GaN FET

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GAN FET球神直播间帮助

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球神直播间指南  -  无锡紫光微  - 第六版  - 2020年6月 中文 下载

【球神直播间】EPC(宜普)硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管球神直播间指南

目录- eGaN FETs and ICs    DrGaNPLUS/Development Boards    Wireless Power Evaluation Kits    Wireless Power Amplifier Boards/Wireless Power Device Receive Boards/DC-DC Conversion/Class-D Audio/Lidar   

型号- EPC2212,EPC2214,EPC9003C,EPC2216,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2053,EPC9086,EPC9087,EPC9121,EPC9083,EPC9084,EPC9

球神直播间指南  -  EPC  - 2020年 英文 下载

【球神直播间】英诺赛科(Innoscience)E-Mode GaN FET球神直播间指南

描述- 英诺赛科(Innoscience)单管GaN FET:最小尺寸1x1mm,WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装,配合驱动IC使用

型号- INN60W01,INN100E01,INN650D01,INN650D02,INN40E01,INN40W01,INN40W03,INN100W03,INN40W02,INN100W01,INN100W02

球神直播间指南  -  英诺赛科  - Rev.2.0  - 2019年8月 英文 下载

派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET球神直播间指南

目录- 碳化硅MOSFET    碳化硅肖特基二极管   

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D0600

球神直播间指南  -  派恩杰 中文 下载

技术文档  -  EPC 英文 下载

集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • TPM27524-SO1R

    厂牌:思瑞浦

    价格:¥4.9163 现货:295

  • INN100W08

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥3.7500 现货:19,365

  • INN650D02

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥15.4200 现货:6,229

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    数据手册  -  英诺赛科  - Rev 2.0  - July,2020 英文 下载

    【技术】一文带你了解氮化镓和砷化镓的区别

    氮化镓和砷化镓比较:氮化镓器件提供的功率密度比砷化镓器件高十倍。由于氮化镓器件的功率密度较高,因此可以提供更大的带宽、更高的放大器增益,并且由于器件尺寸的减少,还可提高效率。氮化镓场效应管器件的工作电压比同类砷化镓器件高五倍。

    技术探讨    发布时间 : 2021-08-21

    【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D02助力1/4砖DC-DC电源模块设计,峰值效率高达95%以上

    一般传统方案采用的是Si基器件来做半桥LLC前级和后级的开关管,由于器件的自身材料限制使得产品的整机效率只能到93-94%,而采用第三代半导体器件如GaN可使整机效率高达95%以上,本文重点介绍国产英诺赛科氮化镓场效应晶体管INN650D02助力1/4电源砖模块设计,峰值效率高达95%以。

    应用方案    发布时间 : 2021-09-14

    【产品】EPC公司新推出40V、1.6mΩ的小尺寸氮化镓场效应晶体管,专为LLC DC/DC转换器设计

    EPC公司推出了40 V、1.6 mΩ的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET),器件型号为EPC2069,专为设计工程师而设,它比目前市场上可选的器件更小、更高效、更可靠,适用于高性能且空间受限的应用。

    新产品    发布时间 : 2021-09-27

    【应用】EPC的氮化镓场效应晶体管EPC2024用于1/4砖电源模块,峰值效率高达97%以上

    本文重点介绍EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管EPC2024应用于1/4砖DC-DC电源模块中的优势,其具有更宽带隙和电子迁移率,可轻松实现100V内ns级切换,开关频率可上至GHz;EPC2024用于二次侧同步整流,峰值效率高达97以上%。

    应用方案    发布时间 : 2021-07-16

    【应用】基于GaN(氮化镓)的D类音频放大器,实现高质量、低成本的音质

    现在,氮化镓FET和IC的出现正在迎来高质量、低成本D类音频放大器的时代。基于GaNFET和IC更优异的开关和热性能产生的波形比硅MOSFET所能达到的波形更接近所需的理想波形。采用GaN技术的高级音频D类放大器提供高于A类放大器设计的音质。

    应用方案    发布时间 : 2021-09-19

    EPC的这个氮化镓场效应管EPC2012C,其开关频率能达到10MHz吗?

    EPC的这个氮化镓场效应管EPC2012C,其开关频率可以达到10MHz。

    发布时间 : 2021-07-19

    氮化镓场效应晶体管如何更好的实现散热?

    氮化镓场效应管一般采用单面冷却和双面冷却两种方式:单面冷却是直接安装在印刷电路板上,没有配置任何的背面冷却器件,其散热表现与贴片封装的硅器件的散热表现是一样的;双面冷却是在单面冷却的基础上进一步的优化散热效果的冷却方式,氮化镓常用的双面冷却方式是在氮化镓器件的背面增加冷却器件,详细介绍请参考技术文章https://www.sekorm.com/news/10737.html。

    发布时间 : 2019-04-22

    PD/QC快充测试

    世强开放实验室,面向所有企业免费开放:PD/QC快充测试,满足150W内适配器、充电头、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。

    开放实验室  -  KEYSIGHT 艾德克斯 CHARGELAB

    丽正国际 晶体管球神直播间器

    提供丽正国际晶体管球神直播间,VCEO:40V-160V; VCBO:40V,-180V;额定功率:0.20w,-250w; 集电极电流:0.2A- 0.6A;晶体管极性:NPN,PNP;SMD/SMT;封装:SOT-23。

    球神直播间表  -  丽正国际 立即球神直播间>>

    GaAs/InP/GaN晶圆代工

    海威华芯提供六英吋(兼容4英寸)化合物半导体纯晶圆代工(Foundry)和芯片设计服务,包括砷化镓(GaAs)、磷化铟(InP)等二代化合物、氮化镓(GaN),碳化硅(SiC)的第三代化合物半导体晶圆代工;提供500+芯片IP的设计开发以及晶圆配套服务。

    定制咨询  -  海威华芯

    【球神直播间】Infineon(英飞凌)用于工业应用的高功率半导体球神直播间指南

    描述- Infineon delivers solutions from microamps to megawatts with superior energy efficiency, offering highly reliable IGBTs, power MOSFETs, GaN e-mode HEMTs, power discretes, protected switches, Si drivers, GaN drivers, IGBT modules, intelligent power modules (IPMs), linear regulators, motor control solutions, LED drivers, and all forms of AC-DC, DC-DC, and digital power conversion.

    型号- IRGP4078D,D475N36B,IRAM256-1567A,D4810N20T VF,IRGSL14C40L,IR44273,IR44272,DD242S10K,IGCM04B60GA,FS150R07N3E4_B11,DD231N24K,FD600R17KE3-K_B5,FF200R12MT

    球神直播间指南  -  INFINEON  - 2016年5月 英文 下载

    【产品】100V/6mΩ增强型氮化镓场效应管INN100W12,WLCSP 3×5封装

    英诺赛科(Innoscience)推出的INN100W12是一款100V增强型氮化镓场效应管,采用WLCSP 3×5封装,尺寸为2.5mm×1.5mm。漏极-源极导通电阻典型值仅6mΩ,具有超高的开关频率和零反向恢复损耗。

    新产品    发布时间 : 2020-10-23

    数据手册  -  英诺赛科  - Rev. 1.0  - May, 2020 英文 下载

    数据手册  -  英诺赛科  - version 1.01  - Jun, 2020 英文 下载

    【应用】国产氮化镓场效应晶体管INN650D01实现95.4%效率的小型化100W单C快充设计

    INN650D01是英诺赛科650V/130mΩ/16.5A的氮化镓场效应晶体管(GaN FET)。采用该氮化镓场效应晶体管搭配电源IC,相对于普通的电源IC搭配Si MOSFET技术,当频率翻倍至120Khz的情况下可实现高效95.4%的体积减小一半以上的100W单C快充设计。

    应用方案    发布时间 : 2020-09-25

    【应用】采用氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)实现薄型且高效的同步降压转换器

    本文介绍采用同步降压拓扑的超薄型功率解决方案所面对的设计挑战和权衡。EPC采用氮化镓场效应晶体管并添加简单的散热器,设计6.5 mm、44~60V转到20 V、12.5 A输出电流、250 W的同步降压转换器,其上升温度低于40°C和满载效率为98.2%。

    应用方案    发布时间 : 2020-11-25

    【产品】通过AEC-Q101认证的65V增强型氮化镓场效应晶体管EPC2219,可实现零反向恢复电荷

    EPC推出的EPC2219是一款集成了反向栅极钳位二极管的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),漏源电压最大额定值为65V,漏源导通电阻最大值为3300mΩ,通过了AEC-Q101认证,仅以带焊球的钝化芯片形式提供,芯片尺寸为0.9mm×0.9mm。

    新产品    发布时间 : 2021-03-14

    【应用】国产100V GaN FET用于激光雷达,脉冲电流高达110A,有效实现光探测与测距

    本文推荐介绍国产英诺赛科的GaN FET INN100W12,非常适用于激光雷达,能够有效实现光探测与测距。Vds耐压为100V,适用48V系统,栅极电荷Qg仅为5.2nC,同时脉冲电流能力达到110A,采用WLCSP 3×5封装,尺寸仅为2.5mm×1.5mm。

    应用方案    发布时间 : 2021-01-06

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • INN100W01

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥7.1190 现货:964

  • INN40W01

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥7.1190 现货:772

  • INN40W02

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥4.7460 现货:517

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    求推荐成熟替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓场效应晶体管

    硅基增强型氮化镓场效应晶体管目前主要以350V以下的高频开关应用为主,目前在无线充电、激光雷达、高频电源等有成熟的应用,推荐EPC的硅基增强型氮化镓场效应晶体管替代功率MOS,可以在世强电商平台检索相关资料,基于EPC氮化镓场效应晶体管的方案可以参考:【方案】氮化镓高功率密度电源优选元器件方案。

    发布时间 : 2019-05-08

    硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管相比MOS管的优势?

    与最优的硅基MOSFET相比,氮化镓晶体管及集成电路的开关速度快很多及体积更小巧。相比先进的硅基器件,当今商用化的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)及集成电路的性能高出5至50倍。可参考以下链接内容:https://www.sekorm.com/doc/66001.html

    发布时间 : 2018-01-22

    【球神直播间】Central Semiconductor(中央半导体)场效应管(MOSFETs)球神直播间指南

    目录- MOSFETs   

    型号- CMLDM7120TG,CMLDM7002AJ,CXDM4060N,CMNDM8001,CXDM4060P,CMKDM8005,CMLDM7003TG,CMLDM8002AJ,CMLDM7005,CMPDM7002AE,CMLDM7484,CMLDM7003,7002A,CTLDM7002AM621

    球神直播间指南  -  CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 2016年7月20日 英文 下载

    SLKOR(萨科微)功率元器件和模块球神直播间指南

    目录- 公司介绍    碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管    超结场效应管/IGBT单管    IGBT模块/SiC模块/快恢复二极管    单向可控硅/双向可控硅/ESD保护器件    产品应用   

    型号- SL6508B,SL2N60,SL25T135FL,SL80S40P,SL2306,SL100N20T,SL105N08,SL3401,SL2312,SL3403,SL3402,SL3404,SL600H170TL,SL2N65,SL12N60F,SL12N04S,SL21N65C,BTA10-80

    球神直播间指南  -  SLKOR 中英文 下载

    杜因特(Doingter)MOS场效应管球神直播间指南

    描述- 深圳市杜因特半导体有限公司致力于功率半导体的开发、生产、销售,主要产品为:MOS场效应管。广泛应用于电源/充电器、PD快充、电机驱动、加湿器、无人机、电池管理系统、RGB遥控器、锂电保护板、电源/适配器、电子烟、电动车遥控器、矿机应用等工控类产品。运用先进的功率器件设计技术,与国内外一流的芯片代工厂、封装测试代工厂保持密切的合作关系,严谨产品质量控制,保证产品质量的一致性与稳定性。

    型号- ZC013NG,PD002TG,UL06NG,2SJ601,VS3618AE,ZB006NG,DOS4800,DOS4801,DOS4803,WJ02NG,SH020TG,NCE2030K,WH120NG,SE100DPG,DO2301D,DO2301C,DO2301B,PN07NG,DO2301A

    球神直播间指南  -  杜因特  - 2020/12/9 中文 下载

    槟城电子稳压管球神直播间表

    槟城电子提供的稳压管类保护器件,球神直播间器主要提供2.4V ~43V 稳压管电压,可选功率范围为200mW~350mW、公差为±2%、±5%、±6%,封装主要是SOD123、SOD323、SPT-23等封装形式。

    球神直播间表  -  槟城电子 立即球神直播间>>

    【应用】基于氮化镓功率管(GaN FET)INN650D02的60W PD快充方案

    随着电子市场对电源效率、功率密度和模块化的要求日益增长,硅基功率晶体管作为PD快充方案已经不能满足市场需求。本文介绍一款基于英诺赛科(Innoscience)氮化镓功率管(GaN FET)INN650D02的60W PD (Type-C) 快充方案,可使PD快充产品更高频、高效。

    应用方案    发布时间 : 2020-07-01

    TP65H150LSG 650V GaN FET PQFN Series

    型号- TP65H150LSG,TP65H150LSG-TR

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 3  - January 31, 2020 英文 下载

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 1  - Mar. 7, 2021 英文 下载

    【技术】相对于传统硅晶体管和硅芯片有更快开关速度、更小尺寸和更高效率的增强型氮化镓(GaN)技术

    GaN的场效应管及IC在电源设计中相对于传统的硅晶体管和硅芯片有非常大的优势:1.有更快的开关速度;2.尺寸可以更小;3.有更高的效率;4.成本较低。EPC作为增强型氮化镓功率管理器件的领先供应商,提供从15V-350V的eGaN FET产品和eGaN IC产品。

    新技术    发布时间 : 2020-02-11

    分享氮化镓(eGaN)场效应晶体管产品的球神直播间、使用经验,稿费高达600-800元/篇

    EPC推出的替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,在速度,损耗,效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。若您使用过EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管,基于您的真实项目撰写稿费600-800元/篇。

    活动    发布时间 : 2020-06-09

    【应用】基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案

    基于Type-C协议的PD快充是目前充电器的优选,传统的PD快充通常采用Si MOS作为主开关器件,其开关频率一般低于100kHz,相应的磁性元件体积较大,整机功率密度和效率较低。针对以上问题,本方案采用GaN FET作为主开关器件,并搭配高效的同步整流IC、低导通损耗的整流桥、高可靠性保险丝和多协议PD控制芯片等器件,实现基于GaN FET高效率小体积的60W PD快充方案的产品设计。

    应用方案    发布时间 : 2020-04-10

    【报名参会】高功率密度、高可靠性GaN FET的设计技巧—EPC创始人直播研讨会

    本次直播研讨会分两场、不同主题和内容,请根据您的喜好和时间分别报名。报名福利:1、会前将收到讲义资料,2、会后将收到更丰富、详尽的产品、应用、设计相关的打包资料,3、将有机会获得专著书籍:《GaN Transistors for Efficient Power Conversion》

    活动    发布时间 : 2020-05-29

    【球神直播间】辰达行(Microdiode)MOSFET场效应管球神直播间表

    描述- Microdiode Electronics (Shenzhen) Co., Ltd is a professional semiconductor enterprise which specializes in R & D, production of diodes and bridge rectifiers.

    型号- 2N7002,SI2305,BSS138,SI2306,SI2301,BSS123,SI2302,SI2310,SI2300,AO3407,4N65F,AO3401,AO3402,AO3415,AO3442,AO3400,SI2301S,SI2302S,BSS84,2N7002K

    球神直播间指南  -  辰达行 英文 下载

    球神直播间指南  -  MACOM 英文 下载

    【球神直播间】MICROSEMI(美高森美) 射频/微波GaN功率晶体管球神直播间指南

    描述- 本资料主要讲述以下产品:射频功率晶体管,微波GaN功率晶体管,微波氮化镓功率晶体管,驱动器等。

    型号- 1214GN-180LV,DC35GN-15-Q4,0912GN-50LE,3135GN-120V,1011GN-250EL,0912GN-50LEP,1214GN-280LV,0912GN-15EL,1011GN-250EP,1214GN-600VHE,1416GN-120EL,1011GN-12

    球神直播间指南  -  MICROSEMI 英文 下载

    必易微(KIWI)电源球神直播间指南

    目录- 隔离型PSR功率开关    SR功率开关    隔离型SSR功率开关    氮化镓驱动控制的准谐振快充方案    带单点失效保护的MOS原边控制方案    带单点失效保护,DCM模式内置BJT原边控制方案    65kHz,宽输出电压的高性能快充方案   

    型号- KP2190,KP23223,KP23223M,KP2192,KP212,KP2264H,KP2201B,KP206A,KP206B,KP2066,KP2064,KP22308A,KP41282,KP41281,KP23111,KP2182,KP2061,KP23110,KP2062,KP2011H

    球神直播间指南  -  必易微  - REV1.2  - 2021 中文 下载

    【产品】漏极-源极电压最小值为650V的增强型氮化镓场效应管INN650D01,具有零反向恢复损耗

    英诺赛科(Innoscience)推出650V增强型氮化镓场效应管——INN650D01,具有超高的开关频率、超低的导通电阻、快速且可控的下降和上升时间、零反向恢复损耗。可用于AC-DC转换器、图腾柱PFC、快速充电器、高密度功率转换和高效率功率转换。

    新产品    发布时间 : 2019-08-30

    低成本,高可靠性的硅基氮化镓晶体管(GaN FET),最高频率可达GHz等级

    英诺赛科(Innoscience)已发布30V-650V的硅基氮化镓晶体管(GaN FET),包括单管GaN FET,半桥GaN FETGaN IC,具有WLCSP、ECP、TOLL、DFN多种封装可选,可做到脉宽<2ns的开关速度,最高频率可达GHz等级,效率高,可实现低杂散电感、低损耗,易于PCB布板,且具有每月8万片wafer的高产能等诸多优势。

    厂牌及品类    发布时间 : 2019-07-28

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • EPC2107

    厂牌:EPC

    价格:¥4.7089 现货:2,495

  • EPC2108

    厂牌:EPC

    价格:¥4.4811 现货:2,485

  • EPC2111

    厂牌:EPC

    价格:¥11.6963 现货:1,718

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 3  - March 1, 2021 英文 下载

    TPH3207WS 650V GaN FET in TO-247 (source tab)

    型号- TP65H050WS,TPH3207WS,TP65H035WS

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 13  - 7/16/2018 英文 下载

    【产品】车规级80V eGaN®FET氮化镓场效应晶体管EPC2214,帮助激光雷达系统看得更清晰

    宜普电源转换公司(EPC)进一步扩大车规级氮化镓产品系列 – 全新成员是面向具有高分辨率的激光雷达系统、80 V的EPC2214氮化镓场效应晶体管,该元件成功通过国际汽车电子协会所制定的AEC Q101应力测试认证。

    新产品    发布时间 : 2019-05-09

    【技术】相较于Si MOSFETGaN FET可实现更高的频率开关特性以及更高效率特性

    氮化镓主要是氮和镓的化合物。目前英诺赛科的氮化镓主要是采用si做衬底,氮化镓主要是通过GaN和AlGaN之间以及它们之间的二维电子气形成DGS三极之间的开关特性。当Si MOSFET器件被开发到极致时,GaN技术相对于Si MOSFET,能实现更高的功率密度和更高效率特性的场效应晶体管技术。

    新技术    发布时间 : 2019-09-27

    【产品】英诺赛科新推出超高开关频率、超低导通电阻的增强型氮化镓功率管INN100W03

    英诺赛科2019年新推出的100V增强型氮化镓场效应管——INN100W03, 具有零反向恢复损耗、超高开关频率等特点。其相关性能指标非常优越。

    新产品    发布时间 : 2019-10-10

    C系列一般等级,高温保证积层贴片陶瓷片式电容器产品目录

    型号- C1005X8R2A331M050BA,C1608NP02E102J080AA,C3216X8R1H154K085AA,C1005NP02A101J050BA,C1005NP02A181J050BA,C1005X8R1H102K050BA,C3225X8R1E335M250AA,C1608X8R1H

    球神直播间指南  -  TDK-LAMBDA  - 20210224 中文 下载

    CGA系列车载等级, 高温保证用积层贴片陶瓷片式电容器产品目录

    型号- CGA4C4NP02W121J060AA,CGA6M3X8R1C685M200AB,CGA3E2NP02A821J080AA,CGA3E2NP01H821J080AA,CGA3E3X8R1E224M080AB,CGA5/3216,CGA3E2X8R2A153M080AA,CGA5L3X8R2A334

    球神直播间指南  -  TDK-LAMBDA  - 20190401 中文 下载

    【球神直播间】ROHM(罗姆)SIC碳化硅功率元器件球神直播间指南

    目录- SiC 肖特基二极管    SiC 场效应晶体管    全 SiC 功率模块   

    型号- SCS206AJ,BSM300C12P3E201,SCS220KE2,SCS206AG,SCS304AP,SCT2H12NY,BSM600D12P3G001,SCS308AP,SCT2H12NZ,SCS230AE2,SCT3022AL,SCS210AM,BSM180C12P2E202,SCS210A

    球神直播间指南  -  ROHM 中文 下载

    【应用】Renesas推出ISL7002XSEH、ISL70040SEH GaN FET,提供GaN FET驱动解决方案

    卫星工业对下一代氮化镓(GaN)技术非常感兴趣,并且已经部署用于射频和开关应用。由于GaN FET具有一流的门控性能、更小的尺寸、更轻的重量和更高的开关频率能力,这些产品现在可以大幅度提高板空间节约和功率效率。本文将详细讨论GaN FET性能和GaN FET驱动解决方案及其在卫星应用中的优势。

    应用方案    发布时间 : 2018-11-27

    技术文档  -  NEXPERIA  - February 2019 英文 下载

    GaN FETs Current Increase Due to Heavy Ion Testing Application Note

    型号- ISL70020SEH,ISL70023SEH,ISL70024SEH

    应用笔记或设计指南  -  RENESAS  - Rev.1.00  - Mar.25.19 英文 下载

    【经验】EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的安全工作区域

    宜普公司的氮化镓场效应晶体管在整个工作范围内具正温度系数,因此器件在工作时只受电压、电流及温度限制。本文描述与功率氮化镓场效应晶体管的热阻有直接关系的安全工作区域,并展示晶体管具备良好SOA特性之同时可以维持低电阻,以及对从热效应推算得出与测量所得的结果进行比较。

    设计经验    发布时间 : 2018-12-01

    【产品】用于评估EPC203x增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)的开发板

    宜普电源转换公司(EPC)推出EPC9060、EPC9061、EPC9062三款开发板,通过把所有关键元件集结在一块,可以轻松连接到任何现有转换器的电路板上,这些开发板最大输出电压分别为40V、60V、100V,最大输出电流分别为25A、24A、20A。从而简化对单片集成的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)EPC2030、EPC2031、EPC2032的评估过程。

    新产品    发布时间 : 2019-02-10

    【经验】可替代硅基功率MOSFET器件在交流-直流及直流-直流功率转换应用的增强型氮化镓场效应晶体

    氮化镓技术最大的机遇是它的固有特性可集成多个器件于相同的衬底上,从而对功率转换市场的影响深远。与常用的硅集成电路技术相反,氮化镓技术将来可让设计师更直接地及以低成本在单一晶片上实现单片式功率系统。本文以氮化镓场效应晶体管EPC2100为例展开了详细的探讨。

    设计经验    发布时间 : 2018-11-25

    业界最小尺寸的GaN FET将亮相2019慕尼黑上海电子展

    在3月20日-3月22日的慕尼黑上海电子展上,将展示在性价比上大幅超越硅器件的全新氮化镓功率晶体管。其中最引人注意的,无疑当属来自于宜普电源转换公司(EPC)的0.9x0.9mm业界最小尺寸GaN FET

    行业资讯    发布时间 : 2019-03-08

    【球神直播间】ROHM(罗姆)晶体管球神直播间指南(中文)

    目录- MOSFET    双极晶体管    数字晶体管    晶体管阵列    封装    品名构成说明   

    型号- DTC113ZCA,DTC014EM,DTC114TUA,RCJ220N25,DTC114TU3,DTD143EU3,DTC143TEB,2SB1275,BC8,DTA124TX,RS1E260AT,2SCR552P,",2SC4102,DTA144EKA,RCX160N20,7R6576ENZ,U

    球神直播间指南  -  ROHM 中文 下载

    【球神直播间】ASB GaAs GaN功率放大器/增益放大器球神直播间指南

    目录- GaAs GaN Power Amplifier Portfolio    GaAs, GaNCATV Amplifier Portfolio    Gain Block Amplifier Portfolio    LNAs for Mobile Communication   

    型号- ASF143,ASL55T8,ASF140,ASL51T8,ASL362,ASL360,AWB512,AWG0123E,ASL912,ABX0618Q,ABU2513,ASF150,ABX0618M,ASF153,ASL5543,ABU2516,ASX201,AGN0942D,ASX1436,ASW

    球神直播间指南  -  ASB  - 2019年6月18日 英文 下载

    【球神直播间】ROHM(罗姆)晶体管球神直播间指南(英文)

    描述- Rohm(罗姆)株式会社是全球最知名的半导体厂商之一,创立于1958年,总部位于日本京都市。本资料主要讲述分立式元器件,晶体管,MOSSFET,小信号MOSSFET,车载MOSSFET,双极晶体管,数字晶体管,复合数字晶体管等产品。

    型号- DTC113ZCA,DTC014EM,DTC114TUA,RCJ220N25,DTC114TU3,DTD143EU3,DTC143TEB,2SB1275,BC8,DTA124TX,RS1E260AT,2SCR552P,",2SC4102,DTA144EKA,RCX160N20,7R6576ENZ,U

    球神直播间指南  -  ROHM 英文 下载

    【球神直播间】Central Semiconductor(中央半导体) 贴片式分立半导体球神直播间指南

    目录- MOSFETs    Part Number Index    Small Signal Transistors    Bipolar Power Transistors    Diodes    Protection Devices    Rectifiers    Thyristors    Multi Discrete Modules    Package Mechanical Specifications   

    型号- CMUT3904,CMDZ10L,CMXZ9V1TO,CMZ5935B,P4SMA16A,CMUT3906,CMPZDC2V7,CMPZDC36V,CMSZ5252B,P6SMB56A,CLL4754A,CMF64A,CMR1U-04FL,CMPD2003,CMDZ10V,CMKBR-6F,CMDZ

    球神直播间指南  -  CENTRAL SEMICONDUCTOR  - 2019年10月10日 英文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • EPC2101

    厂牌:EPC

    价格:¥32.7496 现货:500

  • EPC2103

    厂牌:EPC

    价格:¥32.9623 现货:500

  • INN100W03

    厂牌:英诺赛科

    价格:¥9.4920 现货:480

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

    暂无此商品

    入驻市场,盘活闲置库存,点击申请

    【产品】抗辐射加固型100/200V氮化镓场效应管(GaN FET)驱动器解决方案

    Intersil最新推出的抗辐射加固型100V和200V氮化镓场效应管低侧驱动器ISL70040SEH和ISL70040SEH。非常适合用作运载火箭和卫星的初级和次级DC/DC转换器的电源,以及井下钻井和高可靠性的工业应用。

    新产品    发布时间 : 2018-03-16

    EPC氮化镓场效应晶体管GaN FET现货供应,适用于激光雷达、DC/DC领域

    世强/世强元件电商作为EPC的官方授权分销商,可现货供应EPC 氮化镓FET(氮化镓场效应晶体管),产品型号齐全,保障正品。

    行业资讯    发布时间 : 2018-10-27

    【产品】导通电阻17mΩ,恢复电荷为零的增强型eGaN场效应管

    EPC推出的EPC2202氮化镓场效应管在近日通过了AEC-Q101产品可靠性测试认证,采用了芯片级封装技术,具备卓越性能,属于增强型氮化镓场效应管。此器件可用于激光雷达/脉冲功率应用,高功率密度的DC-DC转换器,D类音频,高强度头灯等领域。

    新产品    发布时间 : 2018-06-16

    「EPC」业界最小最快氮化镓GaN FET,8/3周五中奖VIP名单公布!—有奖下载活动

    「EPC」业界最小最快氮化镓GaN FET,8/3周五中奖VIP名单公布!—有奖下载活动

    活动    发布时间 : 2018-07-10

    全球首款替代功率MOSFET器件的EPC硅基增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),效率高达98%

    EPC eGaN FET产品具有小尺寸、高开关速度、高频率、高功率密度以及低损耗等突出优势,在性能上比硅材料的功率器件优越很多。世强是EPC的官方授权代理商,可供应EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),价格优惠,库存丰富。可提供EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)球神直播间, EPC氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)数据手册, EPC氮化镓场效应晶体管技术支持等服务资源。

    厂牌及品类    发布时间 : 2018-08-13

    【经验】场效应管的主要用途有哪些?

    场效应晶体管(FET)是利用电场效应控制电流的单极半导体器件。它具有输入阻抗高、噪声低、热稳定性好、制造工艺简单等特点。它被应用于大规模和超大规模集成电路中。本文SLKOR将针对场效应管的主要用途展开讲解,希望给各位工程师们带来帮助。

    设计经验    发布时间 : 2021-12-11

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 14  - 3/7/2021 英文 下载

    12V/1200W High Frequency LLC Converter Design using GaN FETs Design Guide

    型号- TP65H070LDG,TP65H070LSG,TP65H070,TPH3208

    应用笔记或设计指南  -  TRANSPHORM  - March 11, 2019 英文 下载

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 3  - 3/7/2021 英文 下载

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 2  - 10/31/2019 英文 下载

    【产品】0.9mm超小封装,高速氮化镓FET助力提升电源效率

    宜普电源转换公司(EPC)的EPC2203为全球首批通过AEC-Q101认证的氮化镓场效应管之一,采用芯片级封装技术,拥有超低封装尺寸,具备卓越性能且坚固耐用和可靠。可应用在激光雷达/脉冲功率应用,高功率密度的DC-DC转换器,无线电源,D类音频等领域。

    新产品    发布时间 : 2018-06-16

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 0.2  - Jun. 2, 2021 英文 下载

    【产品】小尺寸氮化镓GaN FET驱动器ISL70040SEH/ISL70024SEH

    RENESAS的GaN FET采用了全新的氮化镓技术,其非常适合卫星应用,并且RENESAS的ISL70040SEH和ISL70024SEH是小尺寸、轻量以及高效率设计的最佳解决方案。

    新产品    发布时间 : 2018-03-31

    【产品】 GaN高频增强型大功率场效应管,栅极输入电容仅210pF

    EPC2031氮化镓增强型功率晶体管有极低的栅极输入电容,实现了低开关延迟。

    新产品    发布时间 : 2017-10-12

    【技术】氮化镓场效应晶体管两种散热方式,你知道么?

    EPC场效应晶体管的D2PACK封装具的RθJA值小至18℃/W,而封装SO-8具有RθJA值大到34℃/W。

    技术探讨    发布时间 : 2018-02-26

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 1.1  - July 7, 2020 英文 下载

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 4  - March 31, 2021 英文 下载

    集成电路 · 分立半导体元件 · 无源元件 · 接插件及结构件 · 部件 · 组件及配件 · 电源及电源模块 · 电子材料 · 电工工具及电工材料
    仪器仪表及测试配组 · 机电元件 · 机械及五金配件 · 电气自动化元件部件

  • EPC2105

    厂牌:EPC

    价格:¥33.2812 现货:500

  • EPC2104

    厂牌:EPC

    价格:¥45.6573 现货:492

  • EPC2102

    厂牌:EPC

    价格:¥32.5369 现货:436

  • 超低价格 · 认证企业 · 现货供应 · 售完即止

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    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 2  - March 31, 2021 英文 下载

    【经验】三极管BJT与场效应管FET的区别

    三极管BJT与场效应管FET的区别很多,实际上就是三极管比较便宜,用起来方便,常用在数字电路开关控制,MOS管用于高频高速电路,大电流场合,以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方,本文杜因特为工程师分享三极管BJT与场效应管FET的区别。

    设计经验    发布时间 : 2021-12-21

    GaN FET Product Portfolio

    型号- TP65H070LDG,TP65H050WSQA,TP65H035G4WSQA,TP65H015G5WS,TP65H050WS,TP65H480G4JSG,TP65H050G4WS,TP65H150G4PS,TP65H300G4LSG,TP65H150LSG,TP65H035G4WS,TP65H03

    商品及供应商介绍  -  TRANSPHORM  - 10/29/2021 英文 下载

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 3  - March 31, 2021 英文 下载

    【应用】氮化镓场效应晶体管导通电阻具有正温度系数,助力并联器件设计

    EPC的氮化镓RDS(ON)的温度特性均是正温度系数, RDS(ON)随着器件温度的增加而增加,这样并联使用时,管子的RDS(ON)自行调控,从而均衡所有管子的电流和温度的均衡度,提高并联系统的稳定性。

    新应用    发布时间 : 2018-03-02

    尺寸减半、高效率替代功率MOSFET的EPC氮化镓场效应晶体管,市场占有率世界第一

    EPC推出的GaN FET产品具有小尺寸、高开关速度等突出优势,在性能上比硅材料的功率器件优越很多。其目标应用包括DC/DC转换器、无线电源传送、包络跟踪、激光雷达(LiDAR)及D类音频放大器等

    厂牌及品类    发布时间 : 2018-06-08

    【产品】有望取代MOSFET整体市场的氮化镓场效应晶体管

    EPC的氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)以更高的开关速度工作,所以转换器可以比硅MOSFET在更高的频率下工作,消耗更少的能源。

    新产品    发布时间 : 2017-08-15

    GaN FET Selection Tool for Buck Converters User Guide

    型号- EPC2010C,EPC2100 SERIES,EPC2050,EPC2034,EPC2100

    用户指南  -  EPC 英文 下载

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 0  - Jan. 06, 2021 英文 下载

    LMG352xR030-Q1 650-V 30-mΩ GaN FET with Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting

    型号- XMG3522R030QRQSTQ1,LMG3522R030-Q1,LMG352XR030-Q1,LMG3525R030-Q1,XMG3525R030QRQSTQ1

    数据手册  -  TI  - Revision B  - JUNE 2021 英文 下载

    数据手册  -  TRANSPHORM  - Version 1  - 2/1/2019 英文 下载

    面向D类音频放大器应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN® FET) 应用简介

    描述- 音频放大器所播放的音质受到功率晶体管的特性所影响,我们用总谐波失真(THD)、阻尼系数(DF)及交互调变失真(IMD)来测量。氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)具备接近完美的开关性能,因为它具有更低的传播延迟特性、更快速slew rate(因为它具有更低的栅极电容)及零反向恢复电荷(Q-RR),使得死区时间更短促,从而实现更低开环失真、降低总谐波失真及总功耗,这样可减少feedback、降低瞬态交互调变失真(T-IMD)及阻尼系数,结果是使得D类音频放大器的音质得以大大提升,而且可以实现更低的总功率损耗。

    型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC9047,EPC2055,EPC9040,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2108,EPC2107,EPC9010C,EPC2

    应用及方案  -  EPC  - 2021 中文 下载

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