频率器件、功率器件等品类。长晶科技拥有国内高密度集成电路国家工程实验室、国家级企业技术中心、博士后科研工作站等,长期为集成电路封装测试企业提供从芯片中测、封装到成品测试及出货的全套专业生产服务。在频率器件产品领域,长晶科技自主研发设计生产出1612、2016小尺寸晶振,具备着超

    公司动态    发布时间 : 2020-12-23

    汽车燃油泵/水泵控制解决方案 预驱动集成电路:TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L

    描述- TB9061FNG/MOSFET:TK100S04N1L&TJ80S04M3L

    型号- MOSFET,TJ80S04M3L,TK100S04N1L

    应用及方案  -  TOSHIBA 中文 下载

    【经验】可背面散热的封装MOSFET热阻和容许损耗的计算方式,掌握环境温度、MOSFET的功率损耗以及RthJA值

    本文介绍可背面散热的MOSFET封装和其热阻和容许损耗之间的关系,通过ROHM的产品封装如:TO-220FM和TO-247等可带散热器的封装、TO-252和TO-263等可将背面引脚安装在电路板上的封装举例,讲解MOSFET热阻和容许损耗的计算。

    设计经验    发布时间 : 2020-06-17

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • CEDM8001 BK PBFREE

    厂牌:Central Semiconductor

    价格:¥1.6911 现货:100

  • N6004NZ-S17-AY

    厂牌:Renesas

    价格:¥1.6118 现货:263,268

  • UPA2721AGR-E1-AT

    厂牌:Renesas

    价格:¥2.3266 现货:222,500

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

  • C3M0065100J

    厂牌:WOLFSPEED

    价格:¥69.9162 现货:

  • C3M0075120K

    厂牌:WOLFSPEED

    价格:¥81.1685 现货:

  • 超低价格 · 认证企业

    现货供应 · 售完即止

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  • 【经验】PD应用中如何选择正确的MOSFET

    实现快速充电必然需要加大充电功率,或提高电压(如QC快充),或提高电流(如PD快充)。大功率意味着充电器体积的增加,而体积小型化需求又对电源效率,温升提出了更高的要求。作为应用中的基本部件,本文中美浦森将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET

    器件球神直播间    发布时间 : 2020-09-30

    活动Littelfuse(力特)导通阻抗最低7.2mΩ的功率MOSFET,汽车级认证,耐压高达4700V

    Littelfuse(力特)公司成立于1927年,全球总部位于美国伊利诺伊州芝加哥,在美洲、欧洲和亚洲还拥有30多个销售、分销、制造和工程部门。2018年Littelfuse并购IXYS,是其公司史上最大规模的并购计划,自此,Littelfuse补充了高压MOS管和IGBT产品组合,加速功率器件业务占比,同时能保证全球稳定供货能力。 力特MOSFET主要产品及应用汽车级MOSFET

    活动    发布时间 : 2020-11-02

    【经验】如何通过分析导通损耗、开关损耗和驱动损耗来选择一款合适的MOSFET

    在当今的开关电源设备中,MOS管被广泛应用,它的特性、寄生参数和散热条件都会对MOS管的工作性能产生重大影响。因此深入了解功率MOS管的工作原理和关键参数对电源设计工程师至关重要。为此,本文总结归纳了如何根据MOSFET损耗来选择器件。

    设计经验    发布时间 : 2020-02-25

    在机车电牵装置中,选用CAS300M17BM2作为MOSFET,那么该器件有什么特点?

    CAS300M17BM2具有1.7KV and 8.0mΩ的全碳化硅半桥功率模块,在300A and 150℃条件下,其Esw=23.7mJ,脉冲漏电流为900A;该模块的封装尺寸为62mm×106mm×30mm。

    发布时间 : 2017-05-04

    汽车电机驱动,要求正常工作电流是15A,堵转电流是25A,请问有无合适的MOSFET推荐?

    推荐MOSFET NP60N04,它是汽车级N通道功率MOSFET,VDSS(源极漏极耐压)为40V,ID(漏极电流)60A,能够满足设计需求。

    发布时间 : 2016-10-25

    派恩杰碳化硅SIC MOSFET球神直播间表

    碳化硅MOS 1200V/ 25mΩ 80 mΩ 120 mΩ,1700V/3Ω,650V40 mΩ 原胞(pitch)尺寸在3.2~6um,比导通可达2.8mΩ,与国际领先水平比肩,符合AEC-Q101,HDFM品质因数可达1.29,跟同业客户相比,整体损耗更小,效率更高

    球神直播间表  -  派恩杰 立即球神直播间>>

    ULTRA-HIGH PERFORMING MOSFETS

    型号- DMP45H150DHE,DMP1007UCB9,DMG4466SSS,DMN3024LSD,DMT6009LSS,DMTH3004LPS,DMP2040UFDF,DMN10H220LFVW,DMN15H310SE,DMTH8008LFG,DMG7N65SCTI,DMN31D5L,DMPH4013S

    球神直播间指南  -  DIODES  - January 2021 英文 下载

    【球神直播间】Infineon(英飞凌)抗辐射MOSFET和IC产品球神直播间指南

    描述- 本资料主要讲述以下产品:抗辐射逻辑门功率MOSFETs, 抗辐射功率MOSFETs, 功率MOSFETs, 抗辐射MOSFTs,MOSFET,抗辐射同步整流器,同步整流器,整流器,栅极驱动器IC,驱动器等。

    型号- IRHLYS797034CM,IRHLYS77034CM,IRHM9230,IRHM7054,IRHN597130,IRHLG7670Z4,IRHN9150,IRHM7460SE,IRHNA597064,IRHNA57264SE,IRHF9130,IRHY597130CM,IRHN7450SE,IR

    球神直播间指南  -  INFINEON 英文 下载

    球神直播间指南  -  基本半导体  - 2021/04/01 中文 下载

    【应用】车用MOSFET助力EPS应用,高温驱动再不怕

    瑞萨MOSFET NP90N04耐压值达40V,通过了AEC-Q101认证,且具有低至2.8mΩ的导通电阻。

    新应用    发布时间 : 2019-08-29

    Lowest Profile DFN2020 Mosfet Portfolio:Diodes Incorporated reduces MOSFET height by 50%

    型号- AON2405,DMP2039UFDE4,SIA430DJ,DMP2039UFDE/4,SIA431DJ,IRLHS2241,ANO240□,IRLHS6242,DMN6040UFDE,AON2407,DMP2066UFDE,FDMA291P,SIA414DJ,FDMA520PZ,DMN2015UF

    商品及供应商介绍  -  DIODES  - Issue 002  - April 2012 英文 下载

    NTMFS006N12MC MOSFET

    型号- NTMFS006N12MCT1G,NTMFS006N12MC

    数据手册  -  ONSEMI  - Rev. 0  - October, 2020 英文 下载

    【经验】MOSFET中输出电流较大时对电源电路损耗的影响及注意事项

    本文将介绍在探讨输出电流较大的应用时应该注意的两个事项。随着输出电流增加而增加的损耗有低边/高边MOSFET的导通电阻损耗、开关损耗、死区时间损耗以及电感的DCR损耗。因此需要使用导通电阻低的MOSFET,提高开关速度,并选用DCR低的电感。

    设计经验    发布时间 : 2019-12-13

    【经验】以TPW60R040MFD为例介绍MOSFET的设计要点

    本文主要针对MOSFET产品在设计中需要重点关注的三点信息做描述。为了更好地理解这三点信息,首先需要了解MOSFET的相关参数。本文中以无锡紫光微的TPW60R040MFD为例。重点需要关注的是Vdss的选择、驱动电压和驱动电路设计。

    设计经验    发布时间 : 2020-01-30

    【产品】采用TO-263S封装的100V/±30A N沟道功率MOSFET RSJ301N10

    罗姆(ROHM)是半导体、电子零部件等应用的全球最知名主要供应商之一。近期其推出了100V/30A的N沟道功率MOSFET RSJ301N10,采用TO-263S封装设计,具有具有导通电阻低、开关速度快和无铅电镀(符合RoHS标准)等特点,是开关变换器领域的不二选择。

    新产品    发布时间 : 2019-09-05

    【经验】R-Car H3的PMIC中MOSFET的使用

    SoC芯片 ​R-Car H3是Renesas第三代R-Car汽车自动驾驶平台解决方案,本文主要介绍R-Car H3的PMIC中MOSFET的使用。R-Car H3的参考设计中PMIC有两路0.8V输出电压VDD0.8V和DVFS0.8V,这里用到了2颗罗姆的MOSFET芯片SP8K2FRA。

    设计经验    发布时间 : 2019-11-26

    实际工作电压是14VDC,最大工作电流是20A,请问有没有合适的汽车级MOSFET推荐?

    推荐MOSFET NP60N04,其为汽车级N通道功率MOS管,VDSS(源极漏极耐压)为40V,ID(漏极电流)60A,可以满足需求。

    发布时间 : 2016-10-25

    小功率光伏逆变器采用导热垫片T-gard 500用于MOSFET下面散热,由于产品体积较小,要求温升不超过15度,实际测试中温升超过15度,不满足要求,请问如何解决此问题?

    根据目前光伏逆变器的功率等级和散热环境,推荐采用T-gard 5000导热垫片代替T-gard 500,T-gard 5000材质是由聚酰亚胺表面涂覆一层填充陶瓷材料的高温硅树脂橡胶制成,热阻在50psi压力下仅为0.48度in2/W,且厚度只有0.127mm,更利于热量传导。

    发布时间 : 2017-05-05

    球神直播间指南  -  PANJIT  - 2017年 英文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • N6002NZ-S29-AY

    厂牌:Renesas

    价格:¥0.9992 现货:121,731

  • N6006NZ-S17-AY

    厂牌:Renesas

    价格:¥0.8882 现货:24,002

  • UPA1772G-E1-A

    厂牌:Renesas

    价格:¥8.5731 现货:2,500

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    球神直播间指南  -  宝砾微 中文 下载

    【球神直播间】PANJIT(强茂)SiC肖特基二极管/桥式整流器/保护装置/MOSFET/双极结晶体管球神直播间指南

    目录- MOSFET    Schottky    SiC Devices    Diodes    Bridge    Protection Devices    Bipolar Junction Transistors    Outline Drawing & Minimum Pad Layout    Packing Specifications   

    型号- 1N4743A,MMBZ5258A,P4SMA43CAS,BD650CS,MMBZ5258B,PZ1AL68B,1.5SMC13AS,P4SMAJ160CAS,1N5941B,MMSZ5222B,BC807-16W,ER3BA,PZS116V2BES,P6AFC45A,1.5SMC56CAS,MBR

    球神直播间指南  -  PANJIT  - Ver. 21.1  - 2021 英文 下载

    【球神直播间】ROHM(罗姆)晶体管球神直播间指南(中文)

    目录- MOSFET    双极晶体管    数字晶体管    晶体管阵列    封装    品名构成说明   

    型号- DTC113ZCA,DTC014EM,DTC114TUA,RCJ220N25,DTC114TU3,DTD143EU3,DTC143TEB,2SB1275,BC8,DTA124TX,RS1E260AT,2SCR552P,",2SC4102,DTA144EKA,RCX160N20,7R6576ENZ,U

    球神直播间指南  -  ROHM 中文 下载

    【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计

    恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。

    新应用    发布时间 : 2019-07-27

    【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的设计经验分享

    本文分享笔者采用CWDM3011P和CWDM3011N两款MOSFET管关于三相全桥的分立器件的设计经验。

    新应用    发布时间 : 2019-08-29

    【应用】亚纳秒级的增强型eGaN FET助力实现真正的无线充电

    应用于放大器的氮化镓场效应晶体管及集成电路具备卓越性能,成为高度共振式并与AirFuel标准兼容的无线充电系统的理想器件。

    新应用    发布时间 : 2019-07-16

    【技术大神】电源不容忽视的细节——选对散热材料轻松解决热设计

    本文通过实际案例中产品问题的排查分析及设计改进,与大家分享Tgard 500材料在电源设备中的应用经验。

    设计经验    发布时间 : 2019-07-29

    用户指南  -  丽正国际 英文 下载

    PANJIT(强茂)PJD20N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册

    描述- PANJIT(强茂)PJD20N06A 60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册,采用TO-252封装

    型号- PJD20N06A,PJD20N06A_L2_00001

    数据手册  -  PANJIT  - July 9,2015 英文 下载

    【技术】论氮化镓技术及其产品的发展与应用

    EPC第五代氮化镓eGaN技术的产品系列,无论在性能及成本上都实现质的飞跃——产品具备更高的性能、小型化及更低的成本。

    技术探讨    发布时间 : 2019-08-29

    在开关电路应用中表面贴装MOSFET CDM4-600LR发热严重,测试输出波形上下边沿时间过长,如何解决此问题?

    在开关电路应用中,开关损耗由栅极电容决定,当驱动电流不足时,MOS上下边沿的时间里,MOS在线性区工作,此时间越长,损耗越大,发热越严重。因此需增加驱动MOS的电流,解决办法有:1)减少串联在MOS栅极电阻值;2)改进驱动电路,增加驱动电流及泄放电流能力。

    发布时间 : 2017-07-25

    高低侧隔离驱动器Si8233,其输出端的驱动电压是多少?能驱动600V的MOSFET吗?

    600V的MOSFET,实际上指的是后端的MOSFET的漏极和源极之间的电压。这个参数主要是由后端的MOSFET决定的,高低侧隔离驱动器的输出驱动电压主要是由其输出级的供电电压决定的。高低侧隔离驱动器Si8233输出端的供电电压范围是6.5V到24V。因此如果Si8233输出高电平的话,其输出端的驱动电压就是其输出端的供电电压。后端驱动的MOSFET,其漏极和源极之间的电压最大可达1500V。

    发布时间 : 2017-05-05

    【球神直播间】固锝(Good-Ark)二极管&整流桥&ESD静电保护器件&N沟道/P沟道MOSFET球神直播间指南

    描述- 肖特基二极管:包含电流(0.2A~40A)、电压(20V~200V)全系列大小功率产品;TVS&ESD:200W-5000W,电压5V-550V的TVS产品与适合各种端口静电防护的静电防护器件ESD;封装多样化,漏电流小;具体自主晶圆供应能力;稳压二极管:0.2W-3W全系列稳压二极管;各种电压,封装,精度规格齐全。

    型号- 1N4745,1A1,LS5BH,1N4744,1A2,1N4747,1A3,1N4746,1A4,1N4749,1A5,1N4748,1A6,P4SMA16A,1A7,P26A,SK58A,BZX85-B5V1,SK58B,MMSZ5222B,1N4750,1N4752,1N4751,1N4754

    球神直播间指南  -  固锝  - v2.0  - 2020年5月 英文 下载

    【球神直播间】ROHM(罗姆)SIC碳化硅功率元器件球神直播间指南

    目录- SiC 肖特基二极管    SiC 场效应晶体管    全 SiC 功率模块   

    型号- SCS206AJ,BSM300C12P3E201,SCS220KE2,SCS206AG,SCS304AP,SCT2H12NY,BSM600D12P3G001,SCS308AP,SCT2H12NZ,SCS230AE2,SCT3022AL,SCS210AM,BSM180C12P2E202,SCS210A

    球神直播间指南  -  ROHM 中文 下载

    球神直播间指南  -  ROHM  - Ver.1.1  - 2019年11月 中文 下载

    【球神直播间】应能微TVS/半导体放电管/MOSFET/电源管理IC(PMIC)/过压保护设备(OVP)/DC-DC同步降压转换器球神直播间指南

    目录- MOSFET    公司简介    TVS    半导体放电管    电源管理IC(PMIC)    质量管理体系、RoHS认证证书   

    型号- P4SM6.8CA-200A,CM2302C,CM2302B,CM2302A,AU3321D5,SMDJ5.0CA-220CA,SMAJ5.0A-550A,SMF5.0A-220CA,CM3416E,3.0SMC6.8CA-250CA,AU1801P1,CM3134EW,CM3404B,CMN301

    球神直播间指南  -  应能微  - 2021 中文 下载

    【应用】可处理高达 660 A 的漏电流的功率MOSFET,是高电流应用的最佳选择!

    IXYS 的 IXTN660N04T4 便是用于高电流应用的 N 沟道电流检测 FET 的一个实例。 该器件可处理高达 660 A 的漏电流。

    应用方案    发布时间 : 2018-03-21

    【经验】采用隔离驱动器+MOSFET替换传统SSR的电源优化方案

    Silicon Lbs推出的SI875X加MOS FET的方案来替代传统的设计,Si875x无需使用庞大的机械继电器,这些继电器可能难以组装到PCB上并向系统添加开关噪声。 可以支持全面的工业和汽车温度范围,稳定性更高,寿命更长。

    设计经验    发布时间 : 2018-04-01

    【产品】全封闭式数字电源管理器,效率高达90%

    Renesas推出的ZL9101M是一款符合PMBus标准的12A可变输出步降数字电源。该电源模块内包含一个高性能数字PWM控制器、多个功率MOSFET、一个电感,以及实现完整、高集成度、使用简单的直流/直流(DC/DC)电源解决方案所需的所有无源元件。

    新产品    发布时间 : 2018-04-28

    AM60R380F MOSFET 600V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET

    型号- AM60R380FT3VU,AM60R380FT3FU,AM60R380FS3R,AM60R380FDVR,AM60R380FT3U,AM60R380FDR,AM60R380FS3VR,AM60R380FT3FVU,AM60R380FTS3U,AM60R380FTS3VU

    数据手册  -  AIT  - REV1.0  - JAN 2021 英文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • AM8205TMX8R

    厂牌:AiT

    价格:¥1.1357 现货:5,000

  • AM8205TMX8VR

    厂牌:AiT

    价格:¥1.1596 现货:5,000

  • AM2308E3VR

    厂牌:AiT

    价格:¥1.2060 现货:3,010

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    PANJIT(强茂) PJD25P03 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册

    描述- PANJIT(强茂) PJD25P03 30V P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册 采用TO-252AA封装

    型号- PJD25P03,PJD25P03_L2_00001

    数据手册  -  PANJIT  - REV.01  - April 5,2017 英文 下载

    【球神直播间】AC/DC PWM方式反激式转换器设计方法之主要部件的选定方法:MOSFET相关

    只有纸上谈兵是难以进行MOSFET的选定,但仍然必须依赖过往的经验法则。而且,最后实机确认必须降额至哪个程度后,再来决定MOSFET。ROHM为MOSFET的选定提供球神直播间方法,基本的探讨事项有4个:最大漏极-源极间电压、峰值电流、导通电阻的损耗、封装最大容许损耗。

    器件球神直播间    发布时间 : 2019-04-30

    【经验】采用MOSFET芯片P8B30HP2设计开关电源输入缓启动电路可防止浪涌电流冲击

    SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2的栅源电压Vgs和漏极电流Id大,因此电压和电流等级高,不容易损坏,并且留有裕量,可以避免输出功率波动带来的发热问题。SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2的导通电阻Rds小,因此发热量和损耗功率小,能够降低温升带来的热故障。SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2采用贴片封装,尺寸小。

    设计经验    发布时间 : 2018-09-01

    光伏逆变器的三电平设计中三相输出需要12颗1200V/10A的MOSFET功率器件,设计输出开关频率为50kHz。为了减少驱动器件的个数,希望使用双路驱动芯片,有没有合适的推荐?

    推荐双路高速功率门级驱动芯片Si8232,这款芯片专门为功率器件驱动设计的一款隔离门级驱动芯片,具有高达8MHz的开关频率,0.5A的驱动能力完全可以满足开关频率50kHz、功率等级为1200V/10A的MOSFET的驱动。

    发布时间 : 2017-05-05

    MOSFET小尖峰会导致MOSFET温升高吗

    温度升高是电损耗累计效果,除非小尖峰已经超过mosfet的极限,损坏mosfet。如果小尖峰的占空比极小,不会造成太多的额外热量产生,对温度升高影响有限。

    发布时间 : 2019-12-21

    【产品】100V/26A功率 MOSFET,4.5V栅极驱动

    SHINDENGEN的功率 MOSFET P26B10SL ,全功率损耗为44W,单脉冲雪崩能量高达40mJ,该功率MOSFET的栅源电压为±20V,连续漏极电流峰值为78A,能够有效的满足大功率电路设计的需求。

    新产品    发布时间 : 2018-02-05

    【产品】75V/168A功率 MOSFET,10V栅极驱动

    P168FP7R5SNK是Shindengen(新电元)公司推出的一款表面贴装(SMD)功率MOSFET器件,全功率损耗为238W,单脉冲雪崩能量高达495mJ,峰值连续漏极电流为672A,大电流特性使其可满足大功率电路设计需求。

    新产品    发布时间 : 2018-02-07

    【产品】55V/94A功率 MOSFET,静态导通电阻为2.5mΩ

    SHINDENGEN的P94FG5R5SL是一款功率 MOSFET,全功率损耗为156W,采用4.5V栅极驱动,能够有效的满足大功率电路设计的需求。

    新产品    发布时间 : 2018-02-06

    【产品】60V/34A功率 MOSFET,4.5V栅极驱动

    Shindengen(新电元)公司推出的功率 MOSFET P34F6EL, 全功率损耗为35W,绝缘耐压值为2kV,可满足大功率驱动应用需求。

    新产品    发布时间 : 2018-02-09

    【产品】具有低导通阻抗的60V/86A功率 MOSFET

    新电元(Shindengen)公司推出的功率 MOSFET P86F6SN,采用绝缘封装,使用10V栅极驱动,具有低静态导通电阻、低电容的特点。单脉冲雪崩能量高达288mJ,可满足大功率驱动应用需求。

    新产品    发布时间 : 2018-03-05

    【产品】高di/dt耐久性的600V/7A功率 MOSFET

    新电元(Shindengen)公司推出的功率 MOSFET P7FH60HP2,采用表面贴装(SMD),具有高电压、低电容、高雪崩耐久性、高di/dt耐久性等优点。单脉冲雪崩能量为40mJ,漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs,可满足一般功率驱动应用需求。

    新产品    发布时间 : 2018-03-05

    【产品】120V/100A功率 MOSFET,全功率损耗为238W

    新电元的功率MOSFET P100FP12SNK,单脉冲雪崩能量达373mJ,采用10V栅极驱动,可满足大功率驱动应用需求。

    新产品    发布时间 : 2018-02-26

    【产品】600V/15A功率 MOSFET,漏源二极管di/dt耐受能力达350A/μs

    新电元推出的低电容功率 MOSFET P15FH60HP2,全功率损耗为175W,单脉冲雪崩能量为65mJ,可满足一般电源系统的设计要求,适用于电源故障检测器、电池备用电路等应用。

    新产品    发布时间 : 2018-03-04

    【产品】用于EV驱动火车的新型SiC MOSFET

    Wolfspeed推出了一款900V,10mΩ的MOSFET

    新产品    发布时间 : 2017-03-21

    【产品】ESD保护高达1800V的低功耗N沟道MOSFET,为电源设计保驾护航

    Central带有ESD保护功能的2N7002型的N沟道增强型MOSFET——CEDM7002AE,具有导通电阻小、低功耗、低栅极电荷等优点。

    新产品    发布时间 : 2017-09-12

    【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET,集成高速二极管

    P5F50HP2F是Shindengen推出的功率MOSFET,其总栅极电荷10.5nC,高速源极-漏极二极管反向恢复时间为70ns。

    新产品    发布时间 : 2017-07-28

    【产品】你的AGV还缺这款紧凑型MOSFET模块

    小热阻小体积的京瓷MOSFET模块,具有电感小、一致性好、使用寿命长等优点!

    新产品    发布时间 : 2017-02-15

    【产品】40V/100A功率 MOSFET,单脉冲雪崩能量达594mJ

    SHINDENGEN的P100FH4ENK,全功率损耗为175W,采用10V栅极驱动,其开启延迟典型值为12ns、上升时间典型值为61ns、关断延迟典型值为48ns,下降时间典型值为35ns,具有较高的开关速度,可以满足一般高频开关电路设计需求

    新产品    发布时间 : 2018-02-06

    【产品】50V,80A的N沟道功率MOSFET,导通电阻典型值仅为3mΩ

    新电元的P80FH5ENK 是一款由FH封装的N沟道功率MOSFET,它拥有结壳热阻小,静态漏源导通电阻低,开关速度快以及电容低等优势,主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。

    新产品    发布时间 : 2018-03-17

    【产品】导通电阻仅0.29Ω的N沟道高耐压MOSFET,大功率电源及充电器设计首选

    新电元的P20FH50HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET,适合大功率电源以及充电器设计等应用。器件功耗最大值为175W,可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。

    新产品    发布时间 : 2018-03-08

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • AM3423E3SVR

    厂牌:AiT

    价格:¥0.6417 现货:3,000

  • AM1012CK3VR

    厂牌:AiT

    价格:¥0.4639 现货:3,000

  • RZM002P02T2L

    厂牌:ROHM

    价格:¥0.5876 现货:8,000

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    【产品】100V/30A功率 MOSFET,全功率损耗为44W

    SHINDENGEN的功率MOSFET P30B10EL,输入电容2000pF,表面贴装器件,4.5V栅极驱动,满足大功率驱动应用需求。

    新产品    发布时间 : 2018-02-18

    【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET,能量敏感型应用理想选择

    Central的CMPDM203NH是一款SOT-23F封装的N沟道增强型MOSFET,是需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。

    新产品    发布时间 : 2017-10-17

    【产品】导通延迟时间仅7ns的N沟道功率MOSFET,高频开关电路首选

    新电元的P20B12SN是一款120V,20A的N沟道功率MOSFET,其静态漏源导通电阻R(DS)ON典型值仅为33mΩ,器件具有高电压、高能效、低R(DS)ON和低电荷等优势,专为负载/电源开关、电机控制、DC-DC转换和继电器驱动应用而设计。

    新产品    发布时间 : 2018-03-10

    【产品】行业领先的第三代MOSFET平台扩展到1200V

    简化设计,提高频率,保持效率,降低系统成本,降低电路EMI,实现99%的效率水平。

    新产品    发布时间 : 2017-04-01

    【产品】50V抗雪崩N沟道MOSFET,单脉冲雪崩能量达245mJ

    新电元的P70F5EN是一款采用FTO-220AG三引脚绝缘封装的N沟道MOSFET,其主要优势在于拥有低静态漏源导通电阻以及极高的单脉冲雪崩能量,主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。

    新产品    发布时间 : 2018-03-08

    【产品】电源转换器设计就选这款40V/6A大功率MOSFET

    CXDM4060x具有超低导通阻抗、低阈值电压以及超低总栅极电荷的特性。

    新产品    发布时间 : 2017-05-31

    【技术】碳化硅MOSFET开关管:小小封装,也有乾坤

    CREE提供的MOSFET开关管C3M0065090D和C3M0065090J,都具有65毫欧的导通电阻及900V的漏源电压,两者最大的差异只是封装不同。C3M0065090D采用TO-247-3封装,而C3M0065090J采用TO-263-7封装,又称D2PAK-7L封装。

    器件球神直播间    发布时间 : 2016-08-12

    【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的球神直播间经验分享

    本文结合central的MOSFET管CWDM3011N和CWDM3011P应用,分享了一些自己在球神直播间上积累的经验。

    设计经验    发布时间 : 2017-01-13

    【产品】低电容功率 MOSFET,峰值连续漏极电流达320A

    Shindengen(新电元)公司推出的P80FG6EAL/P80FG7R5EN,全功率损耗为128W,直流连续漏极电流为80A ,可满足一般大功率电路设计需求。

    新产品    发布时间 : 2018-02-07

    【产品】高耐压低噪声的600V/0.5A的MOSFET

    新电元的P0R5B60HP2是一款SMD封装的N沟道耐高压MOSFET,总门极电荷Qg典型值仅为4.3nC,有着较好的开关性能。可用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、逆变器、驱动器等应用。

    新产品    发布时间 : 2018-03-08

    【产品】100V三引脚N沟道功率MOSFET,总损耗功率最大值仅为35W

    新电元的P22F10SN是一款采用FTO-220AG三引脚封装的N沟道功率MOSFET,它拥有绝缘封装、低导通电阻、10V门驱动以及低电容等特长,主要用于负载/电源开关、电源转换器电路、DC-DC转换器、电源管理。

    新产品    发布时间 : 2018-03-10

    【产品】40V,60A的N沟道功率MOSFET,零门极电压漏电流最大仅1uA

    新电元的P60B4EL是一款N沟道功率MOSFET,其导通延迟时间td(on)典型值为10ns,静态漏源导通电阻R(DS)ON典型值仅为4.6mΩ(ID=30A,VGS=4.5V),主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。

    新产品    发布时间 : 2018-03-10

    【产品】100%通过di/dt雪崩测试的HiPotMOS系列MOSFET

    新电元的HiPotMOS系列MOSFET是业内唯一100%通过di/dt雪崩测试的产品,具有高击穿强度,其工作电压最高为600V,工作电流最大可达36A。相比于VX3系列产品,HiPotMOS系列MOSFET的导通阻抗降低约20%,最低导通阻抗仅0.08Ω;同时,该系列MOSFET的Ron*Qg值相比于传统产品减小了45%,可实现更低损耗,并有效提高系统效率。

    新产品    发布时间 : 2017-02-20

    【产品】SMD封装的100V超薄N沟道功率MOSFET

    新电元的P13LA10EL是一款13A的N沟道功率MOSFET,总损耗功率PT最大值仅1.7W,主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、 功率因数校正(PFC)和电机驱动等应用。

    新产品    发布时间 : 2018-02-25

    【产品】导通电阻典型值仅29.5mΩ功率MOSFET,助力中小型功率应用

    新电元的P25B6EB是一款由FB封装的60V,25A的功率MOSFET,主要用于高速脉冲放大器、负载/电源开关、电源转换器电路、能源管理、电机驱动等应用。

    新产品    发布时间 : 2018-02-25

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